マルチステージ増幅器システム（２００）が、一層良好な整合構成要素及び／又はトリム回路の必要性を低減する、ノイズ及びオフセット寄与を提供する。入力（ＶＩＮ）を受け取り、出力（ＶＯＵＴ１）を供給する第１の増幅器（１０６）を有する第１の増幅器ステージ（２０２）が、第１のオフセット電圧（ＶＯＳ１）を第１の増幅器ステージに提供し、供給レール（１１４）に結合される、第１のオフセット電源（１１０）を含む。出力（ＶＯＵＴ１）を入力として受け取り、出力（ＶＯＵＴ２）を提供する第２の増幅器（１０８）を有する第２の増幅器ステージ（２０４）が、第２のオフセット電圧（ＶＯＳ２）を第２の増幅器ステージに提供する第２のオフセット電源（１１２）を含む。第２のオフセット電源は、第１のオフセット電圧からのノイズ寄与を低減するように第１の増幅器ステージに結合される。
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【課題】 ゲート酸化膜の信頼性を維持しながら、待機時のリーク電流を抑制でき、回路面積の増加を最小限にでき、欠陥を確実に検出することができる半導体集積回路を実現する。
【解決手段】 論理回路１０と電源電圧Ｖ_ddの供給端子との間にスイッチング回路２０を設ける。動作時に、スイッチング回路２０のトランジスタＭＰ０のゲートに０Ｖの電圧を印加し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたは僅かに低いバイアス電圧Ｖ_Bを印加することで、トランジスタＭＰ０のしきい値電圧を低くし、その電流駆動能力を大きくする。待機時にトランジスタＭＰ０のゲートに電源電圧Ｖ_ddと同じ電圧を印加し、ソースに電源電圧より低い電圧を印可し、チャネル領域に電源電圧Ｖ_ddと同じかまたはそれより高いバルクバイアス電圧Ｖ_Bを印加し、トランジスタＭＰ０のドレイン電流を最少化することにより、論理回路１０の電流経路を遮断し、リーク電流の発生を抑制する。 （もっと読む）

収集された電圧（Ｖ_ｈｒｖ）をバッテリ（６）に印加される出力電圧（Ｖ_ＢＡＴ）に変換するための電力管理回路（７−２、３、４）であって、収集された電圧（Ｖ_ｈｒｖ）を受け取るよう結合される第１の端子（３）と第１のスイッチ（Ｓ０）の第１の端子に結合される第２の端子とを有するインダクタ（Ｌ０）を含む。この電力管理回路は、バッテリ（６）がフル充電されていない場合、エナジーハーベスタ（２）により生成された電流をバッテリに転送し、フル充電されている場合、過充電を避けるため、その電流をバッテリ（６）からシャントする。
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１００ＢＡＳＥ−Ｔ接続を維持するためイーサネットケーブル内で残っており大きくダメージを受けていないツイストペアの利用を可能とするシステムが、費用のかかる修繕及び障害なしに提供される。説明される装置は、送信経路（１１０）に結合されるデジタル・アナログ・コンバータ（ＤＡＣ１０８）及び受信経路（１１８）に結合されるアナログ・デジタル・コンバータ（ＡＤＣ１１６）を含む。媒体依存インタフェース（ＭＤＩＸ１０６）が、ＤＡＣ及びＡＤＣに結合され、１００ＢＡＳＥ−Ｔイーサネット接続での通信のため第１のツイストペア（１０４−１）及び第２のツイストペア（１０４−２）を受信するよう適合される。ツイストペアフォールトが検出されると、ＭＤＩＸがフォールトトレランスモードに入り、フォールトのないアクティブツイストペアで物理的全二重１００ＢＡＳＥ−Ｔリンクがつくられる。
