【課題】真性微結晶シリコン層のための方法を提供すること。
【解決手段】一実施形態では、真性微結晶シリコン層を形成する方法は、加工チャンバ内に配置された基板の表面へガス混合物中で供給されるシランガスを動的に増加させるステップと、加工チャンバへ供給されるガス混合物中で印加されるＲＦ電力を動的に減少させて、ガス混合物中でプラズマを形成するステップと、基板上に真性微結晶シリコン層を形成するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハ処理装置内の静電チャック上に半導体ウェーハ等の基板を保持する方法、および装置を提供する。
【解決手段】任意の極性の出力電圧レベルにおいて、電流をソーシング及びシンキング両方に実施できる高圧直流電源１０４を、静電チャック１１４の少なくとも１つの埋込み電極１１８に結合し、漏れ電流、チャック対ウェーハ電位、後部ガス漏れレート等を含む最適チャッキングの任意の指標に応じて、チャッキング電圧を動的に制御する。 （もっと読む）

【課題】処理中に基体を支持するための基体支持組立体を提供する。
【解決手段】一実施の形態においては、支持組立体(136)は、第１の側(216)及び第２の側(232A)を有する上側セラミック板(208)と、第１の側(212)、第２の側(214)及び埋込まれた電極(234)を有する下側セラミック板(210)を含み、前記下側セラミック板の第１の側(212)は前記上側セラミック板の第２の側に接合されてそれらの間にチャンネル(290)を限定している。別の実施の形態においては、支持組立体は、第１の側及び第２の側を有する第１の板を含む。前記第１の側上にはシールリング(258)が設けられている。前記第１の側の、前記リングの半径方向内側には段付き表面(220)が形成されている。第２の板が、前記第１の板の第２の側に接続されている。 （もっと読む）

【課題】銅ダマシン配線上への誘電体層の形成において、導電材料と誘電体層間の密着性を向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】オルガノシロキサンからなる第２誘電体層１１８に、ＴａＮからなる金属バリア層１２４とＣｕからなる導電性金属特徴部１２６を形成する。平坦化後アンモニアプラズマ処理還元により表面の酸化物を除去する。連続して真空を破壊せずに、トリメチルシランからなる有機ケイ素化合物を導入し、プラズマプロセスによりＳｉＣＮ膜１３０を形成し、さらに連続してＳｉＣ膜１３２を堆積する。酸化物の除去から誘電体層の形成までインサイチュで行うことが可能である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入器の性能を向上させる。
【解決手段】イオン注入器の性能を向上させることができるように、減速電極の１つ以上の開口部が
成形されている複数の電極を備える減速レンズアセンブリを有するイオン注入器が提供される。一実施形態において、電極開口部は、概して楕円形状であり、該開口部を通過するビームの形状と概して一致する。別の態様においては、軸セグメントは、開口部の中心から該セグメントの端部における中間点まで該開口部の長さの４０％伸びている。該中心から該中間点までの各点で測定した該開口部の平均幅は、該開口部の最大幅よりも実質的に小さい。 （もっと読む）

【課題】基板表面から未変性酸化物を除去するための方法及び装置を提供する。
【解決手段】一態様においては、チャンバは、チャンバ本体と、チャンバ本体内に少なくとも一部が配置され且つその上に基板を支持するように適合された支持アセンブリとを備えている。支持アセンブリは、少なくとも一部がその中に形成され且つ基板を冷却することができる１つ以上の流体チャネルを含んでいる。チャンバは、更に、チャンバ本体の上面上に配置されたリッドアセンブリを備えている。リッドアセンブリは、それらの間でプラズマキャビティを画成している第一電極と第二電極を含み、第二電極は基板を連結的に加熱するように適合されている。 （もっと読む）