説明

株式会社エイコー・エンジニアリングにより出願された特許

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【課題】簡単な操作により基板sと基板ホルダ1の急速冷却を可能とし、基板処理のスループットの向上を図る。
【解決手段】基板加熱冷却装置は、基板ホルダ1とこれに装着された基板sを加熱するヒータ5と、このヒータ5から発射される熱を基板ホルダ1と基板s側に反射する反射鏡6とを有し、前記反射鏡6に基板sが配置される真空チャンバ24の外側で冷却される冷媒を流通させる冷媒通路8を設け、前記基板sを装着した基板ホルダ1を移動させ、同基板ホルダ1を弾性部材11を介して押し上げ、前記反射鏡6に当接し、離間する移動機構を備える。 (もっと読む)


【課題】接合しようとする一対の基板の接合面を1台の処理設備により効率よく短時間でプラズマ処理し、それに続いて容易に基板の接合をする。
【解決手段】プラズマ基板表面処理接合装置は、接合する一対の基板18、28の接合面をプラズマ処理するためのプラズマ電極32と、そのプラズマ処理した一対の基板18、28の接合面を当接して接合するホルダ押し上げロッド31とを有する。一対の基板18、28を互いに対向させた状態で位置決めピン24と位置決め孔14とにより相互に位置決めする。前記ホルダ押し上げロッド31により基板の接合面を互いに離間して対向させ、その接合面の間にプラズマ電極を挿入してプラズマを形成し、基板18、28の接合面を同時にプラズマ処理する。その後基板18、28の接合面を当接するよう基板を移動し、基板18、28を加圧して圧着する。 (もっと読む)


【課題】面倒なアクチュエータの位置合わせ調整を行うことなく、ターゲットテーブル1を正確な位置に停止することが出来る位置決め機構を備える。
【解決手段】スパッタリング用マルチターゲット装置は、ターゲットテーブル21のターゲット29がターゲット保持部30の真下に停止するよう位置決めする位置決め手段を有し、前記ターゲット保持部30の位置に複数のターゲット9を順次供給する。ターゲット保持部30に対して固定されたストッパホルダ27により、ターゲットテーブル21の径方向にスライド自在に保持されたストッパ31と、ターゲット29を設けたターゲットテーブル21上に固定され、前記ストッパ31を受けるストッパ受け28と、ストッパ31をターゲットテーブル21の径方向にスライド駆動するストッパ駆動機構とを有する。 (もっと読む)


【課題】必要とするターゲットの数が増えても、真空チャンバの径を大きくしなくても済み、全体して真空チャンバの小型化を図る。
【解決手段】マルチターゲットスパッタリング装置は、真空チャンバ1内のスパッタリング位置に複数のターゲット7を順次搬送し、前記スパッタリング位置でターゲット7を順次スパッタリングして同ターゲット7と対向する基板12上に薄膜を堆積させる。複数のターゲット7を円上に並べて配置したターゲットホルダ3を真空チャンバ1内に上下に多段に設け、このターゲットホルダ3を前記の円の中心の回りに間欠回転させる回転機構5と、ターゲットホルダ3から一つのターゲット7を上下移動させて、同ターゲット7をスパッタリング位置へ搬送し、さらに同ターゲット7をスパッタリング位置からターゲットホルダ3に戻す昇降機構4とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板5とターゲット3との間の放電領域内において電離するガス分子の圧力を均等化し、これにより電離した荷電粒子をターゲット3に均等の衝突させて、基板5上に均等な膜厚の薄膜を形成する。
【解決手段】スパッタリング装置は、真空チャンバ1内にターゲット3を配置し、同真空チャンバ1内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット3に衝突させて、これによりターゲット3から発生して粒子をターゲット3と対向する基板5上に堆積させて薄膜を形成するものである。ここで、真空チャンバ1内に希薄ガスを供給するノズル9に多数の小孔を有するオリフィス22を設ける。オリフィス22の小孔の径は0.5μm〜1μmが適当である。 (もっと読む)


