【課題】ＳＯＩ基板に形成されるＭＯＳトランジスタの特性を向上することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に埋込絶縁層２を介して形成される第１半導体層３と、前記第１半導体層３及び前記絶縁層２内に形成され、前記第１半導体層３に接する第２半導体層１２と、前記第２半導体層１２の上に形成されるゲート絶縁膜１３と、前記ゲート絶縁膜１３上に形成されるゲート電極１４ｇと、前記ゲート電極１４ｇの側壁に形成されるサイドウォール７とを有する。 （もっと読む）

【課題】 高電子移動度トランジスタを用いて駆動回路を形成し、信頼性を低下させることなく、スイッチングトランジスタを高速に駆動する。
【解決手段】 駆動回路は、ドレインが第２ハイレベル電圧線に接続され、ソースが第１スイッチングトランジスタのゲートに接続される第１高電子移動度トランジスタと、ドレインが第１スイッチングトランジスタのゲートに接続される第２高電子移動度トランジスタと、ドレインが第２高電子移動度トランジスタのソースに接続され、ソースが接続ノードに接続される第１フィールドプレートと、第１および第２高電子移動度トランジスタを排他的にオンするために、第１および第２高電子移動度トランジスタのゲート電圧を生成し、第２高電子移動度トランジスタをオフするときに、第２高電子移動度トランジスタのゲートをロウレベル電圧線のロウレベル電圧に設定する制御部とを有している。 （もっと読む）

【課題】外部電圧に応じた能力にて内部電圧を生成すること。
【解決手段】昇圧部２０は直列接続された３つのポンプ回路２１〜２３を備える。各ポンプ回路２１〜２３は、発振部３１にて生成されたクロック信号ＣＬＫ１に基づいてポンピング動作し、入力電圧を昇圧した電圧を生成する。従って、昇圧部２０は、外部電圧Ｖｄｄを、各ポンプ回路２１〜２３により昇圧して内部電圧Ｖｐｐを生成する。制御部３２は、内部電圧Ｖｐｐの変化量を検出し、その検出結果（変化量）に応じて昇圧部２０に含まれるポンプ回路２１〜２３の段数を制御する。 （もっと読む）

【課題】データを確実に書き込むこと。
【解決手段】メモリセルＣ００に接続されたＡポート用のビット線対ＢＬ０ａ，ＸＢＬ０ａ間にはアシスト線ＡＬ０ａが形成されている。ライトアンプはライトデータとライトコントロール信号に基づいて、ビット線ＢＬ０ａと反転ビット線ＢＬ０ａの電位を制御する。そして、ライトアンプは、ＨレベルからＬレベルに遷移させた反転ビット線ＸＢＬ０ａをフローティング状態にする。アシストコントロールは、ライトコントロール信号に基づいて、アシスト線ＡＬ０ａを、ＨレベルからＬレベルへと急峻に立ち下げる。フローティング状態の反転ビット線ＸＢＬ０ａの電位は、容量結合されたアシスト線ＡＬ０ａの電位変化により、低電位側の電源電圧ＶＳＳレベル（Ｌレベル）から更に低下する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造工程を精度良く監視する。
【解決手段】第３のセンサの出力波形は、センサのダイナミックレンジに相当する波形Ａ１がレシピに従った処理によって形成される。この後、レシピに従って基板に処理が行われ、処理を起因する波形Ａ２が形成される。波形Ａ２は、ノイズレベルの信号である。第３のセンサの出力波形を正規化処理すると、ノイズレベルの信号が増幅されることが防止される。第１のセンサ、第２のセンサ、及び第３のセンサの出力波形をそれぞれ正規化処理したデータを用いて多変量解析することで、半導体製造装置の運転状態を監視する。 （もっと読む）

【課題】ホスト装置に暗号化手段を設けることなく、ホスト装置とセキュリティ装置間の配線に流れるデータの情報漏洩を困難にするセキュリティ装置及びセキュリティシステムを提供する。
【解決手段】スクランブル演算機能を有するプロセッサと、第１の認証コードが記憶された記憶ユニットとを有するホスト装置に接続されるセキュリティ装置であって、第１の認証コードが記憶された記憶ユニットと乱数生成ユニットと暗号化ユニットとコントローラとを有し、コントローラは、乱数と第１の認証コードとをスクランブル演算して第１のスクランブルキーを生成してホスト装置に送信し、ホスト装置から、第１のスクランブルキーから取得した乱数に従って、暗号化対象データがスクランブル演算されて生成されたスクランブルデータを受信し、スクランブルデータと乱数とをスクランブル演算して暗号化対象データを生成し、暗号化対象データを暗号化ユニットによって暗号化して暗号化データを生成しホスト装置に送信する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置とその製造方法、配線基板、及び電子装置において、信号経路のインピーダンス整合を図ること。
【解決手段】配線基板２２と、配線基板の第１の主面２２ａに搭載された半導体素子２３と、配線基板の第２の主面２２ｂに設けられた電源用又は接地用のはんだボール３６と、第２の主面２２ｂに立設された信号用の長尺状の導電片３５とを有する半導体装置による。 （もっと読む）

【課題】検査対象デバイスの電源電流をより正確に測定し、検査対象デバイスの良または不良の判定をより正確に行なうこと。
【解決手段】複数の検査対象デバイス１６を、前記複数の検査対象デバイスの電源電流をそれぞれ測定する複数の電流測定装置１４を有する試験ボード１０に搭載し、前記複数の検査対象デバイスのバーンイン試験を行い、前記複数の電流測定装置が測定した前記複数の検査対象デバイスの電源電流に基づき、前記複数の検査対象デバイスのそれぞれについて前記バーンイン試験の良または不良の判定を行なう試験方法。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路の外部端子としてＴＲＳＴがなくても、論理シミュレーションの際に、タップコントローラのステートを確定する。
【解決手段】タップコントローラ２は、リセット端子（端子ｐ４）を有し、回路部３は、タップコントローラ２における状態遷移を制御するステート制御信号と、クロック信号を入力し、ステート制御信号とクロック信号に応じて、リセット端子ｐ４にリセット信号を供給することで、タップコントローラ２のステートを確定する。 （もっと読む）

【課題】配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットを高くする。
【解決手段】トラックパターンが連結された複数の平行配線パターンを生成する工程Ｓ２と、異なる配線経路の経路端部が同じトラックパターン内に配置されないように生成する工程Ｓ４と、前記経路端部が配置されたトラックパターンのトラックパターン終端部および当該トラックパターンのトラックパターン始端部に連結された隣接トラックパターンのトラックパターン終端部のうちの前記配線経路が通らないトラックパターン終端部を切り欠く工程Ｓ６と、前記トラックパターン終端部の切り欠き後に前記トラックパターンが並置された基本ブロックパターンに対応するブロックパターン識別子と当該基本ブロックパターンの配置位置とを有する配線パターンデータを生成する工程Ｓ１０とを有すること。 （もっと読む）