本発明は、電極、電解質（Ｅ）及びキャリア支持材を備えたアッセンブリーに関する。該アッセンブリーは燃料電池に適している。電極と電解質（Ｅ）との間に、電極に電解質（Ｅ）を適応させるためのアダプテーション層（ＡＤ）が配置され、この際、アダプテーション層（ＡＤ）の平均孔径は、電極の平均孔径よりも小さい。
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本発明による、高温燃料電池のための基板支持されたアノードは、金属基板上に少なくとも３層のアノード層複合体（Ａ１、Ａ２、Ａ３）を有する。アノード層複合体の個々の層は、それぞれ酸化イットリウム安定化二酸化ジルコニウム（ＹＳＺ）およびニッケルを含んでおり、その際、ニッケルの平均粒径は、基板からの間隔が増すにつれて層ごとに小さくなる。アノード層複合体の最後の、電解質との接触のために設けられた層は、４μｍ未満の、本発明の枠内では平均表面粗さとも言う二乗平均平方根粗さＲ_ｑを示す。この層の全体の平均孔径は、一貫して０．３〜１．５μｍの間である。高温燃料電池のためのこのような基板支持されたアノードの製造方法においては、アノード層複合体の少なくとも第１および第２の層には、酸化イットリウム安定化二酸化ジルコニウム（ＹＳＺ）およびニッケル含有粉末の二峰性の粒径分布を有する原料粉末が使用される。使用されるニッケル含有粉末の平均粒径は層ごとに小さくなり、これによりアノード層複合体の最後の層での粒径は、有利には最大０．５μｍである。
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本発明は、エラストマーを用いて細胞を調査する装置及びその使用方法に関する。このエラストマー（１）は、底部（２，３）とそれよりも厚い周縁領域（４，６，８）とを有し、底部（３）には、規則的な微細構造が配置されている。そのようなエラストマーは、特に、一軸方向式の延伸調査に適している。そのような装置の有利な使用方法も同じく開示している。
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試料によって引き起こされる力の相互作用を測定する方法であって、先端は、試料に対するバイアス電圧を印加されて、先端と試料の間に測定可能な電流が流れるような小さい間隔にまで試料の方に動かれるとともに、その先端と試料の接点を通って流れる電流を力の相互作用の大きさに応じて変化させるセンサー・信号変換器（Ｓ）が、力の相互作用の範囲内に形成されて使用される方法である。そのための走査トンネル顕微鏡を開示している。
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本発明は、太陽電池のためのＺｎＯコンタクト層の製造方法に関する。この層は、テクスチャを生成するためにフッ化水素酸でエッチングされる。
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本発明は、両親媒性分子の混合物およびこれらの分子との膜融合によるｉｎ ｖｉｖｏ細胞修飾方法に関する。 （もっと読む）

本発明は、ストリップ形状の素子を形成して直列接続するための方法であって、従来技術に比べて、直列接続に必要な面積の減少が実現される方法に関する。
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本発明は、時間変動する磁束又は磁束勾配のための測定機器、電気抵抗素子及び本発明による測定機器又は電気抵抗素子を備える測定システムに関する。測定機器の主要部品は、超電導状態に相転移する母材から成る磁束変換器である。本発明によれば、この磁束変換器は、前記母材が超電導状態にあるときにも、導体ループ内の電気エネルギーを消費するために零でない電気抵抗を有する少なくとも１つの電力消費領域を備える。その際、本発明によれば、導体ループと磁場源は一平面内に配置され、通常はフォトリソグラフィによって構造化される。測定機器の主要構成要素として、抵抗値が≦１０^−４Ωの本発明による抵抗素子を使用可能である。本発明によれば、当技術分野の従来の測定機器又は測定システムで可能であったよりも小さい雑音及び高い感度で、広い周波数範囲での測定が可能である。
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本発明は、電気化学セル及び溶液から無担体の放射性核種を一方の電極に分離する方法に関する。本発明では、電気化学セル内の水溶液から、ダイヤモンドコーティングされたアノード（１）に¹⁸Ｆを析出させる。それに続いて、電気化学セルを乾燥して、相関移動触媒を含む液体を投入し、有利には、アノードをカソードとして切り換えて、¹⁸Ｆを液相に移行させる。
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本発明は、メモリ素子と本メモリ素子を使用可能な積層体及びメモリマトリックス、メモリマトリックスの動作方法、並びにメモリ素子から成る配列構成で論理演算の真理値を決定方法に関する。本メモリ素子は、少なくとも第１の安定な状態０と第２の安定な状態１を有する。本メモリ素子は、第１の書込電圧Ｖ₀ の印加によって抵抗が高い方の状態０に移行でき、第２の書込電圧Ｖ₁ の印加によって同様に抵抗が高い方の状態１に移行できる。書込電圧Ｖ₀ 及びＶ₁ よりも絶対値が小さい読出電圧Ｖ_R を印加した場合、本メモリ素子は異なる電気抵抗値を示す。本メモリ素子は、メモリマトリックス内に生じる寄生電流経路内でオーム抵抗が高い抵抗器として作用し、それによって、原理的にユニポーラ型スイッチに限定するものではない。本発明によるメモリ素子から成る配列構成を任意の論理演算用のゲートとして改編できる方法を開発した。
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