【課題】ブッシング同士の接続部分において好適な電界緩和を行うこと。
【解決手段】ブッシング１００は、内部導体１１０と、内部導体１１０の外周を覆う硬質の絶縁体１２０とを有し、硬質の絶縁体１２０と機器側ブッシング２００の硬質の絶縁体２２０との接合面に配設された弾性絶縁スペーサ３０を貫通して、内部導体１１０が機器側ブッシング２００の内部導体２１０に接続される。硬質の絶縁体１２０内には、接合面の近傍に配置され、且つ、内部導体１１０を囲む環状の電界緩和用金具１３０が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】垂直に配置される絶縁ブッシングと、垂直に立ち上げられるケーブル端末とを、一人の作業者でも容易に接続することができるようにする。
【解決手段】絶縁ブッシングと電力ケーブルとの接続部は、絶縁体１２と、絶縁体の中心に埋設されそれ自身の端部が絶縁体の端部から軸方向外方に向けて突設された内部導体１１とを有する絶縁ブッシング１と、ケーブル２の端部が段剥されてケーブル導体２３が露出されたケーブル端末５と、ケーブル導体の端部とケーブル導体とを接続する連結導体３とを備えている。連結導体は、円筒状に組み合わせられる一対の半円筒状部と、円筒状に組み合わせられた一対の半円筒状部を径方向に伸縮可能に保持するワイヤーバネ等から成る保持部材と、一対の半円筒状部を一体に締結する六角穴付ボルト等から成る締結部材とを備えている。 （もっと読む）

【課題】コンパクトで、かつ絶縁ブッシングの絶縁フランジ側に配置されるＯリングに直接押圧力を伝達することで、絶縁ブッシングと押さえ金具間からの水の浸入の防止を図る。
【解決手段】金具一体型保護管５は、両端部が開放された円筒部５１と、円筒部の一端部側に円筒部と同心状に連設された環状の押さえ金具５２とを備えている。押さえ金具の開放端面側の内周縁側には環状のＯリング収納溝５２ａが押さえ金具と同心状に設けられ、押さえ金具の外周縁側にはボルト挿通孔５２ｂが軸方向に貫通するように設けられている。金具一体型保護管を構成する押さえ金具は、絶縁ブッシングを構成する絶縁フランジにＯリングを介して取り付けられ、金具一体型保護管を構成する円筒部のケーブル端末と対向する端部の外周にはケーブル端末を構成するケーブル外部半導電層の外周に跨って防水層が設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶化熱処理の昇温過程において水蒸気分圧を制御するとともに、酸化物超電導体中に磁束ピンニング点を導入する。
【解決手段】配向ＮｉーＷ基板１上にＧｄ_２Ｚｒ_２Ｏ_７層及びＣｅＯ_２層を形成した複合基板上に、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕ及びＤｙの金属有機酸塩をＤｙ／Ｙ＝０．１のモル比で含む原料溶液を塗布し、仮焼熱処理を施し、次いで、５０Ｔｏｒｒ未満の圧力下で室温から結晶化温度７３０℃までの昇温過程と結晶化熱処理温度における恒温過程により結晶化熱処理を施した。昇温過程は、５００℃で水蒸気分圧１．０５ｖｏｌ％で炉内に導入され、６９０℃まで水蒸気分圧を４．２ｖｏｌ％に連続的に増加させることにより、磁束ピンニング点を均一に分散させることができ、このＹＢＣＯ酸化物超電導体は１００Ａ／ｃｍ−ｗｉｄｔｈのＩｃ値及びＪｃ,ｍｉｎ／Ｊｃ,ｍａｘ＝０．８（１Ｔ）の磁場印加角度依存性を示した。 （もっと読む）

【課題】プラグイン接続部において、フレキシビリティに優れた引留部および通電部を有する電力ケーブルの接続部を提供する。
