【課題】集積回路の試験に関し、一つの回路を分割した複数の領域間の試験を行えるようにスキャンチェーンを生成すること。
【解決手段】集積回路の試験時に、複数のフリップフロップを含むスキャンシフトを動作させたときの消費電力が許容値を超える場合、スキャンチェーンに含まれる複数のフリップフロップを複数のグループに分割する。分割の際には、集積回路が実際に動作するときの信号の伝達経路に基づいて、複数のフリップフロップのうちの一部のフリップフロップが複数のグループに含まれる。複数のグループに含まれるフリップフロップは、複数のグループのそれぞれに生成されるスキャンチェーンに接続される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、バリアメタルの絶縁膜及びＣｕに対する密着性と、Ｃｕ拡散防止とを両立する。
【解決手段】 絶縁膜に設けた凹部の側壁にシール絶縁膜を形成し、シール絶縁膜の内側に順にシール絶縁膜との密着性が優れている第１の導電性バリア層、Ｃｕ拡散阻止能力が高い第２の導電性バリア層、及び、Ｃｕ系埋込電極との密着性が優れている第３の導電性バリア層の３層構造のバリア層を介してＣｕ系埋込電極を設ける。 （もっと読む）

【課題】データ転送を調停する調停部の設定を容易にしうるようにすること。
【解決手段】転送モニタ回路３３は、調停回路３１にて制御されるＤＭＡチャネルのチャネル番号と、生成されるＤＭＡチャネルにより転送されるデータのデータ量をモニタ情報として記憶する。そして、転送モニタ回路３３は、調停回路３１が調停する要求信号を出力する処理部２１〜２８が動作するタイミングを制御する同期信号Ｓｙｎｃや、処理部２１〜２８から出力されるエラー通知信号ＥＲＲ、等に基づく期間のモニタ情報を記憶する （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑止しつつ、スイッチング周波数を所望の周波数にするＤＣ−ＤＣコンバータの制御回路、ＤＣ−ＤＣコンバータ及び電子機器を提供すること。
【解決手段】カウンタ回路５の第１及び第２Ｄ−ＦＦ回路Ａ１，Ａ２は、ソフトスタートにおいて基準クロック信号ＣＬＫのカウンタクロック信号ＣＣＫをカウントし、通常動作において、スイッチング電圧Ｖｓｗのカウンタクロック信号ＣＣＫを分周する。 （もっと読む）

【課題】低損失で色温度の変化を抑制すること。
【解決手段】ドライバ回路は、負荷１３に含まれる発光ダイオード１３ａ〜１３ｄのカソード側に接続されたトランジスタＱ２を制御信号Ｓｃによりオンオフすることにより、負荷１３を駆動する。負荷１３に流れる駆動電流Ｉｄは、トランジスタＱ２とグランドとの間に接続された抵抗Ｒ１と、ノードＮ２の駆動電圧Ｖｄに応じて設定される。ドライバ回路は、負荷１３に含まれる発光ダイオード１３ａ〜１３ｄのカソード側に接続されたトランジスタＱ２と抵抗Ｒ１の間のノードＮ２の電圧Ｖｄと等しい保持電圧Ｖｈを誤差増幅器２２に帰還して駆動信号Ｓｄのパルス幅を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハにおける欠陥の測定精度を向上させた欠陥検査方法を提供する。
【解決手段】検査のため基準となる基板を欠陥検査装置内に設置する基準基板設置工程と、設置された前記検査のため基準となる基板に光を照射し、照射された前記光の散乱光の強度を測定する光強度測定工程と、前記散乱光の強度が設定した基準レベルよりも強い場合には前記光のパワーを弱め、前記散乱光の強度が前記基準レベルよりも弱い場合には前記光のパワーを強める補正を行う補正工程と、検査の対象となる基板を前記欠陥検査装置内に設置し、前記補正の行われたパワーの光を前記検査の対象となる基板に照射し、照射された前記光の散乱光を検出することにより前記検査の対象となる基板における欠陥を検査する検査工程とを有する欠陥検査方法により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】温度制御性の高い試験装置を提供する。
【解決手段】試料載置ステージ１３に対向して配置されるプローブカード１７と、プローブカード１７の開口部１７ｈの下側に配置される複数のプローブ針１８と、複数のプローブ針１８の間の領域に配置される熱電対３１と、プローブカード１７の開口部１７ｈの下に熱電対３１の先端に接触して取り付けられる温度測定物３２と、プローブカード１７の開口部１７ｈの上方に配置されるランプ４２を有する発光器４０とを備える。 （もっと読む）

【課題】電源線からの雑音放射を抑え、小型・安価なインダクタンス素子を使用する送受信装置及び電源線通信方法を提供すること。
【解決手段】送信回路１３の電流制御発振器２３は、スレーブ装置に送信する通信信号Ｓｃの搬送波を、変調パターンデータＤｍに基づいてＦＭ変調して通信信号Ｓｃのキャリア周波数を偏移させる。受信回路１４のＦＭ復調回路４３は、スレーブ装置から第１バンドパスフィルタ４１を介し受信した受信信号Ｓｒを復調して周波数復調信号Ｓｄを生成し、この周波数復調信号Ｓｄを第２バンドパスフィルタ４２に出力する。受信回路１４の第２バンドパスフィルタ４２は、入力された周波数復調信号Ｓｄに応じて、受信信号Ｓｒを通過させる周波数帯域を、受信する通信信号Ｓｃのキャリア周波数に合わせるよう変更する。 （もっと読む）

【課題】チャネルに大きな歪を生じさせることができ、制御を容易に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に、絶縁膜３、多結晶シリコン膜４及びアモルファスシリコン膜５を含む積層体を、ゲート電極の平面形状に形成する。多結晶シリコン膜４及びアモルファスシリコン膜５の側方にサイドウォール６を形成する。サイドウォール６をマスクとして半導体基板１の表面にｐ型不純物を導入して不純物導入領域７を形成する。サイドウォール６をマスクとして不純物導入領域７の表面に溝８を形成する。溝８内にＳｉＧｅ層９を選択成長させる。アモルファスシリコン膜５を選択的に除去して、多結晶シリコン膜４を露出する。多結晶シリコン膜４上に導電層１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】半導体基板１上に積層された複数の層間絶縁膜１６、１９、２２と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の最上面の上に形成され、外部からプローブが当てられるプローブ接触領域を有するパッド２５と、複数の層間絶縁膜１６、１９、２２の間に形成される複数層の配線１２，１５、１８と、パッド２５のプローブ接触領域の直下の領域に形成され、前記層間絶縁膜２２が充填される非直線状スリットか孔の少なくとも一方を有する導電性パターンを有する応力緩和部４２とを有する。 （もっと読む）