【課題】特定のイオン種洗浄ガスから除外する洗浄チャンバ、簡単に交換又は再調整できるチャンバ構成部品、基板汚染を抑え均等な加熱を可能にする基盤加熱台座部を提供する。
【解決手段】基板洗浄チャンバ２４は、例えば消耗セラミックライナ６０、基板加熱台座部８０及び処理キット１１４等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザ５２のガス出口チャネル６２を基板洗浄チャンバのガス入口チャネル４０に接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボール９０が位置決めされた基板受け面を有する環状プレート８２を備える。処理キットは、トッププレート１１６、トップライナ１１８、ガス分散プレート１２０、ボトムライナ１２２及びフォーカスリング１２４を備える。 （もっと読む）

【課題】堆積速度が速く、好ましくは約７００℃以下のような低いプロセス温度を維持し、置換型炭素濃度が高い、ＳｉとＣを含有する選択エピタキシャル層を得る方法を提供する。
【解決手段】基板上にＳｉとＣを含有するエピタキシャル層を形成する方法であって、単結晶表面と、アモルファス表面、多結晶表面及びこれらの組み合わせより選ばれる少なくとも一つの第二表面とを含む基板をプロセスチャンバ内に配置するステップと、プロセスチャンバ内の圧力を少なくとも３００トールに維持しつつ、該基板をシリコン源と、炭素源と、リン源にさらして、該基板の少なくとも一部にリンがドープされたＳｉ：Ｃエピタキシャル膜を形成するステップと、７００℃以下のプロセスチャンバ内の温度の下で、ＨＣｌを含むエッチングガスに該基板をさらすことにより該基板を更に処理するステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】選択的エピタキシープロセス及びＡＧＳプロセスの両者に対して、効率的に実施するための装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を形成する方法において、エピタキシャル膜を形成する前に、第１のガスを使用して第１の処理チャンバー１０８内で基板を前クリーニングするステップと、上記第１の処理チャンバーから真空下で移送チャンバー１０２を通して第２の処理チャンバー１１０へ基板を移送するステップと、上記第１のガスを使用せずに上記第２の処理チャンバー１１０内で基板上にエピタキシャル層を形成するステップと、上記第１のガスは上記第２の処理チャンバー内で使用するには不適当である、を備えた方法。 （もっと読む）

【課題】堆積チャンバ及び上記チャンバに結合されている蒸発器を備え、化学蒸着を遂行するための堆積システムを提供する。
【解決手段】１つの面において、蒸発器は、キャリヤーガスと液体前駆体とを混合するための比較的短い混合用通路を有している。混合用通路は、液体前駆体の細かいエアロゾル状の分散体を発生し、この分散体はホットプレートに２８０よって気化される。 （もっと読む）

【課題】半導体構造の形成方法、より具体的にはトレンチ内における誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。シリコン酸化被膜は酸素含有環境内で紫外線（ＵＶ）硬化される。 （もっと読む）

【課題】腐食性／浸食性プラズマを用いる半導体処理条件で耐食性／耐浸食性のある特殊なセラミック材料を提供する。
【解決手段】酸化イットリウムが約５５〜８０モル％、酸化ジルコニウムが約５〜２５モル％、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、又はこれらの組み合わせが約５〜２５モル％を含む固溶体を含む表面を有するセラミック含有物品である。特殊なセラミック材料は修正されて、制御された電気抵抗率を与えて、プラズマアーク放電の可能性を低減する。 （もっと読む）

【課題】リテーニングリングの底面が、デバイス基板を研磨してリテーニングリングを試運転することから生じる平衡表面特性に実質的に一致するターゲット表面特性を有し、試運転プロセスを不要にする。
【解決手段】リテーニングリング１００は、該リングの底面１５５を加工又はラッピングしてその底面１５５に成形されたプロフィールを形成することにより、整形することが出来る。リテーニングリング１００の底面１５５は、フラットな部分、傾斜した部分及び湾曲した部分を含むことができる。リテーニングリング１００の底面１５５をラッピングするのに専用に使用されるマシンを使用してラッピングを行うことができる。ラッピング中に、リングの軸の周りでリングを自由に回転するのを許すことが出来る。リテーニングリング１００の底面１５５は、湾曲した部分又はフラットな部分をもつことができる。 （もっと読む）

【課題】ＶＬＳＩ技術及びＵＬＳＩ技術において多段相互接続は、アスペクト比の高いバイアや他の相互接続が注意深く処理されることを要する。これらの相互接続の確実な形成技術を提供する。
【解決手段】窒素と水素を含有する化合物、一般にアンモニアを使用し、次層を上へ堆積するに先立ち相対的に低い温度で酸化物又は他の汚染物質を還元する、プラズマ還元プロセスを提供する。酸化物の層の典型的な物理的スパッタ洗浄プロセスと比較して、層の粘着特性が改善され酸素の存在が減少する。このプロセスは、デュアルダマシン構造、とりわけ銅が応用されている場合の複雑な要求に特に有効であろう。 （もっと読む）

【課題】迷光等のバックランドノイズの影響を受けずに、基板表面温度を正確に測定する。
【解決手段】基板支持面内に形成された１以上の窓と、第１信号をパルスするように構成された第１信号発生器１０４と、第１信号発生器から１以上の窓を透過したエネルギーを受信するように配置された第１センサ１０６を含む装置１００が、エッチングプロセス中に基板温度を測定するために提供される。輻射エネルギーを用いて基板１０２を加熱する工程と、第１光をパルスする工程と、第１光がオンにパルスされたときに基板を透過する全透過率を示す計量値を決定する工程と、第１光がオフにパルスされたときに基板を透過する背景透過率を示す計量値を決定する工程と、プロセス温度を決定する工程を含む方法が、エッチングプロセス中に基板温度を測定するために提供される。 （もっと読む）

【課題】化学機械研磨に関し、金属層が希望の厚さまで平坦かされたかどうかを確実に判断する方法を提供する。
【解決手段】化学機械研磨装置は、研磨パッド３０と、研磨面の第１の側に当接して基板１０を保持するためのキャリア７０と、研磨パッド３０及びキャリヤヘッド７０の少なくとも一方に接続されて両者間に相対運動を生じさせるモータとを備え、渦電流監視システムは、基板１０の近くに交番磁界を発生させるように位置決めされており、光学監視システムは、光ビームを発生して基板１０からの該光ビームの反射光を検出し、コントローラは、渦電流監視システム及び光学監視システムからの信号を受信する。 （もっと読む）