説明

アーエスエムエル・ネザーランズ・ベスローテン・フェンノートシャップにより出願された特許

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【課題】リソグラフィプロセス条件を決定するための良好な方法およびシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィプロセスのためのリソグラフィプロセス条件を決定する方法およびシステムが記載される。入力を取得した後、非矩形状サブ分解能アシスト特徴部を許容する条件下で、照明光源特よびマスク設計について第1の最適化を行う。続いて、矩形状サブ分解能アシスト特徴部だけが許容される1つ又はそれ以上の追加の最適化において、マスク設計が最適化される。これにより良好なリソグラフィプロセスが得られるとともに、マスク設計の複雑性を制限する。 (もっと読む)


EUVリソグラフィー装置において反射性に対する金属汚染の負の効果を制限すべく、最上層(56)を備えた反射面(59)を有する極端紫外線及び軟X線の波長範囲のための反射光学素子(50)が提案され、反射光学素子(50)の最上層(56)は、炭素・ケイ素結合及び/又はケイ素・酸素結合を有する一つ以上の有機ケイ素化合物を含む。
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本発明は、電気回路を含む基板(10)の上に、少なくとも1つのマイクロマシン構造を含むマイクロマシンデバイスを、下方の電気回路に影響を与えることなく作製する方法を提供する。この方法は、電気回路を含む基板(10)の上に、保護層(15)を形成する工程と、少なくとも1つのマイクロマシン構造を形成するための複数のパターニングされた層を保護層(15)の上に形成する工程であって、複数のパターニングされた層は、少なくとも1つの犠牲層(18)を含む工程と、その後に、犠牲層(18)の少なくとも一部を除去して、少なくとも1つのマイクロマシン構造を開放する工程とを含む。この方法は、更に、保護層(15)を形成する前に、マイクロマシンデバイスの製造中に使用される最高温度より高い温度で基板(10)をアニールする工程を含み、アニールは、その後の製造工程中に、保護層(15)の下での気体の形成を防止する。本発明は、また、本発明の具体例にかかる方法で得られたマイクロマシンデバイスを提供する。
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