説明

富士通セミコンダクター株式会社により出願された特許

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【課題】 入力電圧から出力電圧への電圧変換経路にローパスフィルタを備える構成により、入力電圧の過渡的な変動が抑制され安定した定電圧を出力することが可能な定電圧回路、定電圧供給システム、および定電圧供給方法を提供すること
【解決手段】 PMOSトランジスタM1のゲート端子に入力される入力電圧信号VINは、定電流源ISによりPMOSトランジスタM1のソース端子を介して流されるバイアス電流I1に応じて、ソース端子においてPMOSトランジスタM1のゲート・ソース間電圧でレベルシフトされた電圧値に変換される。変換された電圧は、容量素子C1を経てソースフォロア回路から出力される。入力電圧信号VINからソースフォロア回路に至る信号経路には、PMOSトランジスタM1のインピーダンスと容量素子C1とによりローパスフィルタが構成される。 (もっと読む)


【課題】パイプライン処理と逐次処理とを同時に実行可能な動的に回路構成が再構成可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】外部プログラムのデコード結果に応じて回路構成が再構成可能な複数の処理部を備えた半導体装置にて、第1動作モードでは、第1処理部に内部プログラムを記憶し、第2処理部にて内部プログラムの命令をデコードして制御信号を生成し、第3処理部がその制御信号を受けて処理を実行し、第2動作モードでは、第1〜第3処理部が外部プログラムのデコード結果に応じた処理を実行するようにして、第1動作モードでは、複数の処理部のうちの第1〜第3処理部を用いて逐次処理を実行するとともに、残りの処理部によりパイプライン処理を実行することにより、パイプライン処理と逐次処理とを同時に実行できるようにする。 (もっと読む)


【課題】MPEG2のデコーダ1にH.264の半二重方式のトランスコーダ2を付加したシステムにおいて、録画と再生が同時に並行して行えるようにすることを目的とする。
【解決手段】第1の方式(MPEG2)映像データをデコードするデコーダ1と、デコーダからのMPEG2映像データを第2の方式(H.264)映像データにエンコードしてデコーダ1に出力すると共に、デコーダからのH.264映像データをデコードしてデコーダに出力する半二重方式のトランスコーダ2と、を備え、デコーダが、MPEG2及びH.264映像データの入出力を行う映像データ録画再生装置であって、デコーダ1は、H.264映像データを入力または出力する場合に、MPEG2映像データを並列に入力または出力する。 (もっと読む)


【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層11と層間絶縁膜12とが順に形成され、層間絶縁膜12にトレンチ溝13とトレンチ溝13中に配線層11に達するビア孔14とが形成され、トレンチ溝13とビア孔14と層間絶縁膜12との表面に金属膜15が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔14の底部の金属膜15をエッチングするとともに、全面に金属膜16が成膜されて、さらに、ビア孔14の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔14とトレンチ溝13とを導電性材料17aで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体素子21が半導体素子21の主面に固着された接着部材31を介して半導体素子20上に積層され、半導体素子20搭載領域に於いて、接着部材31の半導体素子20と接する側の面積を半導体素子21と接する側の面積よりも大なるものとし、半導体素子21並びに接着部材31の側面に傾斜構造を備える。当該傾斜構造により、封止用樹脂50のトランスファー成形の際、積層された半導体素子20、21間に、封止用樹脂50中の無機フィラーが侵入せず、半導体装置としての信頼性が向上する。 (もっと読む)


【課題】回路規模を大きくすることなく、ジッタ量の測定精度を高くする。
【解決手段】ストローブ発生部2は、許容ジッタ値に相当するパルス幅を有するクロック信号FRを入力して、クロック信号FRを基準に、位相の異なる複数のストローブ信号Stb1〜Stbnを出力し、タイミング検出部3は、トリガ選択部5によってトリガ信号Fとして選択されたストローブ信号Stb1〜Stbnのいずれか一つに基づいて、被試験信号CKのエッジタイミングを検出し、ジッタ判別部4は検出されたエッジタイミングが許容ジッタ値の範囲内か否かを判別する。トリガ選択部5は、ジッタ判別部4でエッジタイミングが許容ジッタ値の範囲外と判定された場合、別のストローブ信号Stb1〜Stbnをトリガ信号Fとして選択して出力する。 (もっと読む)


【課題】アナログ信号選択回路において、アナログスイッチの寄生容量や寄生抵抗を介して信号経路に漏れ込む雑音を低減するとともに、増幅器の雑音に対するノイズゲインを小さくすること。
【解決手段】複数のアナログ信号のそれぞれを入力信号として選択するか否かを切り換える第1のスイッチ手段24、アナログ信号の基準電圧を入力信号として選択するか否かを切り換える第2のスイッチ手段25、および第1のスイッチ手段24の出力信号と第2のスイッチ手段25の出力信号を差動加算する差動入力増幅器27を備える。第1のスイッチ手段24の各信号経路の増幅度と第2のスイッチ手段25の各信号経路の増幅度が概ね同じである。また、第1のスイッチ手段24の導通状態となるスイッチの数と第2のスイッチ手段25の導通状態となるスイッチの数が同じである。 (もっと読む)


【課題】強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の歩留まりを向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第1層間絶縁膜11の上に第1導電膜23を形成する工程と、第1導電膜23の上に、結晶化した第1強誘電体膜24bを形成する工程と、第1強誘電体膜24bの上に、非晶質の第2強誘電体膜24cを形成する工程と、第2強誘電体膜24cに付着している不純物を除去する工程と、不純物を除去した後、第2強誘電体膜24cの上に第2導電膜25を形成する工程と、第2導電膜25を形成した後、第2強誘電体膜24cを結晶化させる工程と、第1、第2導電膜23、25及び第1、第2強誘電体膜24b、24cをパターニングすることにより、下部電極23a、キャパシタ誘電体膜24a、及び上部電極25aを備えたキャパシタQを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 (もっと読む)


【課題】表面の面方位が{011}であり、製造コストが低く、接合強度が十分であって、高速動作のp型トランジスタの製造に好適な半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表面の面方位が{011}の第1の基板40の直上に、エピタキシャル層41を形成する。このとき、基板のエッジロールオフを相殺するように、すなわちエピタキシャル層41の端部の厚さが他の領域の厚さよりも若干厚くなるように、エピタキシャル層41を形成する。次に、エピタキシャル層41に水素イオンを注入し、第2の基板(ベース基板)45と張り合せる。その後、水素濃度が高い部分でエピタキシャル層41を劈開する。これにより、第2の基板45上に{011}シリコン単結晶層41が設けられた半導体基板46が得られる。一方、劈開後に残った第1の基板40は、その表面を研磨して再使用する。 (もっと読む)


【課題】簡便に高精度でフォーカス変動量を測定する。
【解決手段】ピボタル特性パターンの形状値を計測し(ステップS1)、その測定値から露光量の変動を検出する。形状値の測定結果を用いて第1のデータベースにアクセスし(ステップS2)、露光量を算出する(ステップS3)。続いて、孤立パターンの形状値を測定し(ステップS4)、測定結果から第2のデータベースにアクセスし(ステップS5)、算出された適正露光量を用いてフォーカス変動量を決定する(ステップS6)。 (もっと読む)


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