【課題】銅合金、例えばＣｕ−Ｍｇ又はＣｕ−Ａｌの層がシリコン酸化物をベースにした誘電体層上に堆積され、銅合金の層上に実質的に純粋の銅の層が堆積される銅のメタライゼーション構造およびその形成方法を提供する。
【解決手段】銅合金の層(112) は、通路の孔及びトレンチ(66)を続いて純粋な銅(112) で充填するためのシード又はウエッティング層として働き、下にある誘電体(64)と上にある純粋な銅(112) との境界面にバリアを与える。銅合金(112) は、スパッタ工程においてコールド堆積されてもよいが、純粋な銅層の堆積中か、その後に分離したアニーリングステップにおて、温度が充分上昇され、銅合金の合金元素が誘電体層に移動するようにする。内部のバリアは合金層の誘電体層への接着を促進し、それによって、続く銅の完全充填技術に対する優れたウエッティング及びシード層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点の検出器及び方法を提供する。
【解決手段】 基板上の層の均一性を、係る層の研磨の最中にインシチュウで測定する方法である。この方法は、：研磨中にレーザービームを層へ向けるステップと；光ビームの基板からの反射されることにより発生する干渉信号をモニタするステップと；この干渉信号から均一性の尺度を計算するステップとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 高いＤＣバイアスにより生じる問題を排除しつつ比較的高いエッチレイトで動作するプラズマ基板処理装置。
【解決手段】 チャンバ内のある領域へのプラズマの到達をブロックするプラズマシールドを与えて、接地されたアノード電極の有効面積を減少させて、ウエハ支持カソードに関するＤＣバイアスを減少させるプラズマチャンバ及びその使用方法。プラズマシールドは、プラズマが前記アパーチャーに浸透することを防止するように充分小さく、且つ、自身の内部をガスが通行せしめるに充分大きい、複数の得まいスリットを有する。チャンバ壁の選択された部分を覆う誘電材料その他のチャンバライナを設置することで、ＤＣバイアスは更に制御可能となる。また、ライナは、プラズマ重合により生じる堆積物を除去するチャンバのクリーニングを容易にする。 （もっと読む）

【目的】 コンタクトの底部の領域から相当量の材料を除去することなくコンタクトの上方の角の効率的な面取りを可能とすること。
【構成】 プラズマチャンバーにウエハを配置するステップ６０と；前記プラズマチャンバーにガスを流すステップ６２と；第一の圧力で前記チャンバー中にプラズマを生じさせるステップ６４、６６と；前記プラズマを生じさせた後に前記第一の圧力でウエハを第一の期間プラズマエッチングするステップ６８、７０と；前記チャンバー内の圧力を前記第一の圧力と相違する第二の圧力に移行させるステップ７２と；前記第二の圧力でウエハを第二の期間プラズマエッチングするステップ７４と；前記第二の期間が経過した後に前記第二の圧力でのプラズマエッチングを停止するステップ７６〜８０とを含む、ウエハの予備洗浄の方法である。 （もっと読む）

【目的】 集積回路構造上に、(111) 結晶配向を有する窒化チタンバリヤー層を形成する方法を提供することにある。
【構成】 シリコン表面上に、(111) 結晶配向をもつ表面を有する窒化チタンバリヤー層を形成する方法であって、a)シリコン表面上に第一のチタン層を堆積する工程と、b)該第一のチタン層上に窒化チタン層を堆積する工程と、c)該窒化チタン層上に第二のチタン層を堆積する工程と、d)窒素−含有ガスの存在下でかつ酸素−含有ガスの不在下でかくして得られる構造体をアニールして、該第二のチタン層から(111) 結晶配向をもつ窒化チタンを形成する工程とを含み、該生成窒化チタンバリヤー層が(111) 結晶配向をもつ表面および充分な厚みを有していて、該窒化チタンバリヤー層上に後に形成されるアルミニウムによるスパイク現象から該下地シリコンを保護することを特徴とする。 （もっと読む）