【課題】画像から取得される欠陥から目的欠陥を抽出するための検査方法を提供する。
【解決手段】複数の検査対象領域の画像データを取得し、前記複数の検査対象領域のうち同じ構造を形成する領域同士の同じ位置の輝度を比較して輝度の差から輝度差分布を求め、前記複数の検査対象領域のそれぞれにおいて、優先的に検査をしたい優先検出領域の閾値がその他の領域の閾値よりも低くなるよう閾値分布を設定し、前記輝度差分布のうち前記閾値分布以上になる位置を目的欠陥発生位置と判定する、処理を有する。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定に動作する半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置は、基板１１内に形成された第１導電型のウェル１３と、ウェル１３上にゲート絶縁膜１７を介して配置されるゲート電極１８と、ゲート電極１８を挟んで基板１１内に対向して配置される第２導電型のソース領域１５及びドレイン領域１６と、基板１１内にソース領域１５と隣接して配置され、ウェル１に電気的に接続される第１導電型のウェルタップ１９と、ウェル１３とウェルタップ１９とに接し、ウェル１３よりも不純物濃度が高く、第１導電型を有するポケット領域２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】スペクトラム拡散クロックに基づき動作する第1の回路ユニットとPLLクロックに基づき動作する第2の回路ユニットとの間で通信を行う場合，クロック乗り換え処理によるデータ通信のレイテンシを小さくし，単位時間当たりのデータ通信量の低下を防止する電子機器を提供する。
【解決手段】検出部5は，スペクトラム拡散クロックの周波数とPLLクロックの周波数との周波数差が第1の所定範囲内か否かを検出する。バスブリッジ部3は，周波数差が第1の所定範囲内の場合に，第1の回路ユニット1と第2の回路ユニット2との間で同期通信を実行し，周波数差が第1の所定範囲外の場合に，第1の回路ユニット1と第2の回路ユニット2との間で非同期通信を実行する。 （もっと読む）

【課題】回路検証に用いるシナリオ等のプログラムを効率的に開発する。
【解決手段】コンピュータが、検証対象に対する命令を記述したシナリオ（Ｓ６５）の所定記述部分の命令実行を制限する制限情報を含んだ設定制限リスト（Ｓ６７）を用い、その内容を示すシナリオチェッカ（Ｓ６９）を生成する。コンピュータは、検証対象のシミュレーション（Ｓ７４）において、シナリオ（Ｓ６５）の上記所定記述部分の命令実行時に、シナリオチェッカ（Ｓ６９）を用いて当該命令が制限情報を含むか否かチェックし、その結果（Ｓ７５）を出力する。 （もっと読む）

【課題】コイルのインダクタンス値の変動に伴って位相余裕が小さくなることを抑制できる電源装置を提供する。
【解決手段】ＤＣ−ＤＣコンバータ１のコンバータ部２は、入力電圧Ｖｉが供給されるトランジスタＴ１と、トランジスタＴ１と出力電圧Ｖｏを出力する出力端子Ｐｏとの間に接続されたコイルＬ１とを有している。また、ＤＣ−ＤＣコンバータ１の制御回路３は、参照電圧ＶＲ１にスロープを付加するコンデンサＣ３及びスイッチ回路ＳＷ１と、出力電圧Ｖｏに応じた帰還電圧ＶＦＢと上記スロープが付加された参照電圧ＶＲ１との比較結果に応じたタイミングでトランジスタＴ１をスイッチングする制御部とを有している。さらに、制御回路３は、コイルＬ１に流れるコイル電流ＩＬを微分した結果に基づいて、参照電圧ＶＲ１のスロープのスロープ量を調整する検出回路４０及び電流源２１を有している。 （もっと読む）

【課題】電解めっき法によるＣｕ膜の確実に析出させる。
【解決手段】抑制剤と促進剤を添加しためっき液とシリコン基板の相対速度が１００ｍ／分以上になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板をめっき槽に浸漬させる。抑制剤の分子がシード層の表面に吸着し、シード溶解が抑制される。導電膜を成長させるときは、シリコン基板とめっき液の相対速度が３０ｍ／分以下になる速度でシリコン基板を回転させながら、シリコン基板とアノード電極の間に通電する。ボトムアップ成長が促進され、配線溝内での空孔の形成が防止される。 （もっと読む）

【課題】受信性能を向上させることができる復調回路、復調方法および受信装置の提供を図る。
【解決手段】受信信号を復調した復調信号を用いて、硬判定処理を行う硬判定処理部７１，７４，７７と、前記復調信号の遷移個所に対する割り当て範囲を決定し、ビットの尤度値を算出して軟判定処理を行う軟判定処理部７２，７５，７８と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反応生成物の付着を抑制し得る真空ポンプの運転方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】吸気口３０と排気口３４とを有するケーシング２２と、吸気口と排気口との間のケーシングの内部空間３６内に設けられたロータ３８と、ロータを回転させるモータ４４とを有する真空ポンプ２２の運転方法であって、加熱されたパージガスを、内部空間に達する孔４６を介して内部空間内に導入しながら運転を行う。 （もっと読む）

【課題】データを取り込むタイミングを調整すること。
【解決手段】メモリインタフェース回路１２のマスク生成部３７は、データ列ＤＱと同期したストローブ信号ＤＱＳ（内部ストローブ信号ＩＲＳ）に基づいて、データ列ＤＱを受け取る期間に応じた内部マスク信号ＣＫＭを生成する。ＤＬＬ回路４１は、レジスタ４１ａの設定値に応じて内部クロック信号ＣＫ２を遅延した内部クロック信号ＣＫＳを生成する。フリップフロップ回路３３，３４は、アンド回路３８により内部マスク信号ＣＫＭと内部クロック信号ＣＫＳを合成した内部ストローブ信号ＣＳＴに応じて受信データ列ＲＤＱをラッチする。調整回路５０は、ＤＬＬ回路５１，５２の出力信号に基づいて、内部マスク信号ＣＫＭと内部ストローブ信号ＣＳＴの位相関係を検出し、レジスタ４１ａの設定値を更新して内部ストローブ信号ＣＳＴの位相を調整する。 （もっと読む）