アモルファスの連続気泡ＳｉＯ_２未焼結成形体の表面上に、Ｓｉ_３Ｎ_４焼結層を形成するために適切な前駆物質を施与し、かつ引き続きレーザービーム中現場で該先駆物質をＳｉ_３Ｎ_４焼結層へ変換することを特徴とする、ＳｉＯ_２未焼結成形体からなるＳｉ_３Ｎ_４被覆されたＳｉＯ_２成形体の製造方法。 （もっと読む）

本発明の対象は、１）以下のものの共重合ａ）１〜１５の炭素原子を有する非分枝鎖状又は分枝鎖状のアルキルカルボン酸の１つ又は複数のビニルエステル、及びｂ）少なくとも１つの重合可能な基を有する１つ又は複数のシリコーンマクロマー、及び２）シリコーンを含有するポリビニルアルコールへの、コポリマーのその後の鹸化及び３）１〜１５の炭素原子を有する脂肪族及び芳香族アルデヒドを包含する群からの１つ又は複数のアルデヒドを用いた、シリコーンを含有するポリビニルアルコールのその後のアセタール化、
により得られるシリコーンを含有するポリビニルアセタールである。 （もっと読む）

本発明は、ＯＨ−保護された［４−（２，６−ジアミノ−９Ｈ−プリン−９−イル）−１，３−ジオキソラン−２−イル］メタノール−誘導体をラセミ形でまたは光学的に純粋な形で、２，６−ジアミノプリンもしくは１回以上シリル化された２，６−ジアミノプリンと構成成分との直接的な反応により製造するための方法において、グリコシル化反応の際に、ルイス酸の他に、１，３−ジカルボニル化合物または１，３−ジカルボニル化合物のシリル化誘導体の形で助剤が存在するＯＨ−保護された［４−（２，６−ジアミノ−９Ｈ−プリン−９−イル）−１，３−ジオキソラン−２−イル］メタノール−誘導体の製法。 （もっと読む）

本発明は、ホスホン酸エステル基を有するシランと反応性のケイ素化合物との反応によるホスホン酸エステルにより変性された有機ケイ素化合物の製造の方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、一般式［１］：−Ａ−ＣＨ_２−ＳｉＲ^１_ａ（ＯＲ^２）_３−ａ（Ａは−Ｏ−、−Ｓ−、−（Ｒ^３）Ｎ−、−Ｏ−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^３）−、Ｎ（Ｒ^３）−ＣＯ−Ｏ−、−ＮＨ−ＣＯ−ＮＨ−、−Ｎ（Ｒ^４）−ＣＯ−ＮＨ−、−ＮＨ−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^４）−、−Ｎ（Ｒ^４）−ＣＯ−Ｎ（Ｒ^４）−、Ｒ^１は場合によりハロゲン化された炭素原子１〜１０個を有するアルキル、シクロアルキル、アルケニルまたはアリール、Ｒ^２はＣ_１〜_６アルキルまたは全部で２〜１０個の炭素原子を有するω−オキサアルキル、Ｒ^３はＨ、場合によりハロゲン化された直鎖または分枝のＣ_１〜Ｃ_１８アルキルまたはアルケニルまたはＣ_６〜_１８アリール、Ｒ^４は場合によりハロゲン化された環式、直鎖または分枝のＣ_１〜Ｃ_１８アルキルまたはアルケニルあるいはＣ_６〜Ｃ_１８アリールであり、かつａは０、１または２である］の末端基を有するプレポリマー（Ａ）に関し、イソシアネート官能性プレポリマー（Ａ１）と少なくとも１種のイソシアネート反応性基を有するアルコキシシラン（Ａ２）および場合により他の成分との反応によって得られ、その際、イソシアネート反応性基とイソシアネート基との比が少なくとも１．２；１であるようアルコキシシラン（Ａ２）を過剰量で使用する。 （もっと読む）

【課題】 半導体破片で汚染のない分級を行う。
【解決手段】 分級のための装置が少なくとも１つの送風装置と少なくとも１つの変向装置とを備えている。 （もっと読む）