【解決手段】ケーブル導体接続端部は、ケーブル導体３２の先端部に固定される接続端子７を備え、接続端子は、ケーブル導体の軸方向に沿って通電部７２および圧縮部７３を備え、通電部は、接続端子の外周に設けられた環状の凹溝７２ｂと、凹溝に円周方向に沿って嵌着され、それ自身が導体挿入孔６４の内周壁に電気的に接触可能な導電性のばね状接触子とを備え、ブッシング２は，導体挿入孔と連通するテーパ状の受容口２４を備え、導体挿入孔は、通電部が挿入される第１の導体挿入孔６４ａと、第１の導体挿入孔の後端側に連通し、その内径が第１の導体挿入孔よりも大径で、かつ、受容口の先端２４ａの内径よりも小径である第２の導体挿入孔６４ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】交流損失の低減効果が高いマルチフィラメント型超電導線材を提供することを第１の目的とする。また、本発明は交流損失の低減効果が高いマルチフィラメント型超電導線材を、生産性良好に製造することのできる製造方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】長尺の基材１上に中間層２を介して形成された超電導層３と、超電導層３の上に形成された金属安定化層４とを具備してなる超電導線材Ａにおいて、（ｉ）基材１の長手方向に沿って、金属安定化層４から超電導層３を介し中間層２に達し、中間層２を露出させた溝２０が、基材１の幅方向にわたり、平行に複数形成されており、かつ、（ｉｉ）超電導層３下部の溝幅ｄ１と金属安定化層４下部の溝幅ｄ２との差δｄ（＝ｄ１−ｄ２）が１０μｍ以下であることを特徴とする低交流損失マルチフィラメント型超電導線材である。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、酸素雰囲気中でＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．２ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４３Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】熱電変換モジュールを温度差の大きい領域に設置した場合でも熱歪の集中を受け難く、熱電変換素子と電極との接合部分が破壊することがなく、機械的強度の高い熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】本発明は、ｐ型及びｎ型の熱電変換素子（１）が順次交互に配置され、少なくとも一方の端部が電極（４）に接合されて基板（５）上に載置されてなる熱電変換モジュールにおいて、熱電変換素子は断面多角形で、かつ多角形の各辺に突起（１ａ）を有する柱状をなし、熱電変換素子と電極とが接合材料のペースト（３）により接合されている。また、熱電変換素子は、断面５角形以上が好ましく、中心部に貫通孔（２）を有していることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ベッド層をＭＯＤ法により形成することによりＩＢＡＤ層の配向性を向上させる。
【解決手段】電解研磨基板１上に、ＭＯＤ−ＣＺＯ層２、ＩＢＳ−ＧＺＯ３、ＩＢＡＤ−ＭｇＯ層４、ＬＭＯ層５、ＰＬＤ−ＣｅＯ_２層６及びＰＬＤ−ＧｄＢＣＯ超電導層８を順次成膜した超電導線材１０において、ＣｅＯ_２層はΔφ＝４．１ｄｅｇ．と機械研磨基板の場合と同程度の配向性を示し、ＧｄＢＣＯ超電導層はＩｃ＝２４９Ａ（Ｊｃ〜５ＭＡ／ｃｍ^２）と機械研磨基板を用いた場合と同程度のＩｃ値を示す。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で、高電圧に適用した場合でも半導電塗料塗布端部に電界が集中する虞のないようにする。
【解決手段】電力ケーブル接続用ゴムユニット１ａは、絶縁筒２ａと、内部半導電層３と、第１のストレスコーン４ａと、第２のストレスコーン４ｂと、絶縁筒の外周面に設けられる半導電塗料の塗布層から成る外部半導電層５ａと、外部半導電層を長手方向に縁切りする縁切り部とを備えている。第１、第２のストレスコーンには、それぞれ絶縁筒の端部側から中央部外周側に向かって滑らかに拡径する円弧状内周面を有する電界緩和部４０ａ、４０ｂが設けられ、絶縁筒の外周部で、かつ第１のストレスコーンの第２のストレスコーンと対向する側の端部近傍の外周部には環状の凹部から成るベルマウス部６が設けられている。外部半導電層は、ベルマウス部の外周面から第２のストレスコーンの絶縁筒の他端部側の外周面または外側面に跨って設けられている。 （もっと読む）