【課題】システムスループットを増加させ、処理シーケンスＣｏＯを低減する機器を提供する。
【解決手段】実施形態は、一般的に、スループットを増加させ、信頼性を増加させたマルチチャンバ処理システム（例えばクラスタツール）を使用して基板を処理する機器および方法を提供する。クラスタツール内で処理される基板は繰り返し可能性が高く、システムフットプリントが小さい。クラスタツールの一実施形態では、基板をまとめてグループ化して移送することで、基板を２枚以上のグループ毎に処理してシステムスループットを増加することにより、また、処理チャンバの間で基板のバッチを移送する際の動作数を低減することで、ロボットの疲労を低減し、システムの信頼性を増加させることにより所有権のコストが低減される。実施形態はまた、システムの停止時間を低減し、基板移送処理の信頼性を増加させるために使用される方法および機器を提供する。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子ビームの角状変位を判断し、高い側壁角度均一性の側壁を含むテストオブジェクトの複数の測定値に基づく帯電粒子ビームシステムを較正する為のシステムおよび方法を提供する。
【解決手段】帯電粒子ビームの経路は、複数のビーム制御パラメータにより制御される。方法は、角状変位を実質的に減少させるパラメータを判断し、これらを適用して帯電粒子ビームシステムを較正する。 （もっと読む）

【課題】大気圧または大気圧以上の成膜処理で窓の破損や窓を通る輻射熱の減少を生じないサーマルリアクタを提供する。
【解決手段】半導体ウェハ３０８を収納するウェハチャンバ３０４を有するサーマルリアクタ３００は、上部熱源３０８の下に取り付けられるカバー部材３０６により画成されており、カバー部材３０６の中央窓部分３１４を凹状の外部表面の石英窓とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスにおいてシリコン含有物質を選択的に酸化する方法を提供する。
【解決手段】一態様において、急速熱処理装置を用いて水素を多く含む雰囲気中で高圧において、インサイチュで水蒸気を生成させて基板を選択的に酸化することができ、基板における金属やバリヤ層のような他の物質を酸化しない。金属又は他層を酸化させずにポリシリコン層とゲート酸化物層のみを選択的に酸化する。最良の選択的酸化条件は、圧力が約１５０トール〜約８００トール、特に約２５０トール〜６００トール、例えば、４５０トールで、温度が約７００℃を超え、特に約８００℃〜約１０００℃、例えば、９５０℃で達成される。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用の処理装置内のステーション間で半導体ウェハを移送するための容量が実質的に改善されたロボットを提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷを処理するための装置１０は、一度に二枚のウェハＷを二つの別個の移送面上で独立して操作するロボット１４を有する。ロボット１４は、各々の一端を第１の水平面内で中心垂直軸を中心に独立回転するように取り付けられた左右のアームを有し、前記アームの他端が運動可能に一つに接合され、かつその上にウェハＷを載せて運搬できるブレードを保持し、前記アームがそれらの中心付近で水平方向に屈曲可能であり、中心軸から半径に沿って延長可能であるように構成された第１のアーム組立体と、前記第１の組立体と実質的に同一であり、前記第１の平面の上にわずかに離して配置された水平面内で回転可能な第２のアーム組立体とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体処理中のオンザフライ自動検出分類（ＡＤＣ）システムおよび方法を提供する。
【解決手段】このシステムの一実施形態において、光源、例えば、レーザ（２１）が検査を受けるウェーハ（２２）の狭い領域を照明する。４つの均等に配置した暗視野検出器、例えば、光電子増倍管またはＣＣＤ（２６〜２９）が、それぞれの視野が重複して検出ゾーンを形成するようにウェーハの縁に載置される。１以上の検出器（２６〜２９）の方向に散乱された光が集光され、アナライザモジュール（３４）に伝送される電気信号に変換される。アナライザモジュール（３４）は、ウェーハにある欠陥を検出し、それらを異なる欠陥タイプに分類するように作用する。任意に、システムは、暗視野検出器も含む。 （もっと読む）

【課題】 光学監視装置で生成される信号のノイズに拘わらず正しい終点を検出する。
【解決手段】 方法とともに装置が、基板１０表面を研磨パッド３０に接触させる。光学終点検出装置により、光線４２を向けて基板１０表面に衝突させる。光学終点監視装置からの信号を監視し、第一の終点基準が第一の時間ウィンドウ内で検出されない場合には、デフォルト研磨時間で研磨を停止する。第一の終点基準が第一の時間ウィンドウ内で検出される場合には、第二の終点基準を得るために信号を監視し、第二の終点基準が検出される場合に研磨を停止する。 （もっと読む）

【課題】プラズマチャンバ内の第１の電極および第２の電極がそれぞれ低周波数ＲＦ電源および高周波数ＲＦ電源に接続されても、プラズマ処理能力が低下しない装置を提供する。
【解決手段】プラズマチャンバと、プラズマチャンバ内に取り付けられるサセプタ１２であって、４隅と周辺を有するサセプタ１２と、サセプタ１２とプロセスチャンバ壁との間に接続される複数の導電性ストラップ６０〜６４と、を備え、複数の導電性ストラップ６０〜６４は、サセプタの４隅にそれぞれ接続される４本の導電性ストラップ６１，６２，６３，６４とサセプタ１２の中心１６に接続される導電性ストラップ６０を有する。 （もっと読む）

【課題】高ＳＮ比で渦電流計測を行う厚さ計を提供する。
【解決手段】渦電流モニタリングシステムは、細長いコア２０５を含んでおり、１つ以上のコイルを、ウェハ上の１つ以上の導電性領域２３０に結合できる振動磁界を発生するために、該細長いコア２０５に結合することができる。該コア２０５は、改善された分解能を実現できると共に、十分な信号強度を維持するように、該ウェハに対して移動させることができる。渦電流モニタリングシステムは、共振周波数で振動磁界を発生するＤＣ結合マージナル発振器を含んでもよく、この場合、該共振周波数は、１つ以上の導電性領域に対する変化の結果として変化させてもよい。渦電流モニタリングシステムは、リアルタイム・プロファイル制御を可能にするために用いることができる。 （もっと読む）

【課題】研磨プロセスに関して正確性を向上し更に有用な情報を与えるために用いる事ができる終点検出用ポリッシングパッドを提供する。
【解決手段】ポリウレタン材料製の第１層２２とその背面に配置され、第１層材料より軟質の第２層材料２０からなるポリッシング面に形成されたホール３０と、そのホールに挿入されたクオーツインサートから構成される透明ソリッド部分と、このポリッシング面とは反対の面に形成され、前記透明ソリッド部分と調芯され、かつ透明ソリッド部分にまで延びる溝を有する構造のポリッシングパッド１８であり、基板上の層の均一性を、係る層の研磨の最中にインシチュウで測定するために使用する。 （もっと読む）