説明

株式会社タムラ製作所により出願された特許

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【課題】本発明は、監視装置と受信機用ラックの通信に用いられる受信機用ラックの通信アドレスの確認と、配置変更時等における通信アドレスの変更を容易に行うことができる受信機用ラック及び受信機監視システムを提供することを目的とする。
【解決手段】受信機用ラック2に接続された状態で搭載されている受信機3の操作により、その受信機3から通信アドレスの読み取り信号が送信され、受信機用ラック2はその信号に基づき、受信機用ラック2と監視装置1との通信に用いられる受信機用ラック2の通信アドレスを、格納されている受信機用ラック2の記憶手段から読み出し、その受信機3の表示部8に表示する受信機用ラック及び受信機監視システム。 (もっと読む)


【課題】地磁気の影響を受けにくいフラックスゲート電流センサ用ループコアを提供すること。
【解決手段】この課題を解決するフラックスゲート電流センサ用ループコアは、略コの字形状に曲折された2つの板形状を一体に連ねた一対の略3の字状のコアと、一対のコアよりも透磁率の高い軟磁性介挿部材を有する。一対のコアは、互いの第1外脚部同士の少なくとも一部が接触するとともに、互いの第2外脚部同士の少なくとも一部が軟磁性介挿部材を介して接触しつつ、2つの略コの字形状の互いの連結部分の間に所定のギャップが保たれて、中途が括れた環状ループが形成されるように、対向配置されている。環状ループは、ギャップ部分を境に、第1外脚部側に、測定対象の電線が挿入され通されるスペースを規定する第1環部を有し、第2外脚部側に、電線に流れる電流により誘導される磁界を検出するための磁気プローブを配置するスペースを規定する第2環部を有する。 (もっと読む)


【課題】地磁気の影響を受けにくいフラックスゲート電流センサ用ループコアを提供すること。
【解決手段】この課題を解決するフラックスゲート電流センサ用ループコアは、略コの字形状に曲折された2つの板形状を一体に連ねた、略3の字状のコアを一対有する。一対のコアは、互いの第1外脚部同士の少なくとも一部が接触するとともに、互いの第2外脚部同士の少なくとも一部が第2外脚部の板厚方向に重ね合わせられた状態で接触しつつ、2つの略コの字形状の互いの連結部分の間に所定のギャップが保たれて、中途が括れた環状ループが形成されるように、対向配置されている。環状ループは、ギャップ部分を境に、第1外脚部側に、測定対象の電線が挿入され通されるスペースを規定する第1環部を有し、第2外脚部側に、電線に流れる電流により誘導される磁界を検出するための磁気プローブを配置するスペースを規定する第2環部を有する。 (もっと読む)


【課題】圧粉磁心およびその製造方法を提供する。
【解決手段】軟磁性粉末の表面を有機金属カップリング剤にて被覆処理し、該処理粉末に絶縁性酸化物を形成し得る有機金属樹脂にて被覆処理した後、加圧成形し熱処理を施すことにより、軟磁性粉末の表面に有機金属樹脂のみからなる絶縁性酸化物皮膜を形成させる。処理粉末と有機金属樹脂とを混合した後、加熱処理を行うことで軟磁性粉末と有機金属カップリング剤との間にメタロキサン結合を生成させる。加圧成型処理に当たり、前記処理粉末に潤滑剤を混合する。軟磁性粉末は、ガスアトマイズ粉末を使用するのが好ましいが、配合割合を変更することで水アトマイズ粉末も使用できる。有機金属カップリング剤は、シランカップリング剤であり、有機金属樹脂はシリコーン樹脂である。製造された圧粉磁心は、軟磁性粉末の表面に有機金属カップリング剤の被覆層を介して有機金属樹脂層が形成される。 (もっと読む)


【課題】光透過率が高く、かつ電極との接触抵抗が低いβ−Ga系基板、そのβ−Ga系基板を含むLED素子、及びLED素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ドナー含有β−Ga系単結晶からなる低ドナー濃度層2aと、低ドナー濃度層2a上に積層された、ドナー含有β−Ga系単結晶からなる、第1電極3を接続するための高ドナー濃度層2bとを含むβ−Ga系基板2を提供する。高ドナー濃度層2bは、厚さが1μm以下であり、低ドナー濃度層2aよりも薄く、低ドナー濃度層2aよりもドナー濃度が高い。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】高品質のGa系半導体素子を提供する。
【解決手段】一実施の形態として、α−Al基板2上に形成されたα−(AlGa1−x単結晶(0≦x<1)からなるp型α−(AlGa1−x単結晶膜3と、p型α−(AlGa1−x単結晶膜3上に形成されたソース電極12及びドレイン電極13と、p型α−(AlGa1−x単結晶膜3中に形成され、ソース電極12及びドレイン電極13にそれぞれ接続されたコンタクト領域14、15と、α−Al基板2のp型α−(AlGa1−x単結晶膜3と反対側の面上の、コンタクト領域14とコンタクト領域15との間に形成されたゲート電極11と、を含むGa系FET10を提供する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びその方法により形成されたβ−Ga系単結晶膜を含む結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、β−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又はβ−Ga基板2上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、成長の間にβ−Ga結晶に一定周期で間欠的にSnを添加する工程を含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜3を製造する。 (もっと読む)


【課題】酸素欠損を低減したβ−Ga単結晶膜の製造方法、及びβ−Ga単結晶膜を有する結晶積層構造体を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、所定の気圧に減圧された真空槽10内にオゾンを含む酸素ガスを供給すると共に第1のセル13aからGa蒸気を供給し、基板ホルダ11に保持されたβ−Ga基板2上にβ−Ga単結晶膜を成長させ、結晶積層構造体を製造する。このように、β−Ga2O3単結晶膜の成長時に酸素の原料としてオゾンを供給することで、酸素欠損の少ない高品質なβ−Ga2O3単結晶膜が得られると共に、活性酸素のみを供給した場合に比較してβ−Ga2O3単結晶膜の成長レートが高まる。 (もっと読む)


【課題】簡便な方法で、リジット基板に接続させたフレキ基板の耐屈曲性を向上させることが可能な配線基板の接続方法を提供すること。
【解決手段】本発明の配線基板の接続方法は、フレキ基材11、フレキ配線12およびカバーレイ13を備えるフレキ基板1と、リジット基板2とを、異方性導電性ペースト3を用いて接続する。リジット基板2上に異方性導電性ペースト3を塗布する塗布工程と、フレキ基板1をリジット基板2に熱圧着する熱圧着工程と、を備え、前記熱圧着工程では、平面視にてリジット基板2とカバーレイ13とが重複する重複領域があり、かつ、前記重複領域におけるリジット基板2の端部からカバーレイ13の端部までの長さ寸法が0.3mm以上となるように、異方性導電性ペースト3上にフレキ基板1を配置し、平面視にてヒーター4の接触する箇所とカバーレイ13とが重複しないようにして、フレキ基板1上からヒーター4を接触させる。 (もっと読む)


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