【課題】アプリケーション側にハードウェアデバイスに依存した実装を施すことなく、シーケンシャルメディアに特化したパフォーマンスを落とさないアクセスを行う。
【解決手段】ファイルシステム６０では、コマンド処理部６１が、ファイルの列挙方法を示すオプションをコマンドから取り出し、インデックス受信部６３が、ディレクトリ名、ファイル名、記録位置を含むインデックスをテープドライブから受信し、インデックス記憶部６６が、オプションが示す列挙方法に従い、インデックスを、そのままの状態で、又は、ディレクトリ名もしくはファイル名が変更された状態で、記憶する。一方、ＩＲＰ受信部６７が、ＩＲＰ（I/O Request Packet）をＯＳから受信すると、ＩＲＰ設定部６８が、インデックス内のファイル名を記録位置の順にＩＲＰのバッファに格納し、応答送信部６９が、ステータスをＯＳに返す。 （もっと読む）

【課題】ストレージ装置内に論理データオブジェクトを圧縮して保存する方法およびシステムであって、作成、読み出し、書き込み、最適化、および保存を行う。
【解決手段】オリジナルファイル２０１の圧縮は、ヘッダ２０４と１以上の予め規定されたサイズに割り当てられた圧縮セクション２０２−１〜２０２−６とを具える圧縮ファイル２０３をストレージ装置内に作成するステップと、１またはそれ以上の連続的に取得されるオリジナルファイル２０１に対応する未処理データのチャンク２０２−１〜２０２−６を圧縮して処理済みデータチャンク２０７−１〜２０７−６を生成するステップと、この処理済みデータチャンクを、チャンクが受け取られた順番に従って圧縮セクション２０５−１〜２０５−２に連続的に収容するステップであって、圧縮セクションはオリジナルファイルの入出力トランザクションにおける圧縮／解凍動作の原子要素であるステップとを具える。 （もっと読む）

【課題】 横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む半導体構造体を提供する。
【解決手段】 ＣＭＯＳ構造体などの半導体構造体が、横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極を含む。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、角度傾斜イオン注入法又は逐次積層法を用いて形成することができる。横方向に可変の仕事関数を有するゲート電極は、非ドープ・チャネルの電界効果トランジスタ・デバイスに向上した電気的性能をもたらす。 （もっと読む）

【課題】改良されたＣｕ−Ｃｕ接合を実現した三次元（３Ｄ）集積回路を提供する。
【解決手段】第一デバイス・ウエハの少なくともＣｕ表面上に少なくとも一つの金属接着層が形成される。別のＣｕ表面を有する第二デバイス・ウエハが、第一デバイス・ウエハのＣｕ表面の上で且つ少なくとも一つの金属接着層上に位置付けられる。次いで、第一および第二デバイス・ウエハが共に接合される。この接合ステップは、外部から加える圧力の使用の有無にかかわらず、これらデバイス・ウエハを４００℃未満の温度に加熱するステップを含む。加熱の過程で、２つのＣｕ表面は共に接合され、該少なくとも一つの金属接着層が２つのＣｕ表面から酸素原子を得て、これらＣｕ表面の間に少なくとも一つの金属酸化物接合層を形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼できないコード範囲についてのみデバッグを実行することにより、デバッグの信頼性を高めつつ、プログラム全体のデバッグ時間を短縮する。
【解決手段】（ａ）プログラムの分類項目の指標毎の信頼度を含む信頼度情報を記憶部に格納するステップＳ１１と、（ｂ）演算処理部が、記憶部からデバッグ対象のプログラムについての信頼度情報を読み出して、当該信頼度情報中の指標毎の信頼度を用いて、信頼できるコード範囲と信頼できないコード範囲とを決定するステップＳ１２と、（ｃ）演算処理部が、信頼できないコード範囲についてのみデバッグ対象のプログラムのデバッグを実行するステップＳ１３と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 無溶剤の熱可塑性残渣を生成し、その熱可塑性残渣がアンダーフィル成分と反応して熱硬化性樹脂を形成する無洗浄フラックス、を提供すること。
【解決手段】 フラックス活性剤としてジカルボン酸、樹脂成分として平均官能基数が約２．０を有するエポキシのプレポリマー、および粘度調整剤として沸点２６０度以下の溶剤を含む無洗浄フラックスが、リフロー時にはんだの酸化膜を除去するとともに、ガラス転移温度が１００℃以下でアンダーフィル塗布時に液状となる熱可塑性エポキシ硬化物を形成する。粘度調整剤としての溶剤は、リフロー中にそのほとんど全量が揮発し、リフロー後、洗浄することなく、アンダーフィルを塗布する際、その硬化物はアンダーフィルと相溶してアンダーフィルに含まれる硬化剤と反応し、アンダーフィルとともに３次元架橋構造を形成できる。 （もっと読む）

