説明

ラピスセミコンダクタ株式会社により出願された特許

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【課題】基板電位を安定化させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置に含まれるFET素子1は、N角形をなす外周端部30pと貫通孔を形作る内周端部30iとを有する環状のゲート電極30を備える。またFET素子1は、貫通孔の直下方に形成された内側不純物拡散領域21と、ゲート電極30のN角形の辺の外側に形成された外側不純物拡散領域22A〜22Dと、ゲート電極30の頂点の外側に形成されたバックゲート領域23A〜23Dとを備える。バックゲート領域23A〜23Dは、ゲート電極30のN角形の辺のうちゲート電極30の頂点をなす2辺の延長線Ex,Eyの少なくとも一方を跨るように形成されている。 (もっと読む)


【課題】利用者が顔を動かすことにより表示画面中の画像を移動させている際に、利用者が体勢等を変更しても、容易に表示画面の基準位置に該画像を配置させることができ、体勢変更後も画像の移動を容易に継続することができる。
【解決手段】利用者を撮像した撮像画像から利用者の顔の特徴部を検出すると共に、該利用者の顔の向きを検出し、該撮像画像から該利用者の予め定められた顔の向きが検出される毎に、該予め定められた顔の向きが検出されたときに検出された特徴部の位置を基準点としてRAM24に記憶し、RAM24に記憶された最新の基準点を基準とした特徴部の位置に基づいて、表示画面に表示された予め定められた画像が移動するように該画像の表示を制御し、上記予め定められた顔の向きが検出されたときに、表示画面の予め定められた基準位置に画像が配置されるように画像の表示を制御する。 (もっと読む)


【目的】製造上のバラツキに拘わらず高い精度で温度検出を行うことが可能な温度検出回路及びその調整方法を提供することを目的とする。
【構成】互いに独立したPN接合面を有する第1及び第2ダイオードと、第1ダイオードに直列に接続されており、第1オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第1可変分圧抵抗を含む第1電流路と、第2ダイオードに直列に接続されており、第2オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第2可変分圧抵抗を含む第2電流路と、第1可変分圧抵抗によって分圧された第1分圧電圧と第2電流路上の電位との差分を示す差分電圧を第1及び第2電流路各々に帰還供給しつつ差分電圧を基準電圧として出力する基準電圧生成部と、第2可変分圧抵抗によって分圧された第2分圧電圧に基づいて温度検出信号を生成する温度検出信号生成部と、を有する。 (もっと読む)


【課題】回路の大型化を抑制しつつ省電力化を図ることができる信号処理装置、半導体装置及び映像表示装置を提供する。
【解決手段】所定間隔毎に同期信号を有する映像信号が入力され、入力された映像信号を処理するAFE20の前段のクランプ部24にて同期信号を検出すると共に同期信号が検出された場合に映像信号の信号レベルを調整し、制御部25により、クランプ部24での検出結果に基づいてAFE20の消費電力を抑制するように制御する。 (もっと読む)


【目的】少ない外部端子によって、半導体メモリ装置に構築されているメモリが故障しているか否かの製品出荷時のテスト及びその故障要因を特定することが可能な半導体メモリ装置及びそのテスト方法を提供することを目的とする。
【構成】半導体メモリ装置に構築されているメモリが読出指令に応答したか否かを判定し、メモリが読出指令に対して非応答であった場合にはメモリから読み出されたメモリデータに代えてエラーコードを外部出力する。 (もっと読む)


【課題】電源電圧の変動を伴うノイズに対して、入力される信号に応じた入力端子の種別によってそれぞれ異なる手法を用いることによりノイズ耐性が装置内で向上する。
【解決手段】外部回路12から入力端子20を介してノイズ除去回路24に発振信号が入力される。電源ノイズにより電源電圧が変動した場合は、ノードBにLレベルパルスのグリッチが発生し出力信号が反転する。OR回路48には、当該出力信号と、遅延回路46により遅延されてグリッチ(反転)のタイミングがずれた遅延信号と、が入力されるため出力信号は、反転せずHレベルを保つ。一方、外部回路14から入力端子22を介してノイズ除去回路26に遅延に関する制限が厳しい高周波の発振信号が入力される。シュミット回路52の入力と出力との間に接続された容量素子C7により、ノードAが電源電圧に追従して変動するため、ノードBにグリッチが発生せず、反転せずにHレベルを保つ。 (もっと読む)


【課題】RAMへのアクセス競合が発生した場合であっても、両アクセスを有効なものとして応答可能なRAM記憶装置を提供する。
【解決手段】
制御信号に応じてクロック信号による1のサイクル内において2つのインターフェースのうちの一方に到来したアクセスをRAMに供給する選択部と、当該制御信号に応じて当該インターフェースのうちの他方に到来したアクセスを少なくとも当該1のサイクルに続く次のサイクルまで記憶する記憶部と、を含み、当該選択部は、当該次のサイクル以降において当該記憶部に記憶されているアクセスを当該RAMに供給する。 (もっと読む)


【課題】スルーホールの底部における突起の形成を防止して、半導体装置の品質を安定させる手段を提供する。
【解決手段】配線層5と、該配線層上に形成された金属窒化膜8とを覆う層間絶縁膜9とを形成した半導体ウェハに、層間絶縁膜を貫通し金属窒化膜に達するスルーホール10を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、スルーホールを形成する工程は、層間絶縁膜上に、レジストマスク18を形成する工程と、半導体ウェハを第1の温度とし、異方性エッチングにより層間絶縁膜をエッチングする第1のエッチング工程と、半導体ウェハを、第1の温度より高い第2の温度とし、レジストマスクをそのまま用いて、異方性エッチングにより金属窒化膜の上表面をエッチングする第2のエッチング工程と、レジストマスクを除去する工程と、を備え、第1のエッチング工程と、第2のエッチング工程で用いるエッチングガスとを同一とする。 (もっと読む)


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