【課題】簡便に締め込み量を増加させることができ、かつ様々な開閉扉に対応した使い勝手の良い増し締め機構付き密閉ハンドルを提供する。
【解決手段】扉１３側または扉１３が開閉自在に取り付けられた壁面１５側に取り付けられる台座２と、台座２の取付面２ａと反対の表面２ｂ側に立設され、一端３ａ側が台座２に回転自在に支承されているとともに、外周面に雄ねじ３ｃが螺設された調整軸３と、台座２の表面２ｂ側に配設され、調整軸３の雄ねじ３ｃに螺合する雌ねじ４ａが螺設されているとともに、外周面から外方に突出するストッパ部５が形成された操作部４とを備え、調整軸３と操作部４とには、操作部４を回転させた際に、調整軸３に係合して調整軸３を一体的に回転させるとともに、操作部４に対して調整軸３のみを回転可能とする係合部６が設けられている。 （もっと読む）

【課題】結晶中への気泡の混入をより高いレベルまで防ぐことができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る結晶成長方法は、固体原料を融解して溶融原料を製造する溶融工程の後、結晶を成長させる結晶成長工程の前に、溶融原料が突沸しない圧力まで減圧し、又は突沸しない温度まで昇温し、前記溶融原料に混入している気泡を前記溶融原料から放出させる脱気工程を有する。前記減圧による到達圧力は５〜２０Ｔｏｒｒが好ましい。前記溶融原料は予め融解された状態で結晶成長用坩堝に供給され、前記脱気工程は、前記溶融原料が前記結晶成長用坩堝に供給される前に行なわれてもよい。前記脱気工程において、前記溶融原料が攪拌されてもよく、この場合の攪拌は、前記溶融原料を収容する坩堝の上方に、前記溶融原料の液面に対し進退自在に設けられた石英棒で行われてもよい。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータや炉内カーボン部品の寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な結晶半導体を製出可能である結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液を、前記坩堝の底部から冷却して凝固させるとともに結晶半導体を成長させる結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記坩堝を底部から冷却して、前記半導体融液を凝固させるとともに結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ヒータ、石英坩堝、シリコン融液等からの熱を遮熱部材で効果的に遮断して、シリコン融液のシード浸漬部や育成途上結晶を確実に冷却でき、単結晶シリコンの成長を促進できるとともに、生産性を向上できる単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に、シリコン融液を貯留する有底筒状の坩堝と、前記坩堝の径方向外側に配置されたヒータとを備え、前記シリコン融液に浸漬したシードを引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造装置であって、前記坩堝の上方には、前記シードを囲むように筒状に形成された遮熱部材２４が配設され、前記遮熱部材２４は、黒鉛からなり内部に収容空間２５Ａが形成された第１部材２５と、前記収容空間２５Ａに収容された第２部材２６と、を有し、前記第２部材２６は、シード側とは反対側を向く面が光沢面２７Ａとされた反射板２７を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】地下水域が存在する場所の汚染土壌処理において、地下水の流動を阻害しない施工工法およびその処理構造体を提供する。
【課題の解決手段】汚染土壌の不溶化処理体を貫き、または不溶化処理体の下部に通水管が設置されており、該通水管の内部にはポーラスコンクリートが充填されており、さらに該通水管の両端は不溶化処理体より外側の地下水域に開口しており、通水管内部のポーラスコンクリートを通じて地下水が通水可能であることを特徴とする汚染土壌の処理構造体およびその施工方法。 （もっと読む）

【課題】地中の所要位置の地中流体サンプルの採取を確実に採取できるようにした。
【解決手段】外筒体１０で被覆された地化学サンプラーは鉱物流体反応ユニット１１と流体採取ユニット１２とバッファユニット１３を主要装置として構成されている。高圧にしたヘリウムガスの充満したサンプラーを帯水層２に掘削されたボーリング孔９に挿入する。ボーリング孔の所定位置でヘリウムガスを減圧して逆止弁１７を開放し地下水をサンプラー内に導入する。導入された地下水が各ユニットを充満させた後、ヘリウムガスを高圧にして地下水を押圧し逆止弁を閉じ、地下水を被圧状態で保持する。各ユニットは開閉弁２１，２２，２５，２６で地下水を保持し接続部２４，２８で分離可能である。 （もっと読む）

【課題】略水平方向に伸びる回転軸により攪拌羽根を回転して被処理液を濃縮する濃縮装置において、被処理液から発生するベーパの浮遊、拡散を抑制して、効率的な濃縮処理ができる濃縮装置を提供すること。
【解決手段】略水平向に軸支された回転軸１１と、被処理液を投入する供給口１９と処理液を排出する排出口２１とが開口された処理ドラム５と、前記回転軸１１の周囲に形成された攪拌羽根１３と、前記回転軸１１を回転させる駆動装置２５とを備えた濃縮装置１であって、前記処理ドラム５の一方側にベーパドラム６が配置され、前記処理ドラム５と前記ベーパドラム６の間には、ベーパを移動するためのベーパ流路６ａと、凝縮液が前記処理ドラム５に流入するのを抑制するための壁部６ｂが形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】粉末成形プレス装置において、粉末成形体の製造効率向上を図ることができるようにする。
【解決手段】貫通孔２Ｃが形成されたダイ２と、ダイ２に対して貫通孔２Ｃの貫通方向に相対移動可能とされて、貫通孔２Ｃに挿入された状態で貫通孔２Ｃと共に原料粉末Ｐを充填するための充填部Ａを画成する下パンチ３と、ダイ２及び下パンチ３に対して前記貫通方向に相対移動可能とされた上パンチ４とを備え、ダイ２、下パンチ３及び上パンチ４の相対移動により充填部Ａに充填された原料粉末Ｐを加圧成形して圧粉成形体を成形する粉末成形プレス装置１に対し、ダイ２、下パンチ３及び上パンチ４の相対位置を検出する位置検出手段４１，４２，４３と、原料粉末Ｐを加圧成形する際に位置検出手段４１，４２，４３から出力された前記相対位置に基づいて、ダイ２、下パンチ３及び上パンチ４の相対移動データを記憶する記憶手段とを設ける。 （もっと読む）

【課題】フランジを有する焼結体を貫通孔内に安定して保持するとともにサイジング処理を円滑に行うことができるサイジングプレス機を提供する。
【解決手段】サイジングプレス機１０において、ターンテーブル２０に設けられた貫通孔３１内においてフランジ２ｂが形成された焼結体２を保持する保持部３３と、保持部３３を貫通孔３１の内方に向かって付勢する弾性体と、保持部３３の先端に配置される回転体３８とを設け、パンチ４１のプレスによって焼結体２が移動する際に、回転体３８の外周が焼結体２の移動方向に回転しながら該回転体３８が貫通孔３１の外方に退避するように構成する。 （もっと読む）

【課題】Ｈ形鋼等の芯材の挿入、建て込み作業に制限を受けず、ソイルセメント連続壁内の任意の位置に地中熱交換用チューブを設置する。
【解決手段】保護部材２６を備え、下端部２１ａが尖形の埋設ユニット２０にＵチューブ取付部２３ａを介してＵチューブ２３を取り付ける。Ｈ形鋼が挿入される前又は挿入された後に、埋設ユニット２０をシャーピン３１を介して押込ロッド３０と連結し、未硬化状態のソイルセメントに挿入し、押込ロッド３０を押し込むことによってソイルセメント中を降下させる。ストッパー２７が地盤に接して降下が停止した後に、押込ロッド３０をさらに押し込んでシャーピン３１を破断し、押込ロッド３０を回収する。 （もっと読む）