【課題】利用者が顔を動かすことにより表示画面中の画像を移動させている際に、利用者が体勢等を変更しても、容易に表示画面の基準位置に該画像を配置させることができ、体勢変更後も画像の移動を容易に継続することができる。
【解決手段】利用者を撮像した撮像画像から利用者の顔の特徴部を検出すると共に、該利用者の顔の向きを検出し、該撮像画像から該利用者の予め定められた顔の向きが検出される毎に、該予め定められた顔の向きが検出されたときに検出された特徴部の位置を基準点としてＲＡＭ２４に記憶し、ＲＡＭ２４に記憶された最新の基準点を基準とした特徴部の位置に基づいて、表示画面に表示された予め定められた画像が移動するように該画像の表示を制御し、上記予め定められた顔の向きが検出されたときに、表示画面の予め定められた基準位置に画像が配置されるように画像の表示を制御する。 （もっと読む）

【課題】基板電位を安定化させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置に含まれるＦＥＴ素子１は、Ｎ角形をなす外周端部３０ｐと貫通孔を形作る内周端部３０ｉとを有する環状のゲート電極３０を備える。またＦＥＴ素子１は、貫通孔の直下方に形成された内側不純物拡散領域２１と、ゲート電極３０のＮ角形の辺の外側に形成された外側不純物拡散領域２２Ａ〜２２Ｄと、ゲート電極３０の頂点の外側に形成されたバックゲート領域２３Ａ〜２３Ｄとを備える。バックゲート領域２３Ａ〜２３Ｄは、ゲート電極３０のＮ角形の辺のうちゲート電極３０の頂点をなす２辺の延長線Ｅｘ，Ｅｙの少なくとも一方を跨るように形成されている。 （もっと読む）

【目的】製造上のバラツキに拘わらず高い精度で温度検出を行うことが可能な温度検出回路及びその調整方法を提供することを目的とする。
【構成】互いに独立したＰＮ接合面を有する第１及び第２ダイオードと、第１ダイオードに直列に接続されており、第１オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第１可変分圧抵抗を含む第１電流路と、第２ダイオードに直列に接続されており、第２オフセット調整信号に応じて分圧抵抗比が可変な第２可変分圧抵抗を含む第２電流路と、第１可変分圧抵抗によって分圧された第１分圧電圧と第２電流路上の電位との差分を示す差分電圧を第１及び第２電流路各々に帰還供給しつつ差分電圧を基準電圧として出力する基準電圧生成部と、第２可変分圧抵抗によって分圧された第２分圧電圧に基づいて温度検出信号を生成する温度検出信号生成部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路の大型化を抑制しつつ省電力化を図ることができる信号処理装置、半導体装置及び映像表示装置を提供する。
【解決手段】所定間隔毎に同期信号を有する映像信号が入力され、入力された映像信号を処理するＡＦＥ２０の前段のクランプ部２４にて同期信号を検出すると共に同期信号が検出された場合に映像信号の信号レベルを調整し、制御部２５により、クランプ部２４での検出結果に基づいてＡＦＥ２０の消費電力を抑制するように制御する。 （もっと読む）

【目的】少ない外部端子によって、半導体メモリ装置に構築されているメモリが故障しているか否かの製品出荷時のテスト及びその故障要因を特定することが可能な半導体メモリ装置及びそのテスト方法を提供することを目的とする。
【構成】半導体メモリ装置に構築されているメモリが読出指令に応答したか否かを判定し、メモリが読出指令に対して非応答であった場合にはメモリから読み出されたメモリデータに代えてエラーコードを外部出力する。 （もっと読む）

【課題】ＲＡＭへのアクセス競合が発生した場合であっても、両アクセスを有効なものとして応答可能なＲＡＭ記憶装置を提供する。
【解決手段】
制御信号に応じてクロック信号による１のサイクル内において２つのインターフェースのうちの一方に到来したアクセスをＲＡＭに供給する選択部と、当該制御信号に応じて当該インターフェースのうちの他方に到来したアクセスを少なくとも当該１のサイクルに続く次のサイクルまで記憶する記憶部と、を含み、当該選択部は、当該次のサイクル以降において当該記憶部に記憶されているアクセスを当該ＲＡＭに供給する。 （もっと読む）

【課題】電源電圧の変動を伴うノイズに対して、入力される信号に応じた入力端子の種別によってそれぞれ異なる手法を用いることによりノイズ耐性が装置内で向上する。
【解決手段】外部回路１２から入力端子２０を介してノイズ除去回路２４に発振信号が入力される。電源ノイズにより電源電圧が変動した場合は、ノードＢにＬレベルパルスのグリッチが発生し出力信号が反転する。ＯＲ回路４８には、当該出力信号と、遅延回路４６により遅延されてグリッチ（反転）のタイミングがずれた遅延信号と、が入力されるため出力信号は、反転せずＨレベルを保つ。一方、外部回路１４から入力端子２２を介してノイズ除去回路２６に遅延に関する制限が厳しい高周波の発振信号が入力される。シュミット回路５２の入力と出力との間に接続された容量素子Ｃ７により、ノードＡが電源電圧に追従して変動するため、ノードＢにグリッチが発生せず、反転せずにＨレベルを保つ。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの底部における突起の形成を防止して、半導体装置の品質を安定させる手段を提供する。
【解決手段】配線層５と、該配線層上に形成された金属窒化膜８とを覆う層間絶縁膜９とを形成した半導体ウェハに、層間絶縁膜を貫通し金属窒化膜に達するスルーホール１０を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、スルーホールを形成する工程は、層間絶縁膜上に、レジストマスク１８を形成する工程と、半導体ウェハを第１の温度とし、異方性エッチングにより層間絶縁膜をエッチングする第１のエッチング工程と、半導体ウェハを、第１の温度より高い第２の温度とし、レジストマスクをそのまま用いて、異方性エッチングにより金属窒化膜の上表面をエッチングする第２のエッチング工程と、レジストマスクを除去する工程と、を備え、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程で用いるエッチングガスとを同一とする。 （もっと読む）