【課題】技術者の技能や経験と関係なく簡単かつ短時間に、任意の位置におけるＵＥＰを正確に推定計算できる船体の周辺ＵＥＰ計算方法を提供する。
【解決手段】船体における複数の電極の位置を設定しＳＴ３、設定した複数の電極のうち任意の２つを選択した電極組合せをｔｔ個だけ設定しＳＴ４、電気影像法における仮想電極の次数ｎｎを設定しＳＴ５、全ての電極組合せに対して仮想電極を作成するＳＴ６。電気影像法によるＵＥＰ計算式における位置の関数を算出しＳＴ８、最小二乗法の行列式を作成しＳＴ９、これを解くことにより電極間の電流値Ｉ_tを算出するＳＴ１０。推定面又は推定線を設定しＳＴ１１、電気影像法による設定点ｊのＵＥＰ計算式における位置の関数を算出しＳＴ１２、設定点ｊにおけるＵＥＰを算出するＳＴ１３。 （もっと読む）

【課題】厚みの異なる複数の電波吸収部材を複数組み合わせ配置することにより、実質的に厚みを制御し所望の電波吸収体を簡易に実現する。
【解決手段】厚みが異なる電波吸収部材を少なくとも一つ含む複数の電波吸収部材３〜６を面状に配置して電波吸収体を構成することによって、前記電波吸収体の実効厚みを制御する。これにより、既存の電波吸収部材を活用して、新規に電波吸収体を製造することなく所望特性の電波吸収体の実現が可能であり、設計コストや製造コストを下げることが可能である。 （もっと読む）

【課題】摩擦ダンパにおける摩擦力の大きさを相対変位および相対速度に応じて変化させることにより、絶縁効果を損なわずに過大な振動を抑え位置ずれも生じない振動絶縁装置を提供する。
【解決手段】一対のレバー８ｐ〜８ｓを摩擦部材としての円柱部材７ａ，７ｂの外周面に押し付けるための押し付けばねを、テーブル１又はベース２の他方の対向面に基部が設けられた板ばね４１ａ〜４１ｄにより形成し、板ばね４１ａ〜４１ｄを略ハ字状に設けるとともに、板ばね４１ａ〜４１ｄの拡径側遊端部に一対のレバー８ｐ〜８ｓの基部を保持することにより、一対のレバー８ｐ〜８ｓの先端側の内面を摩擦部材としての円柱部材７ａ，７ｂの外周面に弾性的に押し付けるようにした。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット型赤外線検知素子及び量子ドット型赤外線撮像装置に関し、量子ドット層の層数が制限される制約のなかで光電流を増加させる。
【解決手段】 複数の量子ドットからなる量子ドット層と前記量子ドット層を挟み込むとともに前記量子ドットよりバンドギャップが広い中間層からなる積層構造を複数積層した量子ドット積層構造と上下の電極形成層との間にスペーサ層を設ける。 （もっと読む）

【課題】船体の電極配置や電流値を決めることなく、また技術者の技能や経験と関係なく簡単かつ短時間に、任意の位置におけるＵＥＰを推定計算できる船体の周辺ＵＥＰ計算方法を提供する。
【解決手段】ＵＥＰセンサにより船体の周辺ＵＥＰを計測するとともに、船体中心とＵＥＰセンサとの相対位置を計測し（ＳＴｌ）、計測データを入力する（ＳＴ２）。各種調和関数展開法における次数ｎｎ，位数ｍｍを設定し（ＳＴ３）、計算式における位置の関数を、船体中心とＵＥＰセンサとの相対位置の計測データを基に算出する（ＳＴ４）。最小二乗法の行列式を作成し（ＳＴ５）、これを解くことにより展開係数Ｄ_tを算出する（ＳＴ６）。推定面又は推定線を設定し（ＳＴ７）、設定点ｊにおける位置の関数を算出し（ＳＴ８）、設定点ｊにおけるＵＥＰを算出する（ＳＴ９）。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体に対して極めて平滑な膜を、薄膜から厚膜まで広い膜厚範囲で、マイクロ／ナノ領域に位置選択的に形成可能とした基体への膜形成法を用いた、マイクロ／ナノデバイスの作製のための基盤技術となるデバイス作製法を提供する。
【解決手段】予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。これによって、基体２及び膜６からなるマイクロトンネル構造を得る。 （もっと読む）

【課題】送信信号の送信条件及び受信信号の受信条件の少なくとも一方を適切に設定すること。
【解決手段】遮蔽物を透過させ目標物に送信信号を送信する送信部２０と、前記遮蔽物及び前記目標物のうち少なくとも前記遮蔽物において反射された送信信号を受信信号として受信する受信部３０と、前記受信信号に基づき、前記送信部が前記送信信号を送信する条件及び前記受信部が前記受信信号を受信する条件の少なくとも一方を設定する設定部６０と、を具備する広帯域レーダ装置。 （もっと読む）

【課題】材料接合の際に、熱による局所的な変質や変形等の欠陥を生じさせず、かつ接合層が受光性など電気的あるいは光学的機能性を有するような、新規接合法を確立する。
【解決手段】波長２６６ｎｍ以上の紫外光により、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物を光化学的に炭素層に改質する過程において、所望の被接合材料を接触させておくことにより、非熱的に材料を接合させる。かつ、それぞれの接合層（炭素層）が、電気的あるいは光学的機能を有する。 （もっと読む）

【課題】ポリカーボネートの内部に、超短パルスレーザー光を照射し、照射部のみを高い導電性を有する炭素系材質に改質することにより、ポリカーボネート内部に周囲環境に依存せず高い再現性を有する導電性材料を作製する。
【解決手段】ポリカーボネート１の内部に、波長０．３８μｍ以上２．５μｍ以下、パルス幅１ｆｓ以上１０００ｐｓ以下の超短パルスレーザー光２を照射することにより、照射部のみを導電性を有する材料に改質する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物の表面にマイクロ／ナノ微細凹凸構造を形成し、その表面をシリカガラス化することにより、ロータス効果による超撥水性と、シリカガラス化による表面硬質性を実現する。
【解決手段】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む固体化合物としてのシリコーン（シリコーンゴム、シリコーン樹脂等）１の表面に、マイクロ／ナノ周期構造４を形成した後、波長１９０ｎｍ以下の光５を照射することにより、前記微細凹凸構造表面をシリカガラス化する。これにより、超撥水性と表面硬質性と兼ね備えた硬質超撥水性材料が得られる。 （もっと読む）