【課題】ウエハトゥウエハ積層法によって製造される半導体チップ積層体の歩留りを改善する。
【解決手段】第１の半導体チップ１１が複数形成された第１種の半導体ウエハ１０、および第２の半導体チップ３１が複数形成された第２種の半導体ウエハ３０が積層してなる半導体ウエハ積層体の製造方法であって、前記第１の半導体チップ各々の物理的または電気的特性が既知である前記第１種の半導体ウエハを複数用意し、前記第２の半導体チップ各々の物理的または電気的特性が既知である前記第２種の半導体ウエハを複数用意し、前記第１種の半導体ウエハ各々における前記第１の半導体チップ各々の物理的または電気的特性、および前記第２種の半導体ウエハ各々における前記第２の半導体チップ各々の物理的または電気的特性に基づいて、前記複数の第１種および第２種の半導体ウエハの中から、積層させる第１種および第２種の半導体ウエハの選定を行う。 （もっと読む）

【課題】電気的不具合の発生が抑えられた、高品質、高性能の半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０Ａは、基板１１の上方に配設された半導体素子１２と、半導体素子１２の上方に配設された熱伝導材１６と、熱伝導材１６の上方に配設された放熱体１７とを含む。放熱体１７は、半導体素子１２との対向領域の外側に配設されて基板１１側に突出する複数の突起１７ｂを有する。製造時に半導体素子１２上から熱伝導材１６が流出する場合でも、その流出する熱伝導材１６を突起１７ｂにより放熱体１７側に濡れ拡がらせ、基板１１側への熱伝導材１６の流出や飛散、それによる電気的不具合の発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】貫通電極の形成時スループットやコスト悪化を回避する。
【解決手段】シリコン基板１に、貫通電極用のホール２６を形成する。さらにホール２６
上を含んで絶縁膜２２，２３をエッチングして溝３５を形成する。この後、バリアメタル
層４１とシード層４２を積層させてから、ＣＭＰ法による研磨でホール２６の内壁及び溝
３５内のみにシード層４２を残す。シリコン基板１をめっき槽に浸漬させ、溝３５を介し
てホール２６内に電流を供給すると、ホール２６内と溝３５のみにＣｕ膜４７が成長する
。 （もっと読む）