【課題】音楽データ等の一定頻度での継続的な再生が要求されるデータを無線により低消費電力かつ簡単な構成で伝送可能とする。
【解決手段】それぞれ送受信機を有する第１の通信ユニットおよび第２の通信ユニットの間で無線でデジタルデータを伝送する無線通信システムである。第２の通信ユニットは第１の通信ユニットから受信したデータを蓄積するバッファを備える。このバッファにおけるデータの蓄積度に応じて第１の通信ユニットから第２の通信ユニットに送信されるデータの通信速度を変化させる。あるいは、バッファに所定数以上のパケットが蓄積されると第１の通信ユニットはパケットの送信を一時停止し、前記バッファに蓄積されたパケット数が所定値以下になると再びパケットを送信する。 （もっと読む）

【課題】 通信装置においてSIMカードに電力を供給しても安全な時間を検出するための装置および方法を提供する。
【解決手段】 通信装置において回路モジュールを保護する方法は、まず、通信装置内に回路モジュールが存在するか否かを判断する段階を含む。次の段階は、通信装置に対する電源電圧を測定する。次の段階は、電源電圧を所定の閾値電圧と比較する。電源電圧が閾値より低い場合は、次の段階は通常の機能を電話機に与えて、比較段階に戻る。しかし、電源電圧が閾値より高い場合は、次の段階はSIMカードに対する接続を遮断し、通信装置の機能を制限する。 （もっと読む）

【課題】 メモリ装置において、最小のコラムピッチにより高速の書込みリカバリを可能にしかつ書込みデータ線に負荷が与えられた場合に遭遇する問題を避ける。
【解決手段】 電流検知スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）のようなメモリ１０はビットライン負荷および２つの付加的なメカニズムによって高速の書込みリカバリを達成する。第１に、共有データライン上の余分の負荷２５２もアクティブになって書込みリカバリプロセスを早める。第２に、複数のコラム２００，２０２，２０４が書込みリカバリの間に共通のデータライン接続され、それによって書込みサイクルの間に書き込まれるコラムが再び他のコラムに蓄積された電荷を使用して電荷共有により部分的にプリチャージできる。 （もっと読む）

【課題】 整合レジストレーションの誤差に影響を受けないマイクロ波ハードウェアに適しており、電気的不連続性を最小限に抑えてインピーダンスの変形を行うマイクロストリップを懸垂ストリップ線路に移行する構造と、その製造方法とを提供する。
【解決手段】 マイクロストリップ１４から懸垂ストリップ線路２４への集積移行構造と、それを作成する方法とは、整合不良による電気的不連続性を最小限に抑え、その影響を受けずにマイクロストリップ１４から懸垂ストリップ線路２４伝送線路への移行を行う。導体１０は一定の幅を有し、接地面３６，３８内の漸次的に先細りになる空隙４４，４２が、懸垂ストリップ線路２４伝送媒体となる。漸次的に先細りになる空隙４４，４２は、インピーダンス変換を行い、製造誤差による移行中の不連続性を最小限に抑える。 （もっと読む）

【課題】 ビタービ・アルゴリズムをソフトウェア内で実行する演算時間を短くする方法を提供する。
【解決手段】 平行データ構造と専用のビタービ左シフト命令が、ソフトウェアのデータ処理システム２０内に重畳符号化された信号を解読するために必要とされるクロック・サイクルの数を最小限に抑える。特に、データ構造とビタービ左シフト命令により、加算比較選択バタフライ演算を実行するために必要なクロック・サイクルの数が減る。加算比較選択バタフライ演算は、ビタービ解読アルゴリズムを実行する複数の命令内のループに含まれ、所定の回数だけ繰り返されて、トレリス図内の最良経路を選択する。 （もっと読む）

【目的】 ＲＦ処理のためのフィルタ接続部分におけるクロストークを大幅に低減する改善されたリエントラントオフチップＲＦ選択度構造を提供する。
【構成】 差動回路（４０２，４１５）、伝送ライン（４２３，４２４）およびオフチップフィルタ（４２２）が前記差動要素の全てと関連する寄生容量をバランスさせる構造で使用される。該構造は差動発生回路および受信回路を備えた基板（４０９）を含む。各々一定の特性インピーダンスを有し、かつ各々グランドに対しバランスした容量を有する、２つの差動伝送ラインが双方ともある距離の間接近した間隔にされ、前記回路を接近した間隔の終端パッド（４０３）に結合する。グランド面（４１２）が両方の伝送ラインの下で共有される。第１の基板（４０９）とリエントラントＲＦ経路（４０６）を有する第２の基板（４０８）はフィルタまたは遅延線のようなＲＦ機能を含む。 （もっと読む）

【目的】 陰極ルミネセンス層１０３，２０３に対し遠位に配置された透明なフェースプレート１０４，２０４上に配置された透明な導電層１０５，２０５上に配置されたダイヤモンド材の層１０６，２０６を有する電子エミッタを提供する。
【構成】 外部から付与される適切な信号の入力が、ダイヤモンド材層１０６，２０６からの電子の放出を誘発し、陰極ルミネセンス層１０３，２０３からの光子放出を実質的に励起する。 （もっと読む）

【目的】 ０．０５ミクロン代の小さな構造サイズを必要とせず、５ｘ１０⁵Ｖ／ｃｍ程導電界のみを用いて、大量の電子を放出させることができる、電子放出電子素子を提供する。
【構成】 ダイヤモンド材料電子放出部（１０１）とアノード（１０２）とが双方とも支持基板（１０３）上に配置されており、それらの間に相互電極領域（１３０）を規定するようにした、電子素子。相互電極領域（１３０）を横切る電子の搬送は、ダイヤモンド材料電子放出部（１０１）の放出面（１２０）において、開始される。代替実施例では、実質的に対称的で、電子放出部（３０１）について軸方向にずれており、かつ相互電極領域（３３０）内にあるゲート電極（３４０）を用いて、変調能力を設けている。 （もっと読む）

【目的】 ＩＩ−ＶＩ族およびＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体ＦＥＴの中に金属ゲート電極１８を製造する方法を提供する。
【構成】 本方法は、ＩＩ−ＶＩ族またはＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板１２を提供する段階およびその上にゲート電極１８の第１部分１６を形成する段階を含む。ハードマスク２０は、ゲート電極１８の第１部分１６の上に形成し、平坦化誘電層２２は基板１２の表面上に形成し、ハードマスク２０およびゲート電極１８の第１部分１６を含んでいる。その後ハードマスクを露出させて除去する。ついでゲート電極１８の第２部分２８を第１部分１６の上に形成する。 （もっと読む）