説明

株式会社タムラ製作所により出願された特許

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【課題】コアの足部端面に形成されたバリを除去することなく製造することができるコイル装置を提供すること。
【解決手段】互いの両端面の夫々が所定のギャップを介して対向配置されることによって環状の閉磁路を構成する一対のコア部と、一対のコア部の外周側面に巻回されるコイルとを備えており、コア部は、少なくとも、コイルが巻回される外周側面の領域及び両端面が樹脂部材で被覆されている。 (もっと読む)


【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ga系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法を用いたβ−Ga系単結晶25の成長方法であって、種結晶20をGa系融液に接触させる工程と、種結晶20を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ−Ga系単結晶25を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ−Ga系単結晶25の幅が種結晶20の幅の110%以下とする。 (もっと読む)


【課題】β−Ga結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ga結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法によるβ−Ga単結晶25の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶20の引き上げ方向に対するβ−Ga単結晶25の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第1ステップと、第1ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ−Ga単結晶25が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶20の引き上げ速度を制御して、β−Ga結晶を成長させる第2ステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】逆方向耐圧を大きくしても順方向電圧の増大、オーミック電極層とのコンタクト抵抗の増大を抑制することが可能なショットキーバリアダイオードを提供する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード1は、n型の導電性を有するGa系化合物半導体からなるn型半導体層3と、n型半導体層3に対しショットキー接触するショットキー電極層2とを備え、n型半導体層3には、ショットキー電極層2にショットキー接触する電子キャリア濃度が比較的低いn半導体層31と、n半導体層31よりも高い電子キャリア濃度を有するn半導体層32とが形成されている。 (もっと読む)


【課題】金型内におけるコア材の位置決めが簡単で、複数のコア材及びスペーサをモールドした樹脂内に正確に配置することのできるリアクトル及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ヨーク部側コア材2を、樹脂3内部にモールドすることにより、左右の脚部とそれを繋ぐヨーク部から成る分割コア11,12を形成する。分割コアの左右の脚部は、ヨーク部側コア材の端面の外周から伸びる筒形のコア装着部41,42が一体に形成する。左右の脚部に形成した筒形のコア装着部内に、I字形の脚部側コア材51〜53とスペーサ6を装着する。樹脂3内部にモールドしたヨーク部側コア材の端面と脚部側コア材の端面を、スペーサ6を挟んで配置する。2つの分割コア11,12をその脚部を突き合わせて一体化して環状のモールドコア1を形成し、このモールドコア1にコイル100を巻回する。 (もっと読む)


【課題】コアの振動や磁歪に起因するうなり音の発生を抑えつつ、コアを効率的に放熱するのに好適なコイル装置用インサート成形コアの製造方法等を提供すること。
【解決手段】コアと熱伝導ブロックとを上下方向に重ねた状態でインサート成形型内に載置し、インサート成形型内で可動する第一の可動型により、コアの一側面を押して、コアの他側面を、インサート成形型内の側壁面に圧することで、インサート成形型内におけるコアの位置を決めるとともに、インサート成形型内で可動する第二の可動型により、コアの上面を押して、熱伝導ブロックの下面を、インサート成形型内の底面に圧することで、コアと熱伝導ブロックの互いの対向面を密着させ、インサート成形型内に溶融樹脂を注入し、注入された溶融樹脂を硬化させることにより、互いの対向面が密着状態にあるコア及び熱伝導ブロックを樹脂被覆したインサート成形コアを得る方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】電子部品を収納ケースに格納する際、接着剤等を使用せず、電子部品を収納ケースに固定することで、部品点数や製造工程を削減し、コストの削減を図った電子部品ユニットを提供する。
【解決手段】中央に貫通孔が形成され、トロイダルコア3を収容し、第1及び第2の導線が巻き回されているコイルボビン4を有する電子部品と、上部が開口しており、前記電子部品を上部より収納する収納ケース2とを備えた電子部品ユニットであって、収納ケース2の底面略中央部にコイルボビン4を掛止する掛止部が設けられており、コイルボビンに設けた被掛止部に掛止することにより電子部品を収納ケース2に固定する。 (もっと読む)


【課題】光学素子への入射光や光学素子からの出射光等が、光学素子と基板との接続部にて反射や拡散するのを抑制して、光学素子への光情報の誤入力、光学素子からの光情報の誤出力が発生するのを防止できる導電性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】(A)硬化性樹脂、(B)金属系の導電性フィラー、(C)黒色着色剤を含有する導電性樹脂組成物であって、前記導電性樹脂組成物中での前記(B)金属系の導電性フィラーと前記(C)黒色着色剤の配合割合の合計が60質量%以上90質量%以下であり、前記(C)黒色着色剤の質量/前記(B)金属系の導電性フィラーの質量が0.01以上0.15以下である導電性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】耐熱性の高い硬質樹脂を使用する場合であっても放熱性が良好なトランスを提供すること。
【解決手段】一次コイルと、夫々がインサート成形による絶縁被覆によってボビンの機能が付加された、打ち抜き加工品であるバスバーを有する二次コイルであって、一次コイルを挟んで組み付けられた一対の二次コイルと、一次コイルと一対の二次コイルとを電磁結合するコアと、からトランスを構成する。 (もっと読む)


【課題】Ga基板上の窒化物半導体層の上面の転位密度が低い結晶積層構造体、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】一実施の形態において、Ga基板2と、Ga基板2上のAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなるバッファ層3と、バッファ層3上の、酸素を不純物として含むAlGaInN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)結晶からなる窒化物半導体層4と、を含む結晶積層構造体1を提供する。窒化物半導体層4のGa基板2側の200nm以上の厚さの領域4aの酸素濃度は、1.0×1018/cm以上である。 (もっと読む)


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