【課題】 供給電圧または動作電圧に無関係に信頼性を保証可能な出力バッファ回路の動作方法を提供する。
【解決手段】 出力バッファ回路１３０Ａのソーシング制御回路１４０は、ＤＣレベルを指示する指示信号に基づいて第１ソーシング制御信号Ｐｇ０を生成する。ソーシング制御回路１４０は、指示信号に基づいて第２ソーシング制御信号Ｐｇ＿ｂｉａｓを生成する。ソーシング回路１５０は、第１ソーシング制御信号Ｐｇ０と第２ソーシング制御信号Ｐｇ＿ｂｉａｓとに応じて第１電圧ＶＤＤＯを出力端子１５１に供給する。第１シンキング回路１６０は、第２バッファ１１２から出力されたデータＮｇのレベルに基づいて出力端子１５１に接地電圧ＶＳＳを供給する。これにより、メインドライバーとして使われるＰＭＯＳトランジスタＰ０、Ｐ１のゲート酸化物の信頼性を保証しながら、高速で出力データをバッファリングすることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴｉＮ膜及びバッファ層から形成されるバリアー膜を備えるポリメタルゲート電極を持つ半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に半導体基板側から順に積層された導電性ポリシリコン膜、第１金属シリサイド膜、バリアー膜、及び金属膜から形成されるポリメタルゲート電極と、を備える半導体素子である。バリアー膜は、第１金属シリサイド膜上に形成されるＴｉＮ膜と、ＴｉＮ膜と金属膜との間に介在されるバッファ層と、を備える。 （もっと読む）

【課題】タッチジェスチャーを備えた電子機器における電子本の読書実行装置において、多様で容易なページ移動を可能にする。
【解決手段】読書実行装置は、タッチジェスチャーに応答してタッチイベントを発生させるタッチスクリーンと、前記タッチジェスチャーがページめくりのためのものであるか否かを判別するためのＬＵＴを備えた格納部と、電子本の第１ページを表示中に、前記タッチジェスチャーを感知すれば、前記ＬＵＴを参照して前記タッチジェスチャーがページめくりのためのものであるか否かを判別し、前記タッチジェスチャーが前記ページめくりのためのものなら、前記タッチジェスチャーに合わせて移動するべき第２ページを決定する制御部と、前記制御部の制御下に前記第２ページを表示する表示部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】携帯端末でアプリケーション実行中におけるインタラプトの発生を最小化する。
【解決手段】携帯端末におけるインタラプトの制御方法及び装置に関し、携帯端末におけるインタラプトの制御方法は、ユーザ制御に応じてアプリケーションを実行する過程と、前記アプリケーションの実行中にイベントが発生したかを検査する過程と、前記アプリケーションの実行を維持した状態で前記イベント発生を示す情報を画面に表示する過程と、ユーザ制御に応じて前記アプリに対する前記イベントのインタラプトの有無を決定する過程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】増加されたメモリ容量を具現できるメモリ装置を提供する。
【解決手段】メモリ装置は、水平な共通導電領域の上に配置され、前記共通導電領域に一端が電気的に連結され、互いに離隔水平な第１選択ラインの上で互いに平行に延長され前記水平な第１選択ラインと交差し前記垂直な半導体柱の側面に対向する側面を包含する水平な第１選択ラインと、前記水平な第１選択ラインと前記垂直な半導体柱との間に、そして前記水平な第２選択ラインと前記垂直な半導体柱との間に介在される少なくとも１つの誘電パターンを包含する選択構造体を含む。前記メモリ装置は、前記選択構造体の上に配置され前記垂直な半導体柱に電気的に連結されたメモリセルを含むメモリセルアレイをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】動作速度及び電力消耗を減らすことができるメモリシステム及びそれの動作方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態によるメモリシステムは不揮発性メモリ装置と、前記不揮発性メモリ装置を制御するように構成されたメモリ制御器と、を含み、前記メモリ制御器は前記不揮発性メモリ装置から読み出されたデータのエラーの位置情報を含むエラーフラッグ情報を前記不揮発性メモリ装置へ提供する。 （もっと読む）

【課題】電極構造体、それを備える窒化ガリウム系の半導体素子及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】ＧａＮ系の半導体層ＧＬ１０と、ＧａＮ系の半導体層上に備えられた電極構造体５００Ａ，５００Ｂと、を備え、電極構造体５００Ａ，５００Ｂは、導電物質を含む電極要素５０Ａ、５０Ｂと、電極要素５０Ａ，５０ＢとＧａＮ系の半導体層２００との間に備えられた拡散層５Ａ、５Ｂと、を備え、拡散層５Ａ，５Ｂは、ｎ型ドーパントを含み、ｎ型ドーパントは、４族元素を含み、拡散層と接触したＧａＮ系の半導体層２００の領域は、ｎ型ドーパント（例えば、４族元素）でドーピングされる窒化ガリウム系の半導体素子である。 （もっと読む）

【課題】イオン交換膜充電用組成物、イオン交換膜の製造方法、イオン交換膜及びレドックスフロー電池を提供する。
【解決手段】イオン伝導性物質及び水溶性支持体を含むイオン交換膜充電用組成物。前記イオン伝導性物質は、イオン伝導性モノマー及びイオン伝導性ポリマーからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。また、前記水溶性支持体は、水溶性モノマー及び水溶性ポリマーからなる群から選択された少なくとも１種の化合物を含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】リチウム空気電池用電解質及びこれを含むリチウム空気電池を提供する。
【解決手段】本発明は、リチウムイオンを吸蔵放出可能な負極と、リチウムイオン伝導性固体電解質膜と、酸素を正極活物質とする正極と、を含み、前記正極とリチウムイオン伝導性固体電解質膜との間に、リチウムイオン伝導性高分子及びリチウム塩を含む電解質を含むリチウム空気電池に関する発明である。リチウムイオン伝導性高分子としては、親水性マトリックス高分子を使用できる。 （もっと読む）

【課題】 レンダリングのための遠近効果の過程において入力深度映像のホールフィリングを極めて迅速に行いながら信頼できる結果を提供する映像処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】 入力深度映像が入力されれば、映像処理装置のアウトライアー除去部は全体ピクセルの深度値を分析して平均的な値に一定の程度以上を離れたピクセルを除去し、単独に処理する。そして、ホールをフィリングして入力深度映像を再生成する。この過程において、プッシュプル方法のホールフィリング処理が行われる。 （もっと読む）