【課題】熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制することができ、ウェーハの表層部及びバルク部においてもＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させることができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法によりＶ／Ｇ値制御してＶ−リッチ領域からなる酸素濃度が０．８×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ｏｌｄ−ＡＳＴＭ）以下であるシリコン単結晶インゴットを育成し、前記育成されたシリコン単結晶インゴットを切断したＶ−リッチ領域からなる円板状のシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上２時間以下保持する第１の熱処理を行い、続いて、非酸化性ガス雰囲気中、１１００℃以上１２００℃以下の最高到達温度で３０分以上２時間以下保持する第２の熱処理を行うことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度の面内均一性を高めることができ、更には、ＢＭＤサイズの面内均一性も高めることができ、加えて、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して前記第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、前記第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、９００℃以上１２００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して前記第２の最高到達温度を保持した後、降温する第２の熱処理を行う工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェーハの製造時においてニッケル等の金属不純物が内方拡散された場合であっても、コストが大きく増加することなく、シリコンウェーハの表面のみならず、ウェーハ内部に含まれるニッケル等の金属不純物の低減を図ることができるシリコンウェーハの清浄化方法及びそれを用いたシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコンウェーハの清浄化方法は、ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中、発光波長を１０００ｎｍ以上に制御した光を照射するランプ加熱により、１００℃以上８００℃以下の最高到達温度まで昇温して、前記最高到達温度を１秒以上６０秒以下保持する熱処理を行うことで前記シリコンウェーハの表面に金属不純物を偏析させる工程と、前記偏析させた金属不純物を除去する工程と、を備える （もっと読む）

【課題】活性層の厚さを所望の規格内に容易に制御することができる接合ウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】支持用ウェーハと活性層用ウェーハとを接合し、接合体を形成し、面内複数個所の活性層の厚さを測定する。活性層の厚さの最大値から活性層規格値の最大値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最低限必要な研磨量である必要取り代を算出し、かつ、活性層の厚さの最小値から活性層規格値の最小値を減ずることで、研磨後の活性層の厚さが活性層規格値を満たすために最大限許容される研磨量である限界取り代を算出する。必要取り代、限界取り代および研磨レートから必要研磨時間と限界研磨時間を算出し、この間の研磨時間で接合体を研磨する。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引上速度を向上して結晶欠陥の発生を抑制し、且つ、結晶の有転位化を抑制できる単結晶引上装置の輻射シールドを提供する。
【解決手段】シリコン単結晶Ｃを包囲するようにルツボ上方に配置される輻射シールド６であって、円筒状の直胴部６ｂと、前記直胴部の下端から内側に湾曲し、下端部開口６ａを形成する下肩部６ｃとを有し、前記下端部開口の周縁部において、周方向の所定位置に、所定幅をもって径方向に突出すると共に、高さ方向に所定の厚さ寸法を有する熱遮蔽部材１０を備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＺ法により育成したウェーハのバルク部の直径方向におけるＢＭＤ密度、ＢＭＤサイズの面内均一性を高めることができ、ウェーハの表層部のＣＯＰを低減することができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により育成したシリコン単結晶インゴットからスライスされたシリコンウェーハを、酸化性ガス雰囲気中、１３２５℃以上１４００℃以下の範囲内の第１の最高到達温度まで昇温して第１の最高到達温度を保持した後、５０℃／秒以上２５０℃／秒以下の降温速度で降温する第１の熱処理を行う工程と、第１の熱処理を行ったシリコンウェーハを、非酸化性ガス雰囲気中、７００℃以上９００℃以下の範囲内の第２の最高到達温度まで昇温して保持した後、非酸化性ガス雰囲気中、第２の最高到達温度から１１００℃以上１２５０℃以下の範囲内の第３の最高到達温度まで昇温して第３の最高到達温度を保持した後、降温する。 （もっと読む）

【課題】安定したＳＰＶ信号が得られ、少数キャリアの拡散長を高精度かつ再現性よく測定することが可能なｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長測定の前処理方法を提供する。
【解決手段】表面光起電力法を用いて抵抗率０．１〜３０００Ωｃｍのｎ型シリコンウェハの少数キャリア拡散長を測定するための前処理方法であって、前記ウェハをフッ酸水溶液で処理する工程と、前記フッ酸水溶液での処理後の前記ウェハを純水で洗浄する工程と、洗浄後の前記ウェハを金属塩および過酸化水素を含む加温処理液で処理する工程と、前記加温処理液で処理後の前記ウェハを純水で洗浄する工程と、洗浄後の前記ウェハを１〜３０ｋＶの電位をもつポリプロピレンまたは石英から作られる凹形状を有する容器の密閉されていない内壁空間内に前記ウェハ全体が入るように設置して乾燥する工程とを含むことを特徴とする前処理方法。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶インゴットの育成効率を低下させることなく、熱処理装置の大型化、煩雑化を防止し、かつ、熱処理時におけるスリップ転位の発生を抑制し、ＣＯＰやＢＭＤ等の欠陥を低減させ、サーマルドナーの発生も抑制することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により窒素ノンドープにてＶ−リッチ領域を有する酸素濃度が０．８×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるシリコン単結晶インゴットを育成する工程と、Ｖ−リッチ領域からなる円板状のウェーハを作製する工程と、平坦化処理されたウェーハの少なくとも半導体デバイス形成面となる表面を鏡面研磨する工程と、不活性ガス含有雰囲気中、１１００℃以上１２５０℃以下の最高到達温度で、３０分以上２時間以下保持する第１の熱処理をした後、酸化性ガス雰囲気中、１１５０℃以上１２００℃以下の最高到達温度で５分以上１０時間以下保持する第２の熱処理をする。 （もっと読む）