説明

山中セミコンダクター株式会社により出願された特許

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【課題】特定の処理を施したポリイミド樹脂を用いることによって種々の基板を接合する技術を提供する。
【解決手段】
本発明の1つの貼り合わせ基板の製造方法は、第1基板12上にポリイミド前駆体層を形成する工程と、そのポリイミド前駆体層を平坦化する工程と、酸素濃度が50ppm以下の環境下で、そのポリイミド前駆体層を200℃以上350℃以下で加熱してポリイミド樹脂層17を形成する第1加熱工程の後、第2基板14と第1基板12との間に前述のポリイミド樹脂層17を挟む工程と、その第1基板及びその第2基板を16.3MPa以上49MPa以下で加圧しながら、前述の第1加熱工程の最高温度と同じ温度、又はその第1加熱工程の最高温度との差が50℃以内の第1加熱工程の最高温度よりも低い温度で加熱する第2加熱工程とを有している。 (もっと読む)


【課題】特定の処理を施した感光性ポリイミド樹脂を用いることによって種々の基板を接合する技術を提供する。
【解決手段】
本発明の1つの微小分析装置の製造方法は、第1基板12上に感光性ポリイミド前駆体層を形成する工程と、感光性ポリイミド前駆体層のパターンを形成するパターン形成工程と、酸素濃度が50ppm以下の環境下で、そのパターンが形成された感光性ポリイミド前駆体層を200℃以上350℃以下で加熱して感光性ポリイミド樹脂層17を形成する第1加熱工程の後、第2基板14と第1基板12との間に感光性ポリイミド樹脂層17を挟む工程と、第1基板12及び第2基板14を16.3MPa以上49MPa以下で加圧しながら、第1加熱工程の最高温度と同じ温度、又は第1加熱工程の最高温度との差が30℃以内の第1加熱工程の最高温度よりも低い温度で加熱する第2加熱工程とを有している。 (もっと読む)


【課題】高い平坦性と精密なパターンが形成されたポリイミド膜を提供する。
【解決手段】本発明の1つのパターンが形成されたポリイミド膜の製造方法は、基材10上にポリイミド前駆体層を形成する工程と、そのポリイミド前駆体層のパターンを形成するパターン形成工程と、そのパターンが形成された前述のポリイミド前駆体層を加熱することによりポリイミド樹脂層16を形成する加熱工程と、その基材10及びそのポリイミド樹脂層16にフッ酸を含む溶液62を接触させることにより、基材10から前記ポリイミド樹脂層16を離脱させる離脱工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】陽極接合時の環境に近似する環境下でのガラス基板、及び半導体基板の温度変化を測定する。
【解決手段】
陽極接合用ガラス基板10と複数の熱電対16,・・・,16から構成され、ガラス基板10は、熱電対16,・・・,16の測温接点及びその測温接点からガラス基板10の端部まで連続する一部の熱電対素線が埋設された複数の溝12,・・・,12が形成された平坦面を有している。さらに、少なくともその測温接点は、それぞれの溝12,・・・,12の内壁面上を含む内部に無機質の固着剤によって固定され、かつ陽極接合前後において、前述の測温接点、一部の熱電対素線、及び固着剤が、前述の平坦面から突出していない。 (もっと読む)


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