【課題】通信速度を向上させると共に、消費電力を低減させることができるセルサーチ周期決定方法、無線通信装置及び無線通信システムの提供を図る。
【解決手段】無線通信装置ＴＲが通信を行っている通信中基地局ＳＢＳ、及び、前記通信中基地局に隣接する隣接基地局ＮＢＳそれぞれの信号対干渉雑音比ＣＩＮＲを測定し（Ｓ７０１，Ｓ７０２）、前記通信中基地局及び前記隣接基地局それぞれの、前回測定した前記信号対干渉雑音比からの変化量を算出し、前記通信中基地局における信号対干渉雑音比の変化量と前記隣接基地局における信号対干渉雑音比の変化量の大小関係に基づいて、セルサーチを行うセルサーチ周期を決定する（Ｓ７０４，Ｓ７０５）。 （もっと読む）

【課題】検証する範囲を少なくして、検証コストや検証時間の増大を抑制する。
【解決手段】抽出部１２が、第１のクロック信号で動作する回路部２１と、第２のクロック信号で動作する回路部２２とを含む検証対象回路（論理回路２０）から、ハンドシェイクの手順に従って回路部２１と回路部２２間でのデータの送受信を行うハンドシェイク部２３を抽出し、検証部１３が抽出されたハンドシェイク部２３の信号が、その手順を満たすかを検証し、手順を満たさない信号があるとき、回路部２１と回路部２２のうち当該信号を出力する側で、当該信号が手順を満たさなくなる条件が回路動作時に起こり得るか検証する。 （もっと読む）

【課題】回路素子の素子特性の変動を抑制すること。
【解決手段】半導体基板１１０には、拡散領域１１１を有する抵抗素子（回路素子）Ｒ１が形成されている。拡散領域１１１を含む半導体基板１１０の上には、層間絶縁膜１６１が形成される。拡散領域１１１のシリサイド層（コンタクト部）１１１ａは、コンタクトプラグ１６２を介して層間絶縁膜１６１上の配線と接続される。拡散領域１１１の上には、コンタクトホール１６３を形成するためのエッチングストッパ膜１５２が形成されている。このエッチングストッパ膜１５２は、拡散領域１１１上の保護絶縁膜１３１に対応する部分が除去され、開口が形成されている。 （もっと読む）

【課題】チャネル間の音質のバランスを維持しながら音質が向上したオーディオ信号符号化方法および装置の実現。
【解決手段】オーディオ信号符号化装置であって、知覚エントロピー算出部21と、知覚エントロピーに応じて、各チャネルの使用可能ビット数を決定するビット配分部22と、窓判定部23と、使用可能ビット数を補正する補正部24と、各チャネルのオーディオ信号を、補正された使用可能ビット数以下となるように順次量子化し、その際にフレーム内で既に量子化されたチャネルの余りビット数を順次後のチャネルに加えながら量子化する量子化部25と、を有し、補正部24は、以前のフレームの窓のタイプごとの量子化ビット使用率を算出する使用率履歴算出部31と、量子化ビット使用率で量子化が行われた場合の各チャネルの使用可能ビット数に対する使用率が等しくなるように補正する補正ビット数算出部32と、を有する。 （もっと読む）

【課題】遷移期間においてハイサイドトランジスタQ1がオンしないようにする。
【解決手段】高電位電源ラインと低電位電源ラインとの間に直列に接続されたハイサイドトランジスタとロウサイドトランジスタと，両トランジスタの接続ノードと出力端子との間に設けられたインダクタとを有する電源装置の前記両トランジスタを駆動する駆動回路であって，前記ハイサイドトランジスタのゲートを駆動する第１のゲートドライバと，前記ロウサイドトランジスタのゲートを駆動する第２のゲートドライバとを有し，前記ハイサイドトランジスタがオンでロウサイドトランジスタがオフの第１の状態から，前記ハイサイドトランジスタがオフでロウサイドトランジスタがオンの第２の状態に遷移する遷移期間で，前記第１のゲートドライバは前記ハイサイドトランジスタのゲートを前記低電位電源ラインの電位より低い第１の電圧に駆動する電源装置の駆動回路。 （もっと読む）

