説明

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドにより出願された特許

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【課題】有効誘電率を増大させ、デバイスの性能を制限する可能性がある環境に低K薄膜を曝した後、より低い有効誘電率を維持する新しいプロセスを提供する。
【解決手段】集積回路の2つの導電性構成要素の間に存在する、有効誘電率を低下させる方法。その方法は、低K誘電体層の酸素が豊富な部分に対して選択的な気相エッチの使用を伴う。エッチング速度は、エッチプロセスが比較的高Kの酸素が豊富な部分を通過し、低K部分に達すると減じる。気相エッチプロセスが望ましい低K部分を容易に除去することはないため、エッチプロセスのタイミングを簡単に合わせることができる。 (もっと読む)


【課題】化学機械的研磨の終点を正確に決定する方法を提供する。
【解決手段】スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド53頂面の噴射、または窓付きのパッド30を含み、スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用し、異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定でき、噴射システムは、光学ヘッド53の頂面にかけて層状のガス流を作成し、真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成され、窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含み、スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 (もっと読む)


【課題】液体前駆体物質を気化形成するための方法及び装置の提供。
【解決手段】この方法又は装置は、例えば、基板上に膜を形成するための化学気相堆積装置又はシステムの部分として使用することができる。この方法及び装置は、液体前駆体211及び拡散素子232を含むための容器218を準備することを含み、その拡散素子は、その容器の内側断面寸法に実質的に等しい外側断面寸法を有している。 (もっと読む)


【課題】容器に設けられた連通部の大きさが変わった場合でも、当該連通部を開閉し得る開閉装置を低コストで提供する。
【解決手段】側壁部3と底壁部4とを有して断面がL字形状にされ且つ側壁部3に連通部3aが設けられると共に底壁部4に取付用開口部4aが設けられてなる真空容器1の連通部3aを開閉し得るバルブ装置6と、断面がL字形状にされてバルブ装置6を真空容器1側に取り付けるためのバルブシート7とを具備する連通部開閉装置であって、バルブシート7に、側壁部3に設けられた連通部3aに対応する案内用開口部22aが形成されたシート部21と、このシート部21と直交する方向で設けられてバルブ装置6を取り付けるためのベース部31とを備え、これらシート部21とベース部31とを分離したものである。 (もっと読む)


【課題】基板におけるプラズマ誘発損傷を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板216をチャンバ210内に配置し、一つ以上のプロセスガスをチャンバ210内に流入させ、プラズマ源電力を第1電力レベルで加えることにより、一つ以上の該プロセスガスからプラズマを生成させ、基板216上に膜を堆積させ、該プラズマ源電力を堆積後に該第1電力レベル以下に逓減させる。 (もっと読む)


【課題】要求される装置性能目標を満たし、システムスループットを増加させ、処理シーケンスCoOを低減する形で基板の処理を行えるシステムを提供する。
【解決手段】基板支持面を有する基部901と、前記基部901上に位置決めされた反応部材908と、基板101を反応部材908に対して強制押圧するアクチュエータ910に結合している接触部材907と、接触部材907が基板901を反応部材908に対して強制押圧するように位置決めされた場合に、接触部材907の動作を禁止するように適合されたブレーキ部材920とを備える基板を移送する機器を用いてクラスタツールを構築する。 (もっと読む)


【課題】クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステム。洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 (もっと読む)


【課題】研磨ステップの終点が達成された時を決定するステップを提供する。
【解決手段】スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド53頂面の噴射、または窓付きのパッド30を含み、スペクトルに基づく終点検出は、具体的なスペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用して、異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定し、噴射システムは、光学ヘッド53の頂面にかけて層状のガス流を作成し真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成され、窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含み、スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 (もっと読む)


【課題】ヒータアセンブリの内容積が大気に曝され、構成部品の機械的強度が使用中に劣化することを防止する方法を提供する。
【解決手段】ウェハを処理する方法であって、加熱ディスク116から基部まで広がり、加熱ディスクに接続された少なくとも一つの加熱エレメント112を囲んでいる内容積を有するヒータを含む反応チャンバ108内でウェハを処理するステップ、内容積は反応チャンバから内容積を隔離する密封を有し;ヒータで反応チャンバを加熱するステップ;ヒータ内容積の内部に不活性ガスをパージするステップ;内容積から反応チャンバの外側まで不活性ガスを排出するためヒータ内容積に接続されたガス抜きポートで不活性ガスをガス抜きするステップ;を含む、方法。 (もっと読む)


【課題】研磨処理が完了したかどうかを決定する。
【解決手段】化学機械的研磨のスペクトルに基づく監視を行う装置および方法は、スペクトルに基づく終点検出、スペクトルに基づく研磨速度調整、光学ヘッド頂面の噴射、または窓付きのパッド30を含む。スペクトルに基づく終点検出は、スペクトルに基づく終点論理を適用することで終点が呼び出されるとターゲット厚さが達成されるよう、具体的なスペクトルに基づく終点決定論理を経験的に選択された基準スペクトルを使用する。異なるトレースまたは一連のシーケンスを使用して研磨終点を決定できる。噴射システムは、光学ヘッド53の頂面にかけて層状のガス流を作成する。真空ノズルと真空源は、ガス流が層状になるように構成されている。窓は、柔軟なプラスチック部分と結晶質またはガラス質の部分を含む。スペクトルに基づく研磨速度調整は、基板10上の異なるゾーンにスペクトルを得るステップを含む。 (もっと読む)


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