本発明者は、基板ウェーハが真空チャックの上に適切に載置されるかどうかを決定するために、基板ウェーハが位置決めされる真空チャック／ヒータを用いる方法を発見した。本方法は、基板の下にある閉じ込められた空間における圧力の増大率の測定を用いる。基板は真空チャック／ヒータ装置の上表面に対して密閉して封止されていないため、基板表面の上方の処理チャンバからの圧力は、基板の縁部の周囲およびより低い圧力である基板の下の空間に漏れやすい。圧力振動子などの圧力測定デバイスは、基板の下に存在する閉じ込められた空間と連通している。閉じ込められた空間における圧力増大率が測定される。基板が真空チャック／ヒータ装置の上に申し分なく位置決めされている場合には、基板の下の閉じ込められた空間における圧力増大率は緩慢である。基板が真空チャック／ヒータ装置の上に申し分なく位置決めされていない場合には、圧力増大率はより高速である。 （もっと読む）

基板を電子ビーム処理する方法及び装置が提供される。真空チャンバ、該真空チャンバと連通する少なくとも１つの熱電対アセンブリ、上記真空チャンバと連通する加熱装置、及びその組み合せを備えた電子ビーム装置が提供される。一実施形態において、真空チャンバは、電子源を備え、該電子源は、高電圧源に接続されたカソードと、低電圧源に接続されたアノードと、基板支持体とを備えている。別の実施形態では、真空チャンバは、アノードと基板支持体との間に置かれたグリッドを備えている。一実施形態では、加熱装置は、第１の平行なライトアレイ及び第２のライトアレイを備え、これら第１の平行なライトアレイ及び第２のライトアレイは交差する。一実施形態では、熱電対アセンブリは、窒化アルミニウムで作られた温度センサを備えている。 （もっと読む）

【課題】ガス源と、ＲＦ（無線周波数）電源と基板処理チャンバにとに結合されたガス管を含む基板堆積装置を提供する。
【解決手段】ガス管は、プロセスガスおよび洗浄プラズマを該ガス源／遠隔プラズマガス源から該基板処理チャンバに搬送するように適合されており、該ＲＦ電源は、ＲＦ電力を該基板処理チャンバに結合させるように適合されている。さらに、ＲＦチョーク１０２は該ＲＦ電源および該ガス源に結合されており、ＲＦチョークは、該ＲＦ電源と該ガス源間の電圧差を減衰して、基板処理中の該ガス管におけるプラズマ形成を防止するように適合されている。 （もっと読む）

【課題】 残渣を形成させずにプラズマエッチングリアクタ内で高ｋ誘電材料をエッチングする方法の提供。
【解決手段】 一実施態様においては、ＢＣｌ_３を有する第１プラズマガス反応種混合物で高ｋ誘電材料をプラズマエッチングするステップを含む方法が提供される。高ｋ誘電材料は、シリコン層を有するスタックにおいてＡｌ_２Ｏ_３を含むことができる。エッチングするステップは、パッシベーションガス、例えば、Ｃ_２Ｈ_４を供給するステップを含むことができ、希ガス、例えば、Ｈｅのような希釈ガスを供給するステップを更に含むことができる。ある実施態様においては、エッチングは反応性イオンエッチングプロセスにより行うことができる。 （もっと読む）

本発明によるバンド間搬送モジュールは基板キャリア（例えば、小ロット用基板キャリア）をあるコンベヤから別のコンベヤへと或いは同一のコンベヤ上の２点間で搬送するための基板キャリア輸送システム又はその他のシステムと共に使用することができる。基板キャリアの搬送（例えば、ピックアンドプレース）は異なる速度で進むコンベヤ間で行ってもよい。多数のその他の態様及び構成が開示される。

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【課題】良好なギャップフィルを提供可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１１は、シャワーヘッド１３と、ステージ１５と、ホルダ１７と、チャンバ１９とを備える。シャワーヘッド１３は、原料ガスＧを供給するものである。ステージ１５は、基板Ｗを搭載するものである。ホルダ１７は、ステージ１５上に基板Ｗを取り付けるために用いられる。チャンバ１９は、シャワーヘッド１３、ステージ１５およびホルダ１７を収容する。ステージ１５およびシャワーヘッド１３は、この順に所定の軸Ａｘに沿って配置されており、ステージ１５は、基板Ｗの裏面Ｗ_Ｂを支持するための支持面１５ａを有している。支持面１５ａは、所定の軸Ａｘの方向に盛り上がる曲面を含む。 （もっと読む）

電子銃に用いる電子ビーム源。電子ビーム源は先端に端部を有するエミッタを含む。エミッタは電子ビームを生成するように構成される。電子ビーム源は、エミッタの先端が抑制電極から突出し、引出し電極がエミッタの先端に隣接して配置されるようにエミッタを横方向に包囲するサップレッサ電極をさらに含む。引出し電極は、磁界が電子ビームの軸と同心の磁気ディスクを含む。 （もっと読む）

基板処理チャンバのためのコンポーネントを製造する方法には、内側及び外側表面を有するプリフォームを提供し、凸部と凹部とを含むテクスチャのあるフィーチャーのパターンでテクスチャを施した表面を有するマンドレルを提供することが含まれる。プリフォームコンポーネントの内側表面を、マンドレルのテクスチャを施した表面と接触させ、プリフォームの外側表面に圧力を印加する。圧力は、マンドレルのテクスチャを施した表面全体にプリフォームを可塑変形させる十分に高いものであり、テクスチャのあるフィーチャーのパターンを含むテクスチャを施した内側表面を有するコンポーネントを形成する。これらの形状及びサイズは、基板処理において生成されたプロセス残渣を付着するようなものである。

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【課題】プラズマ処理チャンバにおける可変インピーダンス負荷による反射を減少させるためのＲＦ整合回路網の装置および整合方法の提供。
【解決手段】可変インピーダンス負荷３０２をＲＦ発生器３０４のインピーダンスに整合させるためのＲＦ整合回路網３００において、固定値を有する負荷コンデンサ２０４は、入力接地フランジ２０６と入力コア２０２との間に軸を中心にして対称かつ同心円状に配列され、かつ、それらを結合する。入力コア２０２は、コンデンサ極板２２０に結合される。出力ディスク２２８が可変インピーダンス負荷３０２結合される。さらに、同調コンデンサ２２２が、入力コア２０２と出力ディスク２２８との間に軸を中心にして対称かつ同心円状に配列され、かつ、それらを結合する。入力コア２０２は、ＲＦ供給システム３０５に結合された構成とする。 （もっと読む）

一実施形態において、形態的に安定していられる誘電材料を形成する為の方法であって、化学気相堆積（ＣＶＤ）処理中にハフニウムシリケート材料を形成する為に基板をハフニウム前駆物質、シリコン前駆物質、酸化ガスに晒し、後に、任意的に、基板を堆積後アニール、窒化処理、熱アニール処理を施す方法が提供されている。一部の例において、金属有機ＣＶＤ（ＭＯＣＶＤ）処理中に使用されるハフニウム及びシリコン前駆物質は、テトラキス（ジエチルアミド）ハフニウム（ＥＤＥＡＨ）及びトリス（ジメチルアミド）シラン（トリス−ＤＭＡＳ）のようなアルキルアミノ化合物である。他の実施形態において、タンタラム、チタン、アルミニウム、ジルコニウム、ランタナム、それらの組合せを含む様々な金属シリケートを形成する為に、他の金属前駆物質が使用されてもよい。
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