【課題】電子部品を封止する樹脂層の表面にシールド層が設けられる半導体装置の、当該樹脂層からの脱湿性を高める。
【解決手段】半導体装置１００ｃは、基板１１０と、その基板１１０上に実装された電子部品１２０を含む。基板１１０上の電子部品１２０は、樹脂層１３０によって封止され、その樹脂層１３０の上面及び側面に、電磁波をシールドするシールド層１４０が設けられる。樹脂層１３０及びシールド層１４０には、連通する穴１３１，１４１が設けられ、そこにピン１８０が挿入される。加熱によりピン１８０が熱膨張すると隙間２００ができ、樹脂層１３０に含まれる水分は、穴１３１，１４１及び隙間２００を通って外部へと除去される。 （もっと読む）

【課題】点滅駆動される被写体を好適に撮影すること。
【解決手段】撮像部２２は、１映像記録周期に複数（例えば３つ）のフレームＦａ，Ｆｂ，Ｆｃを出力する。抽出部２５は、デモザイク部２４から連続的に出力されるフレームのうち、［３ｎ−２］番目（ｎ＝１，２，・・・）のフレームＦａと、［３ｎ−１］番目のフレームＦｂとを処理する。合成部２７は、デモザイク部２４から連続的に出力されるフレームのうち、［３ｎ］番目のフレームＦｃを処理する。抽出部２５は、フレームＦａ，Ｆｂの画像データから設定色に対応する領域を推定し、その領域に含まれる画素の情報と、領域の情報をメモリ２６に格納する。合成部２７は、抽出部２５がメモリ２６に格納した発光部領域のデータを、メモリ２６から読み出す。そして、合成部２７は、デモザイク部２４から出力される合成フレームＦｃと、発光部領域とを合成して出力フレームＦｄを生成する。 （もっと読む）

【課題】 残留分極値が変化する場合にも、読み出しマージンの減少を防止する。
【解決手段】 半導体メモリは、第１および第２ビット線に接続される第１および第２強誘電体キャパシタを有するメモリセルと、第３ビット線に接続される第３強誘電体キャパシタを有するリファレンスメモリセルと、ドレインおよびゲートが第１および第３ビット線にそれぞれ接続される第１トランジスタと、ドレインおよびゲートが第２および第３ビット線にそれぞれ接続される第２トランジスタと、ドレインおよびゲートが第３ビット線に接続される第３トランジスタとを含むカレントミラー回路とを有している。読み出し動作における第１期間に、第１−第３ビット線は第１電圧に設定され、第２期間に、カレントミラー回路を動作させるために、第１、第２および第３トランジスタのソースは第１電圧と異なる第２電圧に設定される。 （もっと読む）

【課題】複数のパイプラインを有するプロセッサにおいて、処理効率を低下させることなくバンク競合を回避する。
【解決手段】メモリの複数のバンクに第１のバンクアクセス順序でアクセスする第１の処理部と、前記第1の処理部のアクセスの開始に続いて第２のバンクアクセス順序で前記複数のバンクにアクセスを開始する第２の処理部と、前記第１の処理部及び前記第２の処理部による前記複数のバンクへのアクセスが競合する場合に、前記第２のバンクアクセス順序を前記競合が生じない第３のバンクアクセス順序に並べ替えて前記第２の処理部を前記複数のバンクにアクセスさせる制御部とをプロセッサに備えることで、処理効率を低下させることなくバンク競合を回避できる。 （もっと読む）

【課題】高速で動作し得る不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】選択トランジスタとメモリセルトランジスタＭＴとを有するメモリセルＭＣがマトリクス状に配列されて成るメモリセルアレイ１０と、ビット線ＢＬの電位を制御する列デコーダ１２と、第１のワード線ＷＬ１の電位を制御する電圧印加回路１４と、第２のワード線ＷＬ２の電位を制御する第１の行デコーダ１６と、ソース線ＳＬの電位を制御する第２の行デコーダ１８とを有し、列デコーダは電圧印加回路及び第２の行デコーダより耐圧の低い回路により構成されており、第１の行デコーダは電圧印加回路及び第２の行デコーダより耐圧の低い回路により構成されている。ビット線と第２のワード線とが高速で制御され得るため、メモリセルトランジスタに書き込まれた情報を高速で読み出すことができる。 （もっと読む）