説明

ルトガース,ザ ステート ユニヴァーシティ オブ ニュージャーシィにより出願された特許

1 - 3 / 3


【課題】支持構造を容易にでき、周波数温度特性が良好で、精度の良い角速度検出が可能
な角速度センサを提供する。
【解決手段】角速度センサは、回転Yカット水晶基板の主表面上にY’軸方向に突出され
X軸方向に延出された突起部を備え、この突起部の近傍の主表面上に駆動電極および検出
電極が形成されている。この駆動電極により水晶基板にX軸方向の厚みすべり振動を励振
させて突起部に振動を励起させる。そして、Y’軸回りの回転に対応して突起部の振動に
対して直交する方向に作用するコリオリ力により突起部が屈曲させられ変位する。この突
起部の変位が応力となって水晶基板に加えられ、この応力の変化が検出電極にて検出され
て角速度センサに加わる角速度を検出する。 (もっと読む)


本発明は、1以上のポリメトキシル化フラボン(PMF)を含む組成物を使用して、対象の運動後の回復時間を減少させる方法を提供する。好適な実施態様において、本明細書中に記載されるように、組成物はオレンジピール抽出物である。特定の実施態様において、運動後の回復時間は、対象の運動後酸素消費(VO2)レベルが運動前VO2レベルに戻る時間である。 (もっと読む)


電界効果トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート電極と、無機半導体の結晶または多結晶の層と、誘電体層とを含む。無機半導体の層は、物理的にソース電極からドレイン電極まで延びる活性チャネル部分を有する。無機半導体は、層内の結合力が共有結合および/またはイオン結合である2次元の層の積み重ねを有する。互いに隣接する層のそれぞれが、共有結合およびイオン結合の力よりかなり弱い力によって互いに結合される。誘電体層は、ゲート電極と無機半導体材料の層の間に介在する。ゲート電極は、無機半導体の層の活性チャネル部分の導電率を制御するように構成される。

(もっと読む)


1 - 3 / 3