【課題】量子化器及び超電導アナログ−デジタル変換回路に関し、負帰還回路を用いることなく出力信号におけるオフセット成分を除去して、非線形性及び非対称性を解消する。
【解決手段】オフセット成分を相殺するために２個の超電導量子干渉素子（ＳＱＵＩＤ）２，３を入力信号４に対して相補的に配置して量子化器１を構成する。また、オフセット成分を相殺する際に信号成分を相殺しないようにするために、２個の超伝導量子干渉素子の出力の位相を互いにずらす必要があり、そのために、位相調整用バイアス端子を設ける。 （もっと読む）

【課題】薄膜の作製を長時間にわたって連続的に行なう必要がある場合でも、薄膜を均一かつ効率的に形成することが可能な薄膜の製造方法、薄膜の製造装置およびこれにより製造された薄膜を提供する。
【解決手段】薄膜の製造方法は、レーザ光が入射窓３１を通してターゲット８１に照射される工程と、レーザ光が照射されたターゲット８１からターゲット粒子８９が飛散する工程と、ターゲット粒子８９