説明

株式会社テラミクロスにより出願された特許

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【課題】EBG構造体が大型化せずとも、不要放射や表面伝播の抑制効果をより高める。
【解決手段】第一基板3の一方の面3aにグランド層4を形成し、第二基板10の一方の面10aにシード層27を形成した後、第一レジスト28をパターニングし、電解メッキにより第一レジスト28の開口29内に導体層22を成長させ、第一レジスト28の除去後に厚い第二レジスト30をパターニングし、電解メッキを行うことで第二レジスト30の開口31内に柱状導体24を成長させ、第二レジスト30の除去後にシード層27をエッチングによりパターニングし、第二基板10の一方の面10aに誘電体層17を形成し、誘電体層17の表面を研削することで柱状導体24の上面を露出させ、半田バンプ5により柱状導体24の上面とグランド層4を接合する。 (もっと読む)


【課題】特定の機能を備えた半導体装置の高集積化及び小型化を図ることができるとともに、部品実装に係る製造工程の簡略化や効率化を図ることができ、さらに、良好な回路特性を実現することができる半導体装置内蔵基板モジュール、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置内蔵基板モジュール10は、コア基板21に、ウエハレベルCSP構造の半導体装置30が内蔵された基板装置部20と、所望の機能を有する機能部であるコイル部50とが、一体的に形成されるとともに、コイル部50のコイルパターン51の端子部52が、半導体装置30を挟んで対向する位置に設けられた貫通電極23を介して、半導体装置30の柱状電極36に電気的に接続された構成を有している。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ等の半導体基板に反りが発生しないようにするとともに、封止性能が低下しないようにする。
【解決手段】 一方の面112に下層配線17が形成された半導体基板110の前記一方の面112と、フィルム材120と、を接着剤層119を介して接着し、半導体基板110の他方の面113に保護膜124を形成する。 (もっと読む)


【課題】耐エレクトロマイグレーション性を向上させた半導体装置及び半導体装置の実装構造を実現する。
【解決手段】半導体装置1における一対の電源端子31、32のうち、電子流入側の電源端子31に、複数(例えば2つ)の半田端子B1(12)を電気的に接続するようにして、各半田端子B1(12)に回路基板20の接続ランド22を接合する。そして、回路基板20の接続ランド22から複数の半田端子B1(12)に向けて電子を注入することで、電子が接続ランド22から半田端子B1(12)に流れ込む際に、半田端子12中の原子(例えば、スズ原子)と衝突することを緩和することによって、半田端子12部分でのボイド(空隙)の発生を低減して、耐エレクトロマイグレーション性を向上させるようにした。 (もっと読む)


【課題】絶縁膜上に下地金属層と上部金属層からなる配線を備えた半導体装置において、下地金属層のサイドエッチングによる絶縁膜と上部金属層との密着性の劣化を抑制することができる半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】配線本体16が形成される絶縁膜14の上面には、配線本体16のパターンに対応し、かつ、絶縁膜14の上面から所定の深さの凹部14aが設けられ、当該凹部14aを含む絶縁膜14上面に、配線の一部であり、かつ、密着層であるチタン薄膜15を介して配線本体16が設けられている。凹部14aの幅は、配線本体16の幅よりも狭くなるように設定される。チタン薄膜15は配線本体16の配線幅よりも狭く形成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体チップを内蔵した基板モジュールにおいて、当該半導体チップの上面側と下面側に設けられた配線層や電極を導通する構成を設けた場合であっても、基板モジュールの平面サイズを小型化することができるとともに、良好な回路特性を実現することができる半導体装置内蔵基板モジュール及びその実装構造並びにその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置内蔵基板モジュール10は、コア基板11に設けられた開口部11hに半導体装置20が埋め込まれ、コア基板11の上面側及び下面側に積層配線が設けられている。半導体装置20は、シリコン基板21の上面に形成された集積回路と、シリコン基板21の上面側及び下面側に設けられた配線層25a、25b、外部接続用の柱状電極26a、26b、第1、第2の封止層27a、27bと、シリコン基板21の上面側と下面側を導通し、配線層25a、25bに接続された貫通電極22cと、を有している。 (もっと読む)


【課題】バンプの疲労を抑えて、バンプの寿命を向上させる。
【解決手段】一方の面の上方に封止層25が設けられた半導体ウエハ111の封止層25の表面側に凹部25bを形成し、封止層25の弾性率よりも弾性率が低い低弾性材26を凹部25bに充填し、半導体ウエハ111の一方の面の上方にバンプ27を形成する。 (もっと読む)


【課題】外部接続用電極および該外部接続用電極を覆う封止層が設けられた半導体装置において、該半導体装置の両面側に外部接続用電極を設けた場合に、その平面サイズが半導体基板よりも大きくなることを抑制することができる半導体装置を提供するとともに、その半導体装置の製造方法、及び、その半導体装置の回路基板への実装構造を提供する。
【解決手段】半導体装置10には、シリコン基板11の上面11a及び下面11bに、貫通電極12cにより相互に接続された接続パッド12a、12bが設けられている。また、シリコン基板11の上面側及び下面側には、各接続パッド12a、12bに接続された配線15a、15b及び柱状の外部接続用電極16a、16bが各々設けられているとともに、当該外部接続用電極16a、16bの周側部を被覆し、かつ、端部が露出するように封止層17a、17bが各々設けられている。 (もっと読む)


【課題】バンプの疲労を抑えて、バンプの寿命を向上させる。
【解決手段】半導体装置1が、半導体基板11と、半導体基板11の一方の面の上方に設けられた封止層25と、封止層25の表面側に設けられた凹部26に充填され、封止層25よりも弾性率が低い低弾性材26と、半導体基板11の一方の面の上方に設けられたバンプ27と、を備える。 (もっと読む)


【課題】半田バンプにおけるクラックの発生を抑制して、回路基板との良好な電気的接続を得ることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板11の上面側に複数の柱状電極16及び封止層17が設けられ、封止層17の上面に各柱状電極16の上面が露出する半導体装置において、当該封止層17の上面に絶縁性のガイド層19が設けられているとともに、各柱状電極16に個別に接続され、その上部がガイド層19の上面から突出する外部接続用電極18が、複数設けられた構成を有している。ここで、外部接続用電極18の上部は、外部接続用電極18の周側面を覆うガイド層19の上方にはみ出さないように設けられている。 (もっと読む)


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