ホットエレクトロン・トランジスタはエミッタ電極、ベース電極及びコレクタ電極と、エミッタ電極とベース電極との間に配置され、そこでの電子の輸送層として機能する第１のトンネル構造とを有する。第１のトンネル構造は、電子の輸送がトンネリングによる輸送を含むように、少なくとも第１のアモルファス絶縁体層、及び別の第２の絶縁体層を含む。トランジスタはさらに、ベース電極とコレクタ電極との間に配置された第２のトンネル構造を含む。第２のトンネル構造は電子の少なくとも一部の、ベース電極とコレクタ電極との間の、弾道輸送による輸送層として機能し、その結果、電子の一部はコレクタ電極で収集される。薄膜トランジスタ内の界面での電子反射を低減する関連方法もまた開示される。
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