【課題】 高品質なＳｉＣが形成された層状基板を提供する。
【解決手段】 本発明は、基板と、基板上に形成された誘電体層と、誘電体層上に形成された単結晶層とを含む層状構造に関する。単結晶層は、約２００〜２００００オングストロームの厚さを有し、少なくとも第１の元素と誘電体層上の第２の元素の初期単結晶層との化学反応によって形成される。本発明の成功には、第２の元素が、約１００〜１００００オングストロームの初期厚さを有することが重要である。 （もっと読む）

【目的】 使用中または空き状態の複数のニューロン回路で構成されたニューラル・ネットワークにおいて、各ニューロン回路内に配置され、所定の空き状態ニューロン回路に付属するプロトタイプ・ベクトルの各種成分として認識フェーズ中に所定の空き状態ニューロン回路にのみ入力ベクトルの各種成分をロードできる事前装填回路を提供する。
【構成】 この事前装填回路は、メモリ制御信号によって制御される重みメモリと、メモリ制御信号を生成し、所定の空き状態ニューロン回路を識別できる回路とで構成されている。認識フェーズでは、所定の空き状態ニューロン回路のみのメモリ制御信号がアクティブに設定される。ニューラル・ネットワークが複数のニューロン回路からなる１つの連鎖として構成される場合は、所定の空き状態ニューロン回路が連鎖内の第１の空き状態ニューロン回路になる。 （もっと読む）

【目的】 外付けの超小型電子装置を保護するための導電性インサートを提供する。
【構成】 導電性インサートは、超小型電子装置のＥＳＤ（静電気放電）またはＲＦＩ（放送電波妨害）による破壊または動作不能を防ぐように設計される。導電性インサートは、第１の外側面と第２の内側面を有する。第２の内側面は、その上に導電性材料が付着され、外付けの電子装置にＥＳＤまたはＲＦＩに対する保護を提供する。外付けの超小型電子部品を保護するために、外付け電子装置を覆う取付け板の内部に導電性インサートが取り付けられる。導電性材料を内側表面に付着させる代わりに、最初に導電性インサートを導電性材料で製造することもできる。さらに、導電性フィンガばねを導電性インサート内に形成して、取付け板と超小型電子装置または導電性製品ケースとの間で電気接続を提供することもできる。 （もっと読む）

【目的】半導体ポリサイド処理における集塊および転移を防止する。
【構成】半導体基板５上にドープ・ポリシリコン層１５を形成し、ドープ・ポリシリコン層の上に窒素含有導電層２０を形成し、窒素含有導電層に含まれる窒素がこの導電層の熱安定性を改善し、窒素含有導電層およびドープされたポリシリコン層をパターニングして導体２５を形成する。 （もっと読む）

【目的】 データ処理装置（１２）と、ディスク・データ記憶サブシステム（１４）と、ディスク・マネージャ（１６）とを有するデータ処理システム（１０）を操作するための装置および方法を提供する。
【構成】 本方法は、（ａ）ディスク・データ記憶システムを、第一の区画（２８）と第二の区画（３０）を含む複数の区画に区分するステップと、（ｂ）格納されるときにそれぞれが第一の所定のしきい値を超えるアクセス活動値を有する論理トラックなどの複数のデータ単位で構成されたセグメントを格納するためにログ構造ファイル・システム（ＬＳＦＳ）として少なくとも第一の区画を管理するステップと、（ｃ）格納されるときにそれぞれが第一の所定のしきい値より小さいアクセス活動値を有する複数の非活動データ単位で構成されたセグメントを第二の区画内に格納するステップとを含む。 （もっと読む）

【目的】 高誘電率材料を有する記憶キャパシタおよびそれを形成する方法を提供する。
【構成】 この方法は、ペロブスカイト構造を有する無機酸化物から構成された、ＤＲＡＭチップ用の平面キャパシタの製造に関連する問題を解決する。これらの材料は、従来のイオン・エッチング技法では容易にエッチングされない。また、この材料はシリコンおよび二酸化シリコンと反応するが、ここに開示する方法はこの相互作用を回避する。 （もっと読む）

【目的】 ２つの磁極層の１つの上部に配置されたノッチ構造体を有する薄膜磁気書込みヘッドを提供する。
【構成】 ノッチ構造体は、通常、Ｕ形状の薄膜層であって、ヘッドの磁極端領域の１つ以上の磁極端層を抑制するためにＵ字型内にトレンチを形成する。ノッチ構造体は、エア・ベアリング面の一部を形成する平面に置かれた、Ｕ形状の脚の先端において前面部を有する。ノッチ層の厚さは、トレンチ内に配置された１つ以上の磁極端層の厚さと実質的に等しい。書込みヘッドの製造方法には、ノッチ構造体を画定するための、非常に薄いフォトレジスト層を形成する方法が含まれる。ノッチ構造体はよく画定されるので、１つ以上の磁極端層がよく画定され、トレンチ内に非常に狭いトラック幅を設定できる。 （もっと読む）