【課題】製造歩留まり、信頼性を向上させる半導体装置を製造する樹脂封止方法及び樹脂封止用金型を提供する。
【解決手段】半導体素子２０ｃが搭載された支持基板２０ｓを、下金型上に載置し、下金型と、下金型と衝合する上金型１０ｕとを型締めし、金型の樹脂注入口１０ｇから樹脂３０ｒを注入し、樹脂注入口からエアベント孔１０ａの方向に樹脂を流動させ、上金型の内側壁１０ｕｗに樹脂を到達させて、半導体素子を樹脂により封止する。上金型の内側面は、キャビティ１０ｃａ内に於いて、被処理基板、半導体素子方向に突出する波形形状１０ｃｖ−１を有している。これにより、半導体装置を、高い製造歩留まりで、高い信頼性を以て、製造することができる。 （もっと読む）

【課題】配線の信頼性試験で検出された不良配線の短絡箇所を、ボルテージコントラスト法により、短時間に確実に特定できる方法を提供する。
【解決手段】多数の第１の並列配線領域が第１の接続領域で接続された一方の（櫛歯状）配線１１と、多数の第２の並列配線領域が第２の接続領域で接続された他方の（櫛歯状）配線１２とを、第１と第２の並列配線領域が対向する配置で、絶縁膜に埋め込まれた状態で形成し、第１の並列配線領域と第２の並列配線領域との間の絶縁膜の信頼性試験を行い、短絡を生じさせ、一方の（櫛歯状）配線１１と他方の（櫛歯状）配線１２のいずれか一方の接続領域を除去ないし断線させ、ボルテージコントラスト法の観察を行ない、並列配線領域間短絡箇所を特定する。 （もっと読む）

【課題】通常メモリセルの保持データの誤読み出しを確実に防止することが可能な半導体メモリを提供する。
【解決手段】半導体メモリのセルフタイミング回路において、ダミーワード線に接続され通常レイアウトユニットから構成されたセルフタイミング用ダミーメモリセルが連続して配置された第１のダミービット線と、ダミーワード線に接続され通常レイアウトユニットと点対称又は線対称の関係を有する対称レイアウトユニットから構成されたセルフタイミング用ダミーメモリセルが連続して配置された第２のダミービット線と、第１のダミービット線及び第２のダミービット線を入力し、そのうち電位の変化速度の遅い方のダミービット線の電位変化に基づいて、セルフタイミング信号を出力するタイミング制御回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】 電界効果型半導体装置に関し、従来の作製方法を大幅に変更することなく、サブスレッショルド電流によるｏｆｆ時のリーク電流を抑制して、ｏｎ−ｏｆｆ比を高くする。
【解決手段】 ソース領域及び第１ドレイン領域の少なくとも一方が金属或いは多結晶半導体からなるとともに、前記金属或いは多結晶半導体と半導体チャネル層との間に形成されたトンネル絶縁膜を有する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタを備えた半導体装置とその製造方法において、キャパシタの品質を向上させること。
【解決手段】第１の導電膜１９、誘電体膜２０、及び第２の導電膜２１をこの順に形成する工程と、第２の導電膜２１をパターニングして、複数の上部電極２１ａを形成する工程と、レジストパターン２７の側面２７ｂが後退するエッチング条件を用いて、該レジストパターン２７をマスクにしながら誘電体膜２０をエッチングし、キャパシタ誘電体膜２０ａを形成する工程と、第１の導電膜１９をパターニングして下部電極１９ａを形成する工程と、上部電極１９ａの上の層間絶縁膜３３にホール３３ａを形成する工程と、ホール３３ａに導体プラグ３７を埋め込む工程とを有し、端部の上部電極２１ａ上のホール３７の形成予定領域が、側面２７ｂが後退した後のレジストパターン２７により覆われる半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】 思考的品質改善システムに関し、解析者の思考パターンに沿ったワークフローパターンを実現する。
【解決手段】 ワークフロー機能における、少なくとも集計、絞込み、分類を含むデータ加工エンジンの機能を汎用化しその組み合わせより、品質解析のデータの加工や処理を正規的に処理する。 （もっと読む）

【課題】受信信号にスプリアスが混入している場合であっても受信品質の劣化が抑制されるＯＦＤＭ復調装置を提供する。
【解決手段】ＦＦＴ部２３は、ＯＦＤＭ受信信号に対して複数回のバタフライ演算を実行することにより周波数領域信号を生成する。復調部２４は、ＦＦＴ部２３により生成された周波数領域信号を復調する。ＦＦＴ部２３は、スプリアスを検出したときに、最後のバタフライ演算の結果に対して、検出されたスプリアスを除く信号成分の最大電力に基づいて各信号成分をスケーリングする。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を効率良く製造できるようにする。
【解決手段】減圧されるチャンバ６２と、チャンバ６２内において、露出するレジスト膜４９を有する半導体基板１を複数支持する基板ホルダ６４と、基板ホルダ６４の配置領域の外側に設けられ、チャンバ６２内に酸素ガスを供給する供給孔７２が複数箇所に形成されたガス供給管７１と、チャンバ６２内の流体を吸い込む排気孔が設けられた排気管７４と、レジスト膜４９をアッシングさせるための酸素ガスを活性化する高周波電源６６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】容易にコンタクト抵抗を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に多結晶シリコン膜を形成し、その後、この多結晶シリコン膜の表面をエッチングする。そして、エッチングされた多結晶シリコン膜をシリサイド化して、シリサイド膜１２を形成する。更に、シリサイド膜１２に接するプラグ２３ｓ、２３ｄ及び２３ｇを層間絶縁膜２１内に形成する。 （もっと読む）

【課題】データ消去後の再書き込みが可能な記憶装置のデータを効率的に管理する。
【解決手段】管理サイズのデータの記憶領域に含まれる１以上の書き込みサイズの記憶領域に対応して保持され、それぞれの書き込みサイズの記憶領域にデータが書き込まれているか否かを示す割当情報を格納する割当情報格納部と、書き込みサイズの記憶領域を複数に分割した分割書き込みサイズの記憶領域に対応して保持され、それぞれの分割書き込みサイズの記憶領域のデータの有効性を含む分割使用情報を格納する分割使用情報格納部と、処理装置が記憶装置との間でデータを読み出しまたは書き込みするときのデータの格納先を識別する論理識別情報とデータが記憶装置内に格納されるときの格納位置との関係を示すアドレス情報を保持するアドレス情報格納部と、を備える。 （もっと読む）