【課題】零入力漏れ電流を利用することによって高電力デバイスの温度を制御するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】熱制御＆温度監視システム（ＨＣＴＭＳ）は、コンポーネントの接合温度を感知するために温度センサを利用し、コンポーネントは、電力印加時に固有の零入力漏れ電流のために自己加熱状態になる。電力源の電圧レベルを増加させることによって、この零入力自己加熱特性は増強され、温度がコンポーネントの最低規定動作温度よりも高く上昇するまで、デバイスの予熱を加速する。システムは、その後、全システム電力を印加し、定義された初期化シーケンス／手順をトリガすることによって初期化される。コンポーネントが動作状態になった後も温度は、継続的な自己加熱、継続的な印加ＤＣ電圧の増加、または必要ならばその両方によって、最低動作閾値より高く維持される。 （もっと読む）

【課題】一定のホスト転送レートが断続的に低下する場合でもドライブ転送レートを調整できる記憶装置を提供する。
【解決手段】記録装置は、上位装置との間で読み書きするデータを一時保管するバッファと、複数のデータをシーケンシャルに記録するように記録媒体と、バッファと記録媒体との間でデータの読み書きを制御する制御部とを含む。制御部は、データを上位装置との間で送受信するホスト転送レートを複数個測定し、データを記録媒体との間で送受信するドライブ転送レートを、ホスト転送レートに近づくように調整し、ホスト転送レートが断続的低下しているかを認定するために、前記測定された複数個に対して第１の比率で、平均のホスト転送レートに対して第２の低下量であるかを判定し、その判定結果に基づいて前記調整されたドライブ転送レートを第３のレベルまで低下させるように選択する。この引下げにより、長期的なデータ転送レートを改善できる。 （もっと読む）

【課題】 書類中心アーキテクチャに適合する仕様検証技法を提供すること。
【解決手段】 書類をメタデータの値の範囲で分割した「抽象書類」として管理する。本発明のシステムは、論理的な「書類入れ」を用意し、書類入れに初期状態の複数の抽象書類を入れ、それに対して可能な処理を適用する。適用にあたって必要に応じて抽象書類の分割・統合を行う。抽象書類群に対して処理を繰り返し適用し、変化がなくなった時点の状態遷移図に対して、すべての抽象書類が終了状態に到達するかどうかを検証する。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション（ＥＭ）の耐性があり、ハイエンドの半導体チップにも採用できるようなプロセスとして、半導体チップを３次元積層アセンブリへと多段に形成していく、はんだ接合プロセスの提供。
【解決手段】
電気接合部に異なる融点をもつ２種のはんだを積層させて構成しておき、３次元積層アセンブリを作成するにあたって、チップ積層時（一次）は低温はんだのみを溶融して積層接合して、アンダーフィルによって封止する。マザーボードへの積層時（二次）は高温はんだを溶融させる。マザーボードへの二次実装時においてもそのギャップとバンプ形状を保持することができる。 （もっと読む）