【課題】 試料台としての剛性を確保しつつ微小試料の薄片化時間を短縮できる微小試料台を提供すること。
【解決手段】 微小試料台１０は、全シリコン製であり、上下方向（Ｚ方向）に４段を有する多段構造である。微小試料台１０を側面から見ると、中心面Ａに対して対称形であり、上方の段ほど厚さ（Ｙ方向の長さ）が薄い。微小試料台１０の第１段１１と第２段１２はＸ方向に延設されているが、第３段１３〜５３と第４段１４〜５４とからそれぞれ構成される５つの突状部分１〜５は、Ｘ方向に配列して第２段１２の上面からＺ方向に突設されている。突状部分１〜５は、高さ（Ｚ方向の長さ）及び厚さ（Ｙ方向の長さ）は一律であるが、幅（Ｘ方向の長さ）は微小試料片Ｓの寸法などに応じて任意に形成することができる。微小試料片Ｓは、その表面、すなわち薄片化調製が行われる平面がＸＺ面に平行となるように、第４段１４〜５４に固定される。 （もっと読む）

【課題】 側面に微小試料片を確実に固定することができる微小試料台を提供すること。
【解決手段】 微小試料台１０は、全てシリコン製であり、上下方向（Ｚ方向）に４段を有する多段構造である。微小試料台１０の第１段１１と第２段１２はＸ方向に延設されているが、第３段１３〜５３と第４段１４〜５４とからそれぞれ構成される５つの突状部分１〜５は、Ｘ方向に配列して第２段１２の上面からＺ方向に突設されている。微小試料片Ｓは、微小試料台１０の第４段１４〜５４のいずれかに固定されるが、固定する位置としては、次の３通りがある。第１は、第４段５４を例として示す上面（頂面）に立設する場合であり、第２は、第４段４４を例として示す側面Ｐに設置する場合であり、第３は、第４段２４を例として示す側面Ｑに設置する場合である。第４段１４〜５４の側面Ｐ，Ｑには平滑化処理が施されているので、微小試料片Ｓを確実に固定できる。 （もっと読む）

【課題】 複数個の微小試料台を保管したり運搬する際の取り扱いを簡便とすること。
【解決手段】 微小試料台１０の集合体である微小試料台集合体５０は、複数の微小試料台１０がＸ方向に直線状に規則正しく配列され、このような列がＺ方向に突き抜けた空間ＳＰを挟んでＹ方向に並列に規則正しく配置されている。微小試料台１０同士は、連結リブ６０を介して直列に連結され、各列において最も外側にある微小試料台１０の一端が接続リブ８０を介して外枠７０の突起部７０ａに接続されている。微小試料台１０、連結リブ６０、外枠７０および接続リブ８０は、全てシリコン製であり、単結晶シリコンウエハ１０１から一体で作製される。微小試料台１０を分離するときは、連結リブ６０、接続リブ８０を折って切り離す。 （もっと読む）

【課題】 簡単な作業でかつ光検出部に傷をつけることなく光検出半導体素子の光検出部が露出した光検出半導体装置を作製することができる光検出半導体素子の製造方法及びその製造方法で作製した光検出半導体装置を提供する。
【解決手段】 金属板３１に外部電極用金属層３３を形成した後に、金属板２１に額縁形状のアンダーフィル３４を塗布する。次にバンプ５が形成された光検出半導体素子２を外部電極用金属層３３に超音波接合する。ここで、金属板３１と額縁形状のアンダーフィル３４と光検出半導体素子２とにより光検出半導体素子２の光検出部２Ａは密閉される。次に、光検出半導体素子２およびアンダーフィル３４を樹脂６によって封止する。光検出半導体素子２の光検出部２Ａはアンダーフィル３４などによって密閉されているので、樹脂６に覆われない。次に、金属板３１を剥離する。そして、１点差線６１に沿って分割され、光検出半導体装置１が完成する。 （もっと読む）

【課題】
電鋳で形成した外部電極と半導体素子を樹脂封止して作製された半導体装置において、半導体素子の搭載パッドレスの半導体装置およびその半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体素子２と、この半導体素子２とが接続され、回路基板と接合される電鋳製の外部電極３ｂと、半導体素子２と外部電極３ｂとボンディングワイヤ５とを樹脂で封止した半導体装置１であって、外部電極用の電鋳が形成された金属板の上に半導体素子２を接着固定した状態でワイヤボンディングして樹脂によって封止する。そして、樹脂封止後に金属板を剥離して得られた樹脂封止体４０を個片化して一つの半導体装置１を得る。したがって、半導体素子２の搭載パッドは不要である。 （もっと読む）

