【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第１の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第２の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第１および第２の組成は、エッチング選択性が少なくとも１０：１またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。 （もっと読む）

【課題】複数のデータ・フレーミング・プロトコルおよび／または複数のデータ伝送速度をサポートしうるデータ・フレーマを実現する。
【解決手段】送信元データ・ストリームに潜在する少なくとも２つの異なるデータ・フレーミング・プロトコルをサポートしうるデータ・フレーマは少なくとも２つのフレーミング回路および該フレーミング回路に接続されたコントローラを備えている。フレーミング回路の各々は前記各フレーミング回路に付随する異なるデータ・フレーミング・プロトコルに従って前記送信元データ・ストリームからユーザ・データを抽出するように構成されている。前記コントローラは適切に、(i) 前記送信元データ・ストリームを受信して少なくとも２つのデータ・フレーミング・プロトコルのうちのどちらが前記送信元データ・ストリームに対応しているかを自動的に判断し、(ii)前記送信元データ・ストリームの前記判断したデータ・フレーミング・プロトコルと前記第１のデータ・フレーミング・プロトコルおよび前記第２のデータ・フレーミング・プロトコルのうちの一方との間の一致に応答して、前記送信元データ・ストリームを前記第１のフレーミング回路および前記第２のフレーミング回路のうちの一方に転送する。 （もっと読む）

【課題】 高速信号の搬送や高密度電流の伝達に適合した積層型ビア構造体を提供する。
【解決手段】 電子装置キァリアの導電層を通して高周波信号または高密度電流を伝送しうるように適合した積層型ビア構造体（２００）を開示する。この積層型ビア構造体はｚ軸を基準にして位置合わせされ誘電体層（１２０）によって分離された隣接する３つの導電層（１１０ａ、１１０ｂ、１１０ｃ）に属す少なくとも３つの導電路（２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃ）を備えている。これら導電路間の接続は各導電層間に配置された少なくとも２つのビア（２１０、２１５）を用いて行なわれている。導電路の一側に接続されたビアは反対側に接続されたビアとはｚ軸を基準にして位置合わせされない状態で配置されている。好適な実施形態では、これら位置合わせされた導電路の形状はディスクまたは環状リングのように見える。４つのビアを用いて隣接する２つの導電層を接続している。これら４つのビアは前記導電路の各々に対称的に配置されている。隣接する第１の導電層と第２の導電層との間に設けられたビアの位置と、隣接する第２の導電層と第３の導電層との間に設けられたビアの位置とはｚ軸を基準にして４５°の角度をなしている。 （もっと読む）