【課題】ＧａＮ系半導体を用い耐圧の異なるトランジスタを作り分ける。
【解決手段】基板１上方に第１、第２ＧａＮ系半導体層３，４、電極層５、第１絶縁膜６を積層し、電極層５及び第１絶縁膜６をパターニングして、第１ゲート電極５と第１絶縁膜６が積層された第１構造と、第２ゲート電極５と第１絶縁膜６が積層された第２構造を形成し、第１、第２構造を覆って第２絶縁膜７を形成し、第１ゲート電極５とその両側領域を露出する第１開口８ＳＤ、第２ゲート電極５を挟んでそれぞれ一方側、他方側に配置された第２、第３開口８Ｓ，８Ｄを有する第１マスクを用いて、第２絶縁膜７を異方性エッチングし、第１開口内８ＳＤにおいて、第１構造の側面上にサイドウォール絶縁膜７ＳＷを残しつつ、第１ゲート電極を挟んでコンタクトホール９Ｓ，９Ｄを形成し、第２、第３開口内に、それぞれコンタクトホール９Ｓ，９Ｄを形成し、各コンタクトホールに電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】増幅トランジスタのトランスコンダクタンスｇｍの変動を抑制する。
【解決手段】バイアス回路は，第１のドレイン電流を生成する第１のトランジスタと，第２のドレイン電流を生成する第２のトランジスタと，直列に接続された複数の抵抗素子を有し，複数の抵抗素子に前記第２のドレイン電流と第１のドレイン電流の差電流が供給され，複数の抵抗素子間の複数のノードにそれぞれ対応する電圧を生成する抵抗回路とを有する。そして，抵抗回路の第１のノードの第１の電圧が第１のトランジスタのゲートに印加され，第２のノードの第２の電圧が第２のトランジスタのゲートに印加され，第１，第２のノードと異なる第３のノードの第３の電圧がバイアス電圧として出力される。 （もっと読む）

【課題】より小さな消費電力で、端末が基地局と通信できるか否かを判断可能な通信装置を提供する。
【解決手段】基地局が発信しているフレームデータを抽出し、フレームデータのヘッダに格納されている、使用帯域に関するパラメータを得る。基地局が使用可能な全帯域から、既に使用されている帯域を引き、空きの帯域を計算する。自端末が使用したい帯域が空きの帯域に収容可能か否かを判断する。収容可能な場合には、基地局と通信可能であるので、端末は、基地局と通信を行うためのネットワークエントリシーケンスを走らせる。 （もっと読む）

【課題】 論理ゲートの一方の入力を含む信号パスの遅延故障と、論理ゲートの他方の入力を含む信号パスの遅延故障とを、１つの制御点により検出する。
【解決手段】 第１および第２ユーザロジックと、第１ユーザロジックの出力に接続される第１入力を有する第１論理ゲートと、第１論理ゲートの出力に接続された第３ユーザロジックと、第２ユーザロジックと第１論理ゲートとの間に挿入された制御点とを有する。制御点は、第１または第３ユーザロジックの第１スキャンフリップの１つのデータ出力がデータ入力に接続された第２スキャンフリップフロップと、一対の入力が第２スキャンフリップフロップのデータ出力および第２ユーザロジックの出力にそれぞれ接続され、出力が第１論理ゲートの第２入力に接続された第２論理ゲートとを有する。 （もっと読む）

【課題】汎用性を有し、高速で動作する半導体装置を検査できる検査装置を提供する。
【解決手段】検査装置は、第1貫通電極24bと、テスト信号を生成する信号生成ユニット30とを有する第1半導体基板24と、複数の接触子60を有するプローブ基板27と、第2貫通電極25bと、複数の接触子60と信号生成ユニット30との間の信号経路をプログラム可能に設定するスイッチマトリックス20eとを有する第2半導体基板と、を備え、第1半導体基板24と第2半導体基板25とは積層されており、第1貫通電極24bは、信号生成ユニット30が生成したテスト信号をスイッチマトリックス20eに伝達し、第2貫通電極25bは、スイッチマトリックス20eによって経路設定されたテスト信号を所定の接触子60に伝達し、信号生成ユニット30から、着脱自在に接続される電気的接続部を介さずに、接触子60にテスト信号が伝達される。 （もっと読む）

【課題】複雑なバイアス回路を使用せず，抵抗の温度依存性を補償可能なMCU搭載に適したCR発振回路またはLC発振回路を提供する。
【解決手段】マイクロコントローラは，ＣＰＵと，ＣＰＵに供給するクロックを生成しクロックの周波数が周波数調整信号に応じて可変制御される発振回路と，温度を検知する温度センサと，温度センサにより検知される温度が所定温度変動したことに応答してＣＰＵにより実行される周波数調整プログラムと，周波数調整信号と発振回路の発振周波数との関係を示す調整信号対周波数関係データと，温度と前記発振回路の発振周波数との関係を示す温度対周波数関係データとを格納するメモリとを有する。そして，周波数調整プログラムがＣＰＵにより実行されることで，ＣＰＵが，温度対周波数関係データと調整信号対周波数関係データとに基づいて，温度センサにより検知される現在温度に応じて，発振回路の発振周波数を目標の周波数に制御する周波数調整信号を演算し，演算した周波数調整信号が発振回路に設定される。 （もっと読む）

【課題】放射線耐性能力をさらに向上することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１の上方に形成された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２の上方に形成され、下部電極１７と上部電極１９に挟まれる強誘電体膜１８を有するキャパシタＱと、キャパシタの上に形成される第２絶縁膜２６と、を有し、第１絶縁膜１２と下部電極１７の間に、Ｐｂ又はＢｉが添加された結晶を持つ絶縁材料膜から形成される第３絶縁膜１６、３８と、
を有する。 （もっと読む）

【課題】オープンビット線方式における電源ノイズの影響を低減した半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶装置は，列方向に両側に延びる一対のビット線に接続するセンスアンプを列方向に直交する行方向に複数配置したセンスアンプ群が列方向に複数配置され，列方向に隣接するセンスアンプ群それぞれに接続される複数のビット線が互いに平行に配置され，列方向の両端に配置されたセンスアンプ群に接続された一対のビット線のうち列方向の両端側の複数のビット線にそれぞれ平行に配置された複数の未使用ビット線を有し，複数のワード線が行方向に配線され，複数のビット線及び複数の未使用ビット線と複数のワード線との交差位置にメモリセルが配置されたメモリセルアレイと，メモリセルアレイの列方向の一端に配置され，複数のセンスアンプ群に内部電源を内部電源線を介して供給する内部電源回路とを有し，未使用ビット線は内部電源配線に接続されている。 （もっと読む）

【課題】複数の比較器に対して両端の閾値を適切な値に設定すると共にその間の閾値を等間隔に設定可能である半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路は、入力電圧と閾値とをそれぞれ比較する第１乃至第Ｎの比較器と、第１乃至第Ｎの比較器のうちの第１及び第Ｎの比較器について閾値設定動作を実行するとともに、第１乃至第Ｎの比較器のうちの第２乃至第Ｎ−１の比較器について閾値更新動作を複数回実行する制御回路とを含み、閾値設定動作により、第１及び第Ｎの比較器の閾値は、第１及び第Ｎの比較器による入力電圧と閾値との比較結果に応じて、それぞれ入力電圧の下限値近傍及び上限値近傍に設定され、閾値更新動作により、１＜Ｍ＜Ｎである第Ｍの比較器の更新後の閾値は、第１乃至第Ｎの比較器の並び順においてＭ番目の位置の近傍にある複数の比較器の閾値の重み付け平均値に等しく設定される。 （もっと読む）

【課題】レジスト層、中間層、レジスト層のパターン形状をさらに良好にする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】下層フォトレジスト７、無機材料の中間層８、上層フォトレジスト９を形成し、上層フォトレジスト９をパターニングして上層レジストパターン9aを形成し、半導体基板１をチャンバー内の下部電極上に設置し、チャンバー内に二酸化硫黄ガス、酸素ガスを有する第１反応ガスを導入してプラズマを発生させるとともに下部電極への高周波電力の供給を切断して上層レジストパターン9aをトリミングし、第１反応ガスを第２反応ガスに置換するとともに下部電極に高周波電力を供給して上層レジストパターン9aをマスクにして中間層８をエッチングして中間層パターン8aを形成し、第２反応ガスを第３反応ガスに置換してプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を供給して中間層パターン8aをマスクにして下層フォトレジスト層７をエッチングする。 （もっと読む）