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ＢｉＣＭＯＳプロセストランジスタを用いる混合又はハイブリッドモードドライバが、ドライバのプルアップ部の電圧に調和するプルダウン電流を生成するため電流ステアリング回路（電圧駆動差動対の代わりに）を有する。ドライバは、速度を速め、生成する出力同相電圧ゆらぎが一層小さい。回路２００が、出力端子（ＯＵＴＰ、ＯＵＴＮ）を介して電流を供給して負荷１０４を駆動するドライバ２０２（これは、電圧モードと電流モードの組み合わせを用いる）を有する。ドライバ２０２は、ＮＰＮトランジスタ（Ｑ１、Ｑ２、Ｑ７、Ｑ８）、電流源（１０６、２０４、２０６）、及び電流ステアリング回路３０４を有する。電流ステアリング回路３０４は、フィードフォワード・レジスタ・キャパシタ（ＲＣ）ネットワーク（Ｒ５、Ｒ６、Ｃ２、Ｃ３）、入力ＮＰＮトランジスタ（Ｑ９、Ｑ１０）、出力ＮＰＮトランジスタ（Ｑ５、Ｑ６）、電流源（２０８、２１０）、レジスタ（Ｒｌ〜Ｒ４及びＲ７〜Ｒ８）、及びバイパスキャパシタＣ１を有する。ＮＰＮトランジスタはＰＮＰトランジスタで置き換えてもよい。
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従来のリタイマーは全般的に、非常に多くの電力を消費し、ノイズが多く、大きすぎる。また、位相ノイズ及びジッタが、一般的にリタイミングの関数である。開示される装置において、電力消費が低減され、ノイズ特性が改善された、一層小さなフットプリントを提供するために、クロック分周器のためのリタイマー２０２のインテグレーテッド信号ステージ２１２と共に動作するようマッピングされるロジック２０６をプリコンディショナー２０４が有する。
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集積回路デバイス（１００）が、基板パッド（１０２）を含む上面を有する基板（１１０）、及び能動回路を含む上部半導体表面（１０７）と（底面）１０６とを含む半導体基板（１０５）を含む複数の基板貫通ビア（１１５）ダイを含む。上部半導体表面（１０７）は、基板の上面上の基板パッドに結合されるボンドコネクタ１０９を含む。複数の基板貫通ビア（ＴＳＶ）が、底面から外に延びる突出するＴＳＶティップ（１２１）に上側半導体表面から延びる内部金属コア（１２５）を含む。複数のＴＳＶの少なくとも１つが、そこへの如何なる電気的接続もない、突出するＴＳＶティップを有し、ＴＳＶダイの底面からの熱消散を可能にするための付加的な表面領域を提供するダミーＴＳＶ（１２０）である。

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集積回路が、ドレイン領域（１０１０）及びＳＣＲ端子（１０１２）の周りに、低減された表面フィールド（ＲＥＳＵＲＦ）領域（１０２４）と共に形成されるＳＣＲＭＯＳトランジスタを含む。ＲＥＳＵＲＦ領域は、ドリフト領域（１０１４）と同じ導電型であり、ドリフト領域（１０１４）より一層重くドープされる。
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コイルの第１（７Ａ）と第２（７Ｂ）の端子間に結合されるスイッチング回路（Ｓ１〜Ｓ４）を含む、コイル（４）を含むハーベスティングデバイス（１）から収集されるＡＣエネルギーを管理するためのシステム。スイッチング回路は、第１（Ｓ１）、第２（Ｓ２）、第３（Ｓ３）、及び第４（Ｓ４）のスイッチを含む。スイッチ・コントローラ（１７）が、第２及び第４のスイッチを閉じてコイル内の電流（ＩＬｈ）の増大を可能にし、第２及び第４のスイッチの一方を開き、増大されたインダクタ電流が所定のしきい値（Ｉｈｒｖ）に達するのに応答して第３及び第１のスイッチのうちの対応する１つを閉じて、増大されたインダクタ電流を、第３及び第１のスイッチのうちの対応する１つを通じて電流受信デバイス（２４及び／又はＲＬ、ＣＬ）へ導く。
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