【課題】
リフロー炉に通炉して生ずるクラックの発生を防止することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置１は半導体素子２、外部電極３ｂ、搭載パッド部４ｂからなる。搭載パッド部４ｂの略中央には不図示のボンディング剤が塗布され、半導体素子２は固定される。搭載パッド部４ｂは矩形形状であり、４辺のうちの２辺７ａ，７ｂの形状は波状形状である。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂの上面にはワイヤ５と接続するためのＡｇ層３ａ，４ａが形成され、下面にはＳｎ−Ｐｂ層３ｃ，４ｃが形成される。半導体素子２と外部電極３ｂとはＡｕのワイヤ５によって電気的に接続している。半導体素子２、ワイヤ５、外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、エポキシ樹脂などからなる樹脂６によって封止される。 （もっと読む）

【課題】
半導体装置が回路基板からはがれないという補強パッドの効果を維持しつつ、半導体装置を小型化することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置１の底面には、半導体素子２と電気的に接続している外部電極３ｂと半導体素子２を搭載している実装パッド部４ｂとのほかに補強パッド７ｂ〜１０ｂを設ける。補強パッド７ｂ〜１０ｂは、４本の直線１０１ａ〜１０１ｄで囲まれる範囲に設けられ、補強パッド７ｂは直線１０１ｂおよび１０１ｃと内側で接する位置または最外辺がそれより外側になる位置に、補強パッド８ｂは直線１０１ｂおよび１０１ｄと内側で接する位置または最外辺がそれより外側になる位置に、補強パッド９ｂは直線１０１ａおよび１０１ｄと内側で接する位置または最外辺がそれより外側になる位置に、補強パッド１０ｂは直線１０１ａおよび１０１ｃと内側で接する位置または最外辺がそれより外側になる位置に設けられる。 （もっと読む）

【課題】
電気特性および放熱特性の優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体素子２は、搭載パッド部４ｂの略中央に実装される。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、Ｃｕからなる。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂの上面には、ワイヤ５と外部電極３ｂとが接続するために、Ａｇ層３ａ，４ａが形成され、下面には、外部電極３ｂと搭載パッド部４ｂとが半田と接続するために、Ｓｎ−Ｐｂ層３ｃ，４ｃが形成される。また、半導体素子２と外部電極３ｂとはＡｕのワイヤ５によって電気的に接続しており、６つの外部電極３ｂのうちの４つの外部電極３ｂと半導体素子２とが電気的に接続している。そして、半導体素子２、ワイヤ５、外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂは、エポキシ樹脂などからなる樹脂６によって封止される。 （もっと読む）

【課題】認識マークを別途形成しなくても半導体装置の第１ｐｉｎに対応する端子の位置を認識することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２は、搭載パッド部４ｂに実装される。外部電極３ｂおよび搭載パッド部４ｂの上面側には、Ａｇ層３ａ，４ａが形成され、下面側には、Ｓｎ層３ｃ，４ｃが形成される。半導体装置１には、外部電極３ｂと搭載パッド部４ｂのほかに補強パッド７ｂ〜１０ｂを設ける。補強パッド７ｂ〜１０ｂの上面側にはＡｇ層７ａ〜１０ａが形成され、下面側にはＳｎ層７ｃ〜１０ｃが形成される。補強パッド７ｂ〜１０ｂを半導体装置１の底面の４隅の位置に設ける。４つの補強パッド７ｂ〜１０ｂのうち、３つの補強パッド８ｂ〜１０ｂの形状は正方形とし、１つの補強パッド７ｂの形状は直角二等辺三角形とする。 （もっと読む）

【課題】
金属層の成膜を安定して精度よく行うことができ、また、半導体装置の製造コストが安くなる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
可撓性を有する金属板にパターニングされたＮｉ層２３とＡｇ層２４とを形成する。そ次に、Ａｇ層２４に複数の半導体素子２を隣接して搭載する。そして、ワイヤボンディングによって、Ａｇ層２４と半導体素子２とをワイヤ５によって接続する。次に、半導体素子２、ワイヤ５、Ｎｉ層２３およびＡｇ層２４を樹脂６によって封止し、金属板２１を剥離して樹脂封止体５０を作製する。そして、樹脂封止体５０をＳｎ−Ｐｂめっき溶液に浸漬し、剥離面５１にパターニングされたＳｎ−Ｐｂ層５２を形成する。次に、２点鎖線５３に沿って、ダイヤモンドブレード・ダイシング法で樹脂封止体５０をダイシングする。そして、一つの樹脂封止体５０が分割され、半導体装置１が完成する。 （もっと読む）