【課題】単一の真空チャンバで様々な接合技術を選択して使用することが出来ると共に、それらの併用を可能とする。
【解決手段】基板接合装置は、接合すべき一対の基板6、7を互いに対向するよう保持する基板ホルダ2、3と、この基板6、7の接合すべき面に向けて配置したイオン・ラジカル源11、11と、前記の少なくとも一方の基板ホルダ2、3を移動させて基板2、3の接合すべき表面を互いに接触、加圧する移動機構とを有する。そして、前記イオン・ラジカル源11、11は、プラズマ中でガスをイオン化及び/またはラジカル化するプラズマ室12、12と、このプラズマ室12、12で発生したイオンを前記基板6、7の接合すべき面に向けて発射するイオン引出電極14、14と、イオンをトラップし、前記プラズマ室12、12で発生したラジカルのみを前記基板6、7の接合すべき面に向けて発射するイオントラップ電極15、15とを有する。 (もっと読む)


【課題】単一のヒータ3で射出口7の周りの温度を坩堝よりやや高い温度に維持することが出来、これにより、射出口での放出分子の固体化が起こりにくく、射出口が詰まりにくくする。
【解決手段】薄膜堆積用分子線源セルは、成膜材料を収納する坩堝1と、この坩堝1に収納した成膜材料を加熱して昇華または蒸発させて、分子を発生させるためのヒータ3と、坩堝1の開口部側に設けられ、成膜面に向けて分子を放出する出射口7とを有する。そして、前記ヒータ3を坩堝1に近接させると共に、同ヒータ3から熱の伝達を直接受ける伝熱部材4と前記出射口7を設けた遮蔽部材6とを一体とするかまたは連結している。伝熱部材4と坩堝1を収納した坩堝ホルダ5との間に隙間gを設け、さらに坩堝1と出射口7の間にオリフィス2を配置し、このオリフィス2と伝熱部材4との接触部2aの肉厚を他の部分より薄くするている。 (もっと読む)


【課題】ホルダ挟み6でホルダ8を掴んだときに、ホルダ8が容易にずれたり脱落せずに、しかもホルダ8の着脱動作を簡単な操作で確実に行うことが出来るようにする。
【解決手段】ホルダ搬送機構は、トレイ状であって、外周面に段部14を有するホルダ8を、その外周面の段部14に両側から差し込んだ二股状のホルダ挟み6によって保持した状態で搬送し、ホルダ受け9、21に装着し、或いはホルダ受け9、21から取り上げるものである。このホルダ挟み6を取り付けたアーム7側にストッパ12を設け、このストッパ10がホルダ8に掛かる方向の弾力を付勢すると共に、ホルダ8をホルダ受け9に装着したとき、同ホルダ受け9から反力を受け、前記弾力に抗してストッパ10がホルダ8から外れる方向に移動させる反力受16をストッパ10に設けている。 (もっと読む)


【課題】昇華性の成膜材料6からの安定して分子を放出すると共に、成膜材料6の歩留まりを向上する。
【解決手段】薄膜形成装置は、成膜材料6に向けて電子束を照射する電子銃5を備え、この電子銃5から成膜材料6に電子束を照射し、成膜材料6から分子を放出して個体表面に被着させ、薄膜を形成するものであり、成膜材料6を回転させる回転機構4を備え、成膜材料6を回転しながらその表面に電子銃5から電子束を照射することにより、成膜材料6の表面に対する電子束の照射位置を変えながら分子を放射するものである。このような薄膜形成装置は、特に成膜材料6の表面に対し電子銃5から斜めに電子束を照射する形式のものに適用するとその効果が大きい。また、成膜材料6は電子束の照射により溶融せずに分子を放出する昇華性のものからなるものに適用するのが最適である。 (もっと読む)


【課題】多数のターゲット7を容積の小さい真空チャンバ1内に収納し、ターゲット位置へのローディングとアンローディングを可能とする。
【解決手段】マルチターゲットスパッタリング装置は、真空チャンバ1内で複数のターゲット7を縦に一定の間隔で並べて配置したターゲット列3と、このターゲット列3を前記ターゲット7の間隔毎に上方または下方に移動するターゲット上下移動機構6と、ターゲット列3から一つのターゲット7を水平移動させて、同ターゲット7をスパッタリング位置へ搬送し、さらに同ターゲット7をスパッタリング位置からターゲット列3に戻すターゲットローディング部10とを有する。 (もっと読む)


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