第一成形手段（７，２０，２２，１０７）および第二成形手段（９）を有する金型（６，１０６）内のプラスチック投与分（１０，２１０）を圧縮成形する方法であって、−プラスチック投与分（１０，２１０）から物体（１）を形成するために、プラスチックのストレスを小さくするように選択された予備設定プロファイルに従って変化する速度で第一成形手段（７，２０，２２，１０７）を第二成形手段（９）に向かって移動させ、−プラスチックのストレスを小さくするように選択された他の予備設定プロファイルに従って変化する圧力をプラスチックに付与しながら金型（６，１０６）内にその物体（１）を維持し、かつ−前記金型（６，１０６）から物体（１）を取出す、工程を含む方法。
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装置は、お互いに対向し、プラスチックの一定量（６８）から成形品（１）を圧縮成形できる形成チャンバ（７０）を画定するように閉じることができる押抜き機構（１２）および鋳型機構（１３）と、前記押抜き機構（１２）に含まれる押抜き具（１４）と、アンダーカット（下方切取り部）が設けられている前記成形品（１）の一部分（４）を形成するために相互に可動な２つの部分（２０）と、を具備する。前記押抜き機構（１２）は、前記成形品（１）の１つのエッジゾーン（縁部区域）を形成する環状形成手段（４１）を具備し、前記環状形成手段（４１）と前記押抜き具（１４）は、前記一定量（６８）が前記形成チャンバ（７０）に充填される間、相互に可動である。
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半導体薄膜タイプのガスセンサー装置には、その片面に、少なくとも１個のガスセンサー、抵抗発熱体薄膜、及び当該センサー及び抵抗発熱体薄膜を電気的に接触させるためのパッドが含まれている。当該発熱体素子、ガスセンサー薄膜及び接点パッドは、全てスパッタ法によって作製される。
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