【課題】緻密かつ高比剛性でありながら更に加工性に優れた炭化ホウ素セラミックス材料とその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素粉末と、焼結助剤としてケイ素の酸化物、窒化物、酸窒化物、アルミニウムの酸化物、窒化物、酸窒化物、アルミニウムとケイ素の複合酸化物、複合窒化物、複合酸窒化物の中からＳｉ、Ａｌ、Ｏ、Ｎを全て含むように選択した１種または複数種とを準備し、これらの原料を混合、成形後、焼成することで、炭化ホウ素を９０〜９９．５質量％含有し、結晶粒界に少なくともケイ素、アルミニウム、酸素、窒素が共存している高剛性セラミックス材料を得る。 （もっと読む）

【課題】材料費が安価で、高湿高温環境でのPCT信頼性に優れ、さらに熱サイクル試験のTCT信頼性、ボール圧着形状、ウェッジ接合性、ループ形成性等も良好である半導体素子用銅系ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】Pdを0.13〜1.15質量％含有し、残部が銅と不可避不純物とでなる銅合金を伸線加工してなる半導体用銅合金ボンディングワイヤであって、ワイヤ長手方向と平行にあるワイヤ断面における結晶粒の平均サイズが２μｍ以上ワイヤ線径の１．５倍以下であることを特徴とする半導体用銅合金ボンディングワイヤ。 （もっと読む）

【課題】材料費が安価で、低ループ化、ボール接合性に優れ、積層チップ接続の量産適用性にも優れた、複層銅ボンディングワイヤのボール接合部の接合構造を提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材21と、前記芯材の上にＰｄ、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔのうち少なくとも1種から選ばれる貴金属を主成分とする外層22とを有する複層銅ボンディングワイヤの先端に形成したボール部を接続してボール接合部３の接合構造を形成する。前記貴金属の第１濃化部10を、前記ボール接合部の表面領域のなかでも前記銅ボンディングワイヤとの境界に位置するボール根元域９に形成する。 （もっと読む）

【課題】真空溶解によるシリコン精製方法において、坩堝上方に配した不純物捕捉装置から不純物凝縮物が落下してシリコン溶湯が汚染するのを防止する。
【課題手段】真空ポンプ１を装備した処理室２内に、シリコン溶湯３を収容する坩堝４と坩堝４を加熱する加熱手段５とを配し、さらにシリコン溶湯の液面から蒸発する不純物蒸気を冷却して凝縮させる不純物凝縮部を有する不純物捕捉装置と、不純物捕捉装置で捕捉した不純物が落下した際に、この不純物を受け止める不純物受止部を有してシリコン溶湯の汚染を防ぐ汚染防止装置とを配置する。 （もっと読む）

【課題】アンダーコート層、或いは、セラミックス粒子が食い込んだトップコート層を設けることなく、良好な接着強度を有する溶射皮膜が形成された耐摩耗性の繊維強化複合材及びその製造方法を提供する。
【解決手段】最外層に溶射皮膜層４を有する耐摩耗性の繊維強化複合材１であって、繊維強化プラスチック基材層２と、繊維強化プラスチック基材層２の表層に積層されたガラス繊維強化プラスチック層３と、ガラス繊維強化プラスチック層３の表層に溶射により被覆された溶射皮膜層４とを有する。 （もっと読む）

【課題】材料費が安価で、高湿高温環境でのPCT信頼性に優れ、さらに熱サイクル試験のTCT信頼性、ボール圧着形状、ウェッジ接合性、ループ形成性等も良好である半導体素子用銅系ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】Pdを0.13〜1.15質量％含有し、残部が銅と不可避不純物とでなる銅合金を伸線加工してなることを特徴とする半導体用銅合金ボンディングワイヤを提供することができる。また、ボール変形が良好であり、量産性にも優れた半導体用銅合金ボンディングワイヤを提供することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 腹板の腐食減肉した鋼桁構造物を補修または補強するため、鋼桁腹板に繊維強化樹脂を剥離しないように貼り付けて鋼桁腹板の座屈耐荷力を向上させる鋼板の炭素繊維強化樹脂補修補強構造および補修補強方法を提供する。
【解決手段】 鋼橋の鋼桁腹板９に繊維強化樹脂層１３を設置して鋼桁腹板の終局耐荷力を回復増強する補修補強構造であって、鋼桁腹板９と繊維強化樹脂層１３の間にポリウレア系樹脂でできたパテ層１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ純度の高い低誘電損失のアルミナセラミックスを得る。
【解決手段】化学成分において、ＳｉＯ_２をモル比でＮａ_２Ｏの２倍以上でかつ０．０５質量％以上０．５質量％以下含有し、さらに、Ｙ_２Ｏ_３を０．０５質量％以上０．５質量％以下含有し、残部がＡｌ_２Ｏ_３と不可避的不純物からなり、１ＭＨｚ〜１ＧＨｚにおける誘電損失がｔａｎδ＝１０×１０^−４以下であり、体積固有抵抗率が１×１０^１４Ωｃｍ以上、密度が３．８ｇ／ｃｍ^３以上であるアルミナセラミックス。 （もっと読む）

【課題】抵抗加熱ヒーターにより溶融物を加熱する溶融炉において、抵抗加熱ヒーターに流れている電流により磁場が発生し、この磁場が溶融物に作用して溶融物が回転することにより、ルツボの内面が不均一に削られることを防止できる加熱溶融炉を提供し、また、これを用いた加熱溶融方法を提供する。
【解決手段】ルツボの外壁面外側に抵抗加熱ヒーターが配設されて、前記抵抗加熱ヒーターから発生する磁場の影響を受け、ルツボ内に収容された溶融物がルツボの内壁側面に沿って回転する加熱溶融炉において、溶融物の回転方向を逆転させる手段を備えて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させることができる加熱溶融炉であり、また、この加熱溶融炉を用いて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させる加熱溶融方法である。 （もっと読む）

【課題】クロム化成処理などの表面処理が無くともポリオレフィン系樹脂との密着性が確保でき、電解液との接触によっても密着力の低下がない蓄電デバイス容器用ステンレス箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】CrがFeよりも多く含み、かつ、酸素を20mol％以上60mol％以下含む酸化物皮膜を有するステンレス箔であって、該酸化物皮膜の表面における、圧延方向の算術平均粗さRal、又は、圧延方向に対して直角方向の算術平均粗さRacが、0.1μm以上で該酸化物皮膜の表面の最大深さRt未満であり、Rtが、0.8μm以上で該ステンレス箔厚さの50％以下であり、該酸化物皮膜の厚みが6nm以上150nm未満であることを特徴とする蓄電デバイス容器用ステンレス箔、及びその製造方法である。 （もっと読む）