説明

日本テキサス・インスツルメンツ株式会社により出願された特許

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第1出力(Vo−)を規定し、第1入力端子(330A)に結合されるゲートを各トランジスタ(315A、320A)が有する第1対のトランジスタ(305A)、第2出力(Vo+)を規定し、第2入力端子(330B)に結合されるゲートを各トランジスタ(315B、320B)が有する第2対のトランジスタ(305B)、第2出力端子(310B)に及び第1対のトランジスタの第1トランジスタ(315A)のゲートに結合される第1キャパシタ(350A)、第2出力端子(310B)に及び第1対の第2トランジスタ(320A)のゲートに結合される第2キャパシタ(355A)、第1出力端子(310A)に及び第2対の第3トランジスタ(315B)のゲートに結合される第3キャパシタ(350B)、及び第1出力端子(310A)に及び第2対の第4トランジスタ(320B)のゲートに結合される第4キャパシタ(355B)を含む増幅器(230)。

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説明した例の半導体デバイスは、半導体基板及び金属コンタクトパッドの上に形成される不活性化層を含む。ENIG無電解めっきプロセスを用いて不活性化層及び金属コンタクトパッドの上にニッケルが、ニッケルの上に金が堆積される。ニッケルは、ニッケルの不活性化層とのインタフェースに及びニッケルの不活性化層及び金属コンタクトパッドとの接合に多孔質ニッケルのない第1非多孔質ニッケル領域(250A)を含み、第1ニッケル層の上の多孔質ニッケル領域(270)も含む。多孔質ニッケル層の上に金領域(260)がある。第2非多孔質ニッケル領域(250B)が多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。金リッチ・ニッケル領域(275)が、多孔質ニッケル領域と金領域との間にあってもよい。堆積されるニッケル及び堆積される金の相対的厚さは、無電解金めっきプロセス中にニッケル層の腐食がデバイス層に達しないように選択される。

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集積回路が、直交周波数分割多重(OFDM)シンボルのサブキャリアの第1の組内に(604)、及び後続OFDMシンボルのサブキャリアの第2の組内に、パイロット信号を符号化するように構成されるロジックを含む。シンボル及び後続シンボルは同一スマートユーティリティネットワークパケット内にある(606)。 (もっと読む)


マルチ・モード・トランシーバ(205)及びマルチ・モード・トランシーバを動作させるための回路(220)が開示される。マルチ・モード・トランシーバは、第1のモードでトランスミッタ及びレシーバの一方として動作するように構成され得る第1の回路(225)及び第2のモードでトランスミッタ及びレシーバの一方として動作するように構成され得る第2の回路(230)を含む。マルチ・モード・トランシーバは、第1の回路に結合される第1の要素を含む。マルチ・モード・トランシーバは、第1の要素及び一つ又は複数のポート(250)に結合される第2の要素を含む。マルチ・モード・トランシーバは更に、第2の要素と第2の回路とに結合され、第1の要素及び第2の要素に関連して第1のモード及び第2のモードの少なくとも一方でトランシーバを動作させるように構成され得る第1のスイッチ(325)を含む。

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集積回路(1000)が、バックサイドキャビティ(1026)が集積回路の基板(1002)内に配置された容量性マイクロホンを含む。基板にエッチャントがアクセスできるように誘電体支持層(1004)を通して基板表面にアクセスホール(1006)を形成することができ、それによってバックサイドキャビティ(1026)が形成される。バックサイドキャビティ(1026)は、容量性マイクロホンの固定プレート(1010)および透過膜(1018)が形成された後で、透過膜およびアクセスホールを通して基板にエッチャントを提供することによってエッチングし得る。
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マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム(MEMS)デバイス(100)が、キャリア面(111)上に中央に開口するキャビティを画定する窪み(117)を有する。前記キャリア面の周囲に導電性リード(112)が組み込まれる。集積回路チップ(101)を含むインセット(120)が、前記窪みの上部(114、116)内に適合され、前記キャビティの覆いとなる。電気的接続(130)が、前記導電性リードを前記チップ上の端子と接続する。前記集積回路チップ及び電気的接続を囲む前記キャリア面にカバー(140)が取り付けられる。周囲環境から前記キャビティを介してチップ内の可動フォイル(105)まで、前記カバー内の孔(141)、前記インセット内の第1及び第2の開口(121、122)、及び集積回路チップ内の開口(104)を含む経路を通して、エアチャネルが提供される。 (もっと読む)


MEMSデバイス(100)が集積回路チップ(101)と、リードフレームベースのプラスチック成形本体(120)を含むパッケージとを有し、パッケージは本体の厚み(121)を通る開口(122)を備える。可動フォイル部品(130)が本体(120)に固定され、開口(122)を少なくとも部分的に横切って延びうる。チップ(101)は、フォイルを横切って拡がるようにリード(110)にフリップ実装され、フォイル(130)からギャップにより隔てられうる。リードは、予め製造された個別部品のリードフレーム上にあってもよく、或いは犠牲キャリア上に金属を堆積し、その金属層をパターニングするプロセスフローによって製造されてもよい。その結果のリードフレームは平坦であってもよく、或いは積層型のパッケージ・オン・パッケージデバイスに有用なオフセット構造を有してもよい。
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スイッチングタイプのDC−DCパワー・コンバータのMOSFETメインスイッチ・トランジスタ(102)のドレインとゲートとの間にプルダウンMOSFET(110)が結合される。プルダウンMOSFET(110)のゲートは、キャパシタ118によってメインスイッチ・トランジスタ(102)のドレインに結合され、抵抗(120)によってメインスイッチ・トランジスタ(102)のソースに接続される。プルダウンMOSFET(110)は、メインスイッチ・トランジスタ(102)にわたる電圧降下への容量性結合によって動作され、ミラー効果によるメインスイッチ・トランジスタ(102)の意図しないターンオンを避ける又は低減するため、メインスイッチ・トランジスタ(102)のゲートをそのソース電位にまたはその近辺に保持するために用いられ得る。

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入力信号(416)の離散コサイン変換(DCT)を実行するための回路は、直列に結合される、順方向加算器ツリー・モジュール(402)、マルチプレクサの第1のセット(404)、共用フローグラフ・モジュール(406)、逆方向加算器ツリー・モジュール(408)、及びマルチプレクサの第2のセット(410)を含む。演算において、マルチプレクサ(404)は、順方向加算器ツリー・モジュール(402)及び共用フローグラフ・モジュール(406)を介して入力信号を処理して、入力信号(416)の順方向DCTを実行する、又は、共用フローグラフ・モジュール(406)及び逆方向加算器ツリー・モジュール(408)を介して入力信号(416)の逆DCTを実行するように構成される。

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充電器(206)によってバッテリ(202)を充電するためのバッテリ管理システム(204)が、トランジスタ(208、210)と、充電ポンプ(220、222)またはプッシュプル出力ドライバ(290、292)のいずれかとを含む。トランジスタ(208、210)は、バッテリ(202)と充電器(206)からの電圧との間の電気的接続を増減させ、充電ポンプ(220、222)またはプッシュプル出力ドライバ(290、292)が生成するパルス幅変調駆動信号に応答してオンおよびオフすることによって充電器からバッテリに充電電流を送出する。充電ポンプまたはプッシュプル出力ドライバは、充電器からの電圧が予備充電閾値電圧より大きいとき駆動信号を増加させ、充電器からの電圧が予備充電閾値電圧より小さいとき駆動信号を減少させる。
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