【課題】プラズマドーピングプロセス中の所定のドーパント濃度での終点検出のための方法を提供する。
【解決手段】プロセスチャンバー内で基板を位置決めするステップと、基板の上にプラズマを生成し、プラズマによって生成される光を基板を通って伝送するステップであって、ここで光は、基板の表側に入り、裏側から出る、ステップと、基板の下に位置決めされるセンサーによって光を受け取るステップとを包含する。さらに、センサーによって受け取られる光に比例する信号を生成するステップと、ドーピングプロセス中にドーパントを基板に注入するステップと、ドーピングプロセス中にセンサーによって受け取られる光の減少する量に比例する多重光信号を生成するステップと、いったん基板が最終ドーパント濃度を有するとセンサーによって受け取られる光に比例する終点信号を生成するステップと、ドーピングプロセスを中止する。 （もっと読む）

【課題】２つの誘電層間に配置された電極を有する可撓性積層体を含んでいる、高効率静電チャック組立体を提供する。
【解決手段】少なくとも一方の誘電層は、標準度又は高純度の熱可塑性フィルムである。可撓性積層体１１２は、静電チャックの表面に改善された温度分布を与える利点を備えるように、第１誘電層１２４の基板支持表面１３２を艶消し仕上げとすることができる。可撓性積層体の基板非支持面側、すなわち、ペデスタル受け側は、プラズマ処理されて、所望の表面仕上げにすることが可能であり、アクリル又はエポキシの接着剤でペデスタルに接合されて、従来のポリマー型静電チャックに較べて、優れた接合強度を生じる結果となる。電極１２２は、剥離ライナーに形成したシート電極とすることができ、これにより製造を簡単にすることができる。 （もっと読む）

【課題】ランプ、ランプベース、及びランプヘッド／反射スリーブからの熱の消散を改善するための付加的な方法を提供する。
【解決手段】基板熱処理チャンバにおいて基板を少なくとも約１１００℃までの温度に加熱するのに使用するよう適応されるランプアセンブリが開示されている。一実施形態において、このランプアセンブリは、一対のリードに取り付けられた少なくとも１つの放射発生フィラメントを包囲する電球と、一対のリードを受け入れるように構成されたランプベースと、壁厚が少なくとも約０．０１３インチのスリーブと、熱伝導率が約１００Ｗ／（Ｋ−ｍ）より大きいポッティングコンパウンドとを備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体処理に用いるハロゲン含有プラズマによる侵食に耐性のあるセラミック物品を提供する。
【解決手段】セラミック物品は、典型的に、少なくとも２つの相又は３つの相を有する多相のセラミックを含む。第１の実施形態において、セラミックは、モル濃度が約５０モル％〜約７５モル％の酸化イットリウム、モル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化ジルコニウム、及びモル濃度が約１０モル％〜約３０モル％の酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化スカンジウム、酸化ネオジム、酸化ニオブ、酸化サマリウム、酸化イッテルビウム、酸化エルビウム、酸化セリウム及びこれらの組み合わせからなる群より選択される少なくとも１つの他の成分から形成されている。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子利用型欠陥検査装置によるパターン形成ずみの半導体基板の欠陥の検出に、画像の均一性およびコントラストの質を改善する方法及び装置を提供する。
【解決手段】基板２２上の一部の領域を画像化する前に、その画像形成領域の周囲の領域を検査装置１０で帯電させてその周囲領域の非対称帯電の悪影響を消去または軽減する。この検査装置１０は周囲領域の帯電と画像形成領域からの画像形成とを交互に行って、画像化領域の複数の画像を形成し、それら画像を平均化処理する。これによって、高度に均一でコントラストの改善された画像が得られ、欠陥検出の精度を上げることができる。 （もっと読む）

【課題】ドープ基板から余分なドーパントを除去するための方法および装置を提供する。
【解決手段】基板がエネルギーによるドーパントの打込みによってドープされる。反応性ガス混合物が、任意選択でプラズマを用いてプロセスチャンバに供給されて、表面上に吸着した余分なドーパントおよび表面付近の高濃度ドーパントと反応することによってそのドーパントを除去し、それによって揮発性化合物を形成する。反応性ガス混合物は、熱処理中に供給することができ、または前後に熱処理温度とは異なる温度で供給することができる。揮発性化合物は除去される。そのように処理された基板は、保管されているとき、またはプロセス装置の外に移送されるときに、毒性化合物を形成しない。 （もっと読む）

【課題】処理領域に達する前にガスを混合することなく、シャワーヘッドへのガスを密閉するためＯリングを使用することなく、処理ガスに少なくとも２つのガスを供給するシャワーヘッドを提供する。
【解決手段】シャワーヘッドのための上下続きのガス分配フェースプレートは、第１表面、第２表面、及び第３表面を含み、第１表面と第２表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って延びる複数の第１ガス孔を備えている。上下続きのガス分配フェースプレートは複数の相互連結溝により規定された内部ガスの分配空洞部を有している。複数の第２ガス孔は第１表面の間で上下続きのガス分配フェースプレートを通って複数の相互連結溝に延びている。相互連結溝は少なくとも１つのガス導管に順番に接続されるプレナムに滑らかに結合されている。ガス導管は第３表面に延びている。 （もっと読む）

【課題】複合シリコン／バリア層／金属膜によって電極及び及び相互接続を形成するにあたり、高抵抗金属シリサイド膜を形成する可能性があるシリコン膜と金属膜との間での拡散及び相互作用を防止し，複合膜が高抵抗となることを防ぐ方法を提供する。
【解決手段】複合膜を選択的に酸化する方法で有って、下側のシリコン膜と、バリア層と、バリア層上の上側金属膜とを備えた複合膜を有する基板を反応チャンバ内に配置し、その後、反応チャンバ内に不活性ガスを供給し、反応チャンバ内に不活性環境を形成する。その後、その不活性環境下で、基板の温度を第１の温度から第２の温度に高める、即ち、昇温する。基板の温度を第２の温度まで昇温した後、シリコンを酸化するが金属を酸化しない環境下で基板上の複合膜を選択的に酸化する事により、課題が克服される。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜の一括的又は選択的エピタキシャル堆積の清浄な基板表面を調製する方法を提供する。更に、シリコン含有及び/又はゲルマニウム含有膜を成長させる方法であって、基板洗浄方法と膜成長方法の双方が７５０℃未満、典型的には約７００℃〜約５００℃の温度で行われる前記方法を提供する。
【解決手段】洗浄方法と膜成長方法は、シリコン含有膜が成長している処理容積において波長が約３１０ｎｍ〜約１２０ｎｍの範囲にある放射線の使用を用いる。反応性洗浄又は膜形成成分化学種の具体的な分圧範囲と組み合わせたこの放射線の使用は、業界で以前に知られている温度より低い温度で基板洗浄とエピタキシャル膜成長を可能にする。 （もっと読む）

【課題】窒化化合物半導体構造を製造する装置及び方法を提供する。
【解決手段】III族及び窒素の前駆物質が、第１の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて、基板上に第１の層が堆積される。該基板は、該第１の処理チャンバから第２の処理チャンバへ移送される。II族及び窒素の前駆物質が、該第２の処理チャンバに流入されて、熱化学気相堆積プロセスを用いて該第１の層を覆って第２の層が堆積される。該第１及び第２のIII族前駆物質は、異なるIII族元素を有する。 （もっと読む）