【課題】エポキシ樹脂並みの粘度調整能力を有して、ポリイミド系樹脂に近い耐熱性を有する樹脂組成物、並びに、この耐熱樹脂組成物をマトリクス樹脂として使用したプリプレグ及び強化繊維複合材料を提供する。
【解決手段】少なくとも主剤としてのエポキシ樹脂と硬化剤とを含む基材エポキシ樹脂の中に、融点が１２０〜２２０℃のマレイミド化合物の粉体を分散させた耐熱樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】ハンダ付け後のハンダ表面、BGAでのハンダバンプ形成後のバンプ表面、及び、BGAのバーンイン試験後のハンダバンプ表面、これらの表面の黄変を防止することができる無鉛ハンダ合金、ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材を提供する。
【解決手段】Li、Na、K、Ca、Be、Mg、Sc、Y、ランタノイド、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、Mo、Zn、Al、Ga、In、Si、Mnから選出される添加元素を、1種又は2種以上、合計で1質量ppm以上0.1質量%以下含有し、残部がSnを40質量%以上含有する無鉛ハンダ合金、ハンダボール及びハンダバンプを有する電子部材である。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ボール部の形成性、接合性を改善し、ループ制御性も良好であり、ウェッジ接続の接合強度を高め、工業生産性にも確保し、金ワイヤよりも安価な銅を主体とするボンディングワイヤを提供することを目的とする。
【解決手段】 銅を主成分とする芯材と、該芯材の上に芯材と異なる組成の導電性金属の表皮層からなるボンディングワイヤであって、表皮層の最表面側に金の単一金属領域を有し、表皮層の当該金の単一金属領域の内側に金とパラジウムとが濃度勾配を形成する第１の濃度勾配領域を有し、表皮層の芯材側にパラジウムと銅が濃度勾配を形成する第２の濃度勾配領域を有し、第１の濃度勾配領域と第２の濃度勾配領域の間にパラジウムの単一金属領域を有し、表皮層と芯材との境界はパラジウムの濃度が１０ｍｏｌ％となる位置であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の基本性能に加えて、熱サイクル試験での不良低減を図った銅を主体とする半導体装置用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材と、前記芯材の上に設けられた、前記芯材と、成分及び組成のいずれか一方又は両方の異なる金属Mと銅を含有する外層とを有するボンディングワイヤであって、前記外層の厚さが0.021-0.12μｍであり、金属元素と、炭素、酸素、及び窒素との各元素の総計に対する濃度で比較して、前記外層の最表面の炭素濃度が15-80mol%の範囲であり、表面から深さ方向に炭素濃度が5-80mol%の範囲である領域の厚さが0.0004-0.01μｍであることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】外周部に担持された触媒金属の利用効率を高めるとともに、フィルタ基材の熱損傷を防止する。
【解決手段】排ガス流入側端面11から全長の10％〜50％の範囲の触媒コート層２に、表面の輻射率εが0.50を超える高輻射部３を形成した。
中心部から外周部に輻射による熱伝達がなされるので、中心部の温度が低下し外周部の温度が上昇して均一化される。 （もっと読む）

【課題】電気容量増大のための薄肉化と、安全性向上のための強度向上を両立するステンレス鋼箔を使用したにも関わらず、蓄電デバイスに必須の温度サイクル試験で、容器外側の面において強固な接着力をラミネート全面で維持して剥離せず、ゴミや異物の混入が無く、クリーン性と意匠性が優れた樹脂被覆ステンレス鋼箔を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼箔１の両面に樹脂をラミネートしてなる樹脂被覆ステンレス鋼箔であって、蓄電デバイス容器に加工した際に、該容器の外側となるステンレス箔の面上に、加熱により接着力を発現する接着剤(B)層３を介して、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミドから選ばれる1種又は2種以上の樹脂５を合計で50質量%以上含有する樹脂組成物(A)層２を熱ラミネートによる積層をしてなることを特徴とする蓄電デバイス容器用樹脂被覆ステンレス鋼箔である。なお４は、クロメートなどの表面処理層。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化において高強度で、高曲げ剛性であること、高いボール部接合性およびウェッジ接合性を有すること、工業的な量産性、高速ボンディング使用性にも優れていること、などを兼備する半導体素子用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる外周部２と、金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線と外周部の間に拡散層３を有する半導体用ボンディングワイヤであって、ボンディングワイヤの外周部のさらに外側に、芯線および外周部の主要元素とは異なる、外周部より酸化の少ない金属からなる最表面層を有し、さらにその外周部と最表面層の間に拡散層または金属間化合物層のうち少なくとも１層を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】狭ピッチ化、細線化、長ワイヤ化において高強度で、高曲げ剛性であること、高いボール部接合性およびウェッジ接合性を有すること、工業的な量産性、高速ボンディング使用性にも優れていること、などを兼備する半導体素子用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】導電性の金属からなる外周部２と、前記金属を主成分とする合金からなる芯線１と、さらにその芯線と外周部の間に拡散層３を有し、前記拡散層が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。また、導電性を有する第１の金属または該第１の金属を主成分とする合金からなる芯線と、前記芯線の第１の金属とは異なる導電性を有する第２の金属または該第２の金属を主成分とする合金からなる外周部、さらにその芯線と外周部の間に、拡散層を有し、前記拡散層が濃度勾配を有することを特徴とする半導体用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の基本性能に加えて、熱サイクル試験での不良低減を図った銅を主体とする半導体装置用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材と、前記芯材の上に設けられた、前記芯材と、Pdと銅を含有する外層とを有するボンディングワイヤであって、前記外層は50mol%以上のPdを含む部位であり、前記外層の厚さが0.021〜0.12μｍであることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、従来の基本性能に加えて、熱サイクル試験での不良低減を図った銅を主体とする半導体装置用ボンディングワイヤを提供する。
【解決手段】銅を主成分とする芯材と、前記芯材の上に設けられた、前記芯材と、成分及び組成のいずれか一方又は両方の異なる金属Mと銅を含有する外層とを有するボンディングワイヤであって、前記外層の厚さが0.021〜0.12μｍであり、金属系元素と、炭素、酸素、及び窒素との各元素の総計に対する濃度で比較して、前記外層の最表面の酸素濃度が1〜25mol%の範囲であり、該外層の表面に酸素濃度が0.2〜25mol%の範囲である領域の厚さが0.0005〜0.007μｍの範囲であることを特徴とする半導体装置用ボンディングワイヤである。 （もっと読む）