【課題】OFDMシンボル間のデータ干渉を回避できるOFDM送信装置を提供することにある。
【解決手段】変調波を送信する送信装置において、複数の送信信号を逆フーリエ変換して互いに直交する周波数関係にある複数の搬送波信号を含む有効シンボルを生成し、有効シンボルの第１端から第１の期間の信号をガードインターバルとして有効シンボルの第１端と反対側の第２端に付加したOFDMシンボルを順次生成するOFDMシンボル生成部と、OFDMシンボルが有する複数のサンプリング点のデータ列を、規定のタップ数の第１のデータ列毎に順次畳込み演算する畳込みフィルタとを有し、畳込みフィルタは、前記有効シンボルの第１端のデータ列を含む前記第１のデータ列を畳込み演算する場合に、有効シンボルの第２端のデータ列を第１端のデータ列に周期的に付加した第１のデータ列を畳込み演算する送信装置。 （もっと読む）

【課題】チップ全体の密度検証においてマクロセル部分での設計規則違反の判定を出さないようにすること。
【解決手段】検証エリアの内側と外側に内側補助区画と外側補助区画とをそれぞれ設定し（ステップＳ１９）、内側補助区画のパターン占有面積に外側補助区画のパターン占有面積を加味した検証エリアのパターン密度Ｄ２が密度基準を満たすか否かを判定する（ステップＳ２０）。 （もっと読む）

【課題】
被測定クロックの周期または周波数を高精度に計測する周波数計測回路を提供する。
【解決手段】
周波数測定回路は，被測定クロックの被測定エッジをカウントするカウンタと，基準クロックの基準エッジに応答して，前記カウンタのカウント値を記憶するカウンタラッチ回路と，直列に接続された複数の基本遅延回路を有し，前記被測定クロックを初段の前記基本遅延回路に入力して伝搬させる遅延回路と，前記基準エッジに応答して，前記遅延回路の複数の基本遅延回路の出力をそれぞれラッチする複数の遅延ラッチ回路と，前記遅延ラッチ回路がラッチした前記複数の基本遅延回路の出力に基づいて，前記被測定クロックの前記被測定エッジの前記遅延回路内での位置を検出するエッジ検出回路と，２つの基準エッジ間の前記カウント値と，前記２つの基準エッジでの前記第１のエッジ検出回路が検出する前記被測定エッジの位置情報とから，前記被測定クロックの周期または周波数を演算する演算器とを有する。 （もっと読む）

【課題】低コストで容易に検証プロパティの信頼性を向上させることが可能な検証プロパティ開発支援方法及び検証プロパティ開発支援装置を提供することを目的とする。
【解決手段】検証プロパティの開発を支援する検証プロパティ開発支援方法であって、前記検証プロパティをグループ化するグループ設定手順と、同一グループ内の前記検証プロパティにおいて、各検証プロパティで検証される所定条件が同時期に不成立となるか否かを判定する判定手順と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極に対する不純物の突き抜けを抑止する。
【課題を解決するための手段】半導体装置の製造方法は、基板上方に成膜した多結晶シリコンをエッチングして基板の第１領域上方に第１ゲート電極を形成し、基板の第２領域上方に第２ゲート電極を形成し、第１領域及び第１ゲート電極を覆う第１パターンを形成し、第２ゲート電極及び第１パターンをマスクにして第２領域に第１不純物を第１ドーズ量で注入して第２領域に第１エクステンション領域を形成し、第１ゲート電極、第１領域及び第２ゲート電極の上面を露出させた第２パターンを形成し、第１エクステンション領域を覆い、第１ゲート電極、第２ゲート電極及び第２パターンをマスクにして第１領域に第２不純物を第１ドーズ量よりも多いドーズ量で注入して第１領域に第２エクステンション領域を形成するとともに、第１ゲート電極及び第２ゲート電極の少なくとも上部をアモルファス化する。 （もっと読む）

【課題】 積み重ねた半導体素子用トレイ自体を相互に固定することを可能にし、半導体素子の飛散、トレイ枚数に関する制約などを生じさせるクリップ等の別個の固定手段を不要とする。
【解決手段】 トレイ１０は、半導体素子４０を収容するポケット１３を有する。トレイ１０は更に、上面側に第１の嵌合部１５を有し、底面側に第２の嵌合部１６を有する。複数のトレイ１０を積み重ねるとき、下段のトレイと上段のトレイとを接触させながら相対的にスライドさせることにより、下段のトレイの第１の嵌合部１５と上段のトレイの第２の嵌合部１６とが嵌合し、上段のトレイと下段のトレイとが固定される。 （もっと読む）

【課題】基板の反りを抑制して半導体装置の信頼性の向上を図る。
【解決手段】樹脂材１２１と樹脂材１２２とを含む層１２０を備えた基板１００と、基板１００の主表面１０１の上方に搭載された半導体素子７００と、基板１００の主表面１０１の上方に、半導体素子７００を覆って形成された封止樹脂層１１００と、を有し、樹脂材１２２と封止樹脂層１１００との熱膨張係数の差は、樹脂材１２１と封止樹脂層１１００との熱膨張係数の差よりも小さく、半導体素子７００の外縁７０３は、樹脂材１２２の上方に位置している。 （もっと読む）

【課題】樹脂により囲まれる球状のはんだを良好に端子に接続するための半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】一面に半導体素子が搭載されて樹脂封止された基板１のうち端子１ｂが露出する他面の上に、活性剤含有の熱硬化性樹脂膜８を形成する工程と、球状のはんだ９を熱硬化性樹脂膜８に押しつけて、端子１ｂに接触させる工程と、端子１ｂにはんだ９を押し当てた状態で、はんだ９に接触する領域の熱硬化性樹脂膜８に熱を加えて一部を半硬化する工程と、はんだ９を端子１ｂに押しつける力を解放する工程と、熱硬化性樹脂膜８の全体を加熱して、熱硬化性樹脂膜８の硬化率を上昇させるとともに、はんだ９を溶融して端子１ｂに接続する工程と、熱硬化性樹脂膜８の温度を下げるとともにはんだ９を硬化する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】
高温、長時間のアニールを必要とすることなく、低いオン抵抗を実現可能な高耐圧ＭＯＳトランジスタを含む半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体基板の高耐圧トランジスタ用第１導電型領域上にゲート電極を形成し、ゲート電極のドレイン側部分及びドレイン領域を覆う第１のマスクをイオン注入マスクとして、ゲート電極を貫通する加速エネルギで第１導電型の不純物イオンを注入して、ソース領域で深く、ゲート電極下方で浅いチャネルドーズ領域を形成し、ゲート電極のドレイン側部分及びドレイン領域を覆う第２のマスク及びゲート電極をイオン注入マスクとして第２導電型の不純物をイオン注入してソースエクステンション領域を形成し、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】小型で且つ運転が容易な有機ガス処理装置を提供すること。
【解決手段】紫外線を発生し、前記紫外線により光触媒に有機ガスを分解させる紫外線光源と、内壁が前記光触媒の皮膜で覆われ且つ前記紫外線を透す筒状体であって、前記紫外線光源を囲うように前記紫外線光源の長手方向に沿って配置され、且つ前記長手方向に延在する軸を中心に自転する複数の有機ガス光分解部と、複数の前記有機ガス光分解部を直列に連結して、前記有機ガス光分解部の連結構造体を形成する複数の連結管と、前記連結構造体の一端に設けられ、前記有機ガスを含むガスが流入する第１の開口部と、前記連結構造体の他端に設けられ、前記ガスが流出する第２の開口部とを有すること。 （もっと読む）