本発明の実施形態は、超小型電子構造の形成に関する。３２ｎｍの次のテクノロジーノード向けの低誘電率誘電体材料は、約２．６未満の誘電率を呈する必要がある。本発明により、全体として超小型電子構造の曲げおよび剪断強度の完全性を向上させながら、そのような低誘電率誘電体材料を使用する半導体デバイスを形成することが可能になる。
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堆積プロセスのための方法および装置を、本明細書で提供する。いくつかの実施形態において、装置は、サセプタプレートの上面内に配設されるポケットを有し、かつ上面内に形成されポケットを取り囲むリップを有するサセプタプレートであって、リップがリップ上に基板を支持するように構成される、サセプタプレートと、ポケットからサセプタプレートの上面に延在し、基板がリップ上に配設されるとき、基板の裏側とポケットの間に閉じ込められるガスを排気する複数の通風口とを備える基板支持体を含むことができる。基板上に層を堆積するため、本発明の装置を使用する方法も開示される。 （もっと読む）

２つのトランジスタと２つのダイオードとを含むランプドライバ回路を有する急速熱処理チャンバが説明される。急速熱処理チャンバは、複数のハロゲンランプと、ランプドライバと、ウエハ温度を測定する温度センサとランプドライバとに接続された温度コントローラであり、ウエハ温度と所望の温度との関数である制御信号をランプドライバに供給する温度コントローラとを含む。ランプドライバは、複数のハロゲンランプに供給される電力の力率が０．９から１の範囲にあるように制御信号によって制御される２つのトランジスタを含む。
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本発明の実施形態は、概して基板処理チャンバ内でアーク放電及び寄生プラズマを低減するための装置に関する。装置は、概して、基板支持体、バッキングプレート、及びシャワーヘッドを内部に配置した処理チャンバを含む。シャワーヘッドサスペンションは、バッキングプレートをシャワーヘッドに電気的に結合する。導電性ブラケットは、バッキングプレートに結合し、シャワーヘッドから離間している。導電性ブラケットは、プレート、下部、上部、及び垂直拡張部を含むことができる。導電性ブラケットは、電気絶縁体に接触している。
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本明細書において説明されるのは、一実施形態において、ガス分配シャワーヘッドアセンブリを製作するための例示的な方法及び装置である。一実施形態において、この方法は、半導体プロセスチャンバ内にプロセスガスを分配するための第１のセットの貫通孔を有するガス分配プレートを提供することを含む。この第1のセットの貫通孔は、プレート（例えば、アルミニウムの基板）の背面上に位置する。この方法は、ガス分配プレートの洗浄された表面上にコーティング材料（例えば、イットリアベースの材料）を噴霧（例えば、プラズマ噴霧）することを含む。この方法は、コーティング材料の厚さを低減するために、表面からコーティング材料の一部分を除去（例えば、表面研削）することを含む。この方法は、コーティング材料内に第２のセットの貫通孔を形成（例えば、ＵＶレーザー穿孔、加工）し、この第２のセットの貫通孔は第１のセットの貫通孔に合わせて配置されるようにすることを含む。
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研磨パッドを支持する表面を有するプラテンおよび渦電流信号を生成する渦電流モニタシステムを備える化学機械研磨用の装置。渦電流モニタシステムは、磁心および磁心の一部分の周囲に巻かれたコイルを有する。磁心は、後部部分と、後部部分からプラテンの表面に直角の第１の方向に延び、プラテンの表面と平行な第２の方向に幅を有する第１の突起部と、第１の突起部の両側に、第１の突起部から等距離に位置する、後部部分から第１の突出部と平行に延びる第２および第３の突起部とを有する。第２および第３の突起部のそれぞれと第１の突起部との間隔は、第１の突起部の幅のほぼ２倍に等しい。
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プラズマ処理チャンバ内の温度を、短いコントローラ応答時間及び高い安定性で制御する方法及びシステムが提供される。温度制御は、処理チャンバへのプラズマ電力入力から導かれたフィードフォワード制御信号に少なくとも部分的に基づく。フィードフォワード制御信号は、プラズマ電力に起因する温度の擾乱を補償するものであり、計測温度と所望の温度との間の誤差を打ち消すフィードバック制御信号と組み合せることができる。 （もっと読む）

誘電体層の形成方法が記載される。この方法は、シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合するステップと、誘電体層を基板上に堆積させるステップとを含むことができる。ラジカル−窒素前駆体は、遠隔プラズマ内で、窒素／水素比の調整を可能にするために、プラズマの中に水素（Ｈ_２）および窒素（Ｎ_２）を流すことによって形成される。誘電体層は、最初にシリコン−窒素含有層であり、膜を酸素含有環境内で硬化および／またはアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換され得る。
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本発明の実施形態は、処理チャンバとロードロックチャンバの間の搬送中に、基板を冷却するために冷却板が取り付けられている搬送ロボットを提供する。一実施形態では、冷却板は、搬送される基板の下にある搬送ロボットに取り付けられた単一で大面積の冷却板である。別の一実施形態では、冷却板は、搬送される基板の下にある搬送ロボットに取り付けられた基板のアレイである。冷却板は、冷却板全体に冷却液を循環させるためのコンジットの経路を含むことができる。冷却板は、高放射率コーティングを備えた上面を有することができる。
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本発明の諸実施形態は、多層堆積する間中の欠陥を低減する方法を提示する。一実施形態では、この方法は、基板をプラズマの存在下で第１のガス混合物および不活性ガスに曝して、基板上に第１の材料の層を堆積するステップと、第１の材料の所望の厚さが得られたときに、プラズマを引き続き維持しつつ不活性ガスを流しながら、第１のガス混合物を終了させるステップと、基板をプラズマの存在下で、第１のガス混合物と共存できる不活性ガスおよび第２のガス混合物に曝して、第１の材料の層の上に第２の材料の層を同じ処理チャンバ内で堆積するステップとを含み、第１の材料の層と第２の材料の層は互いに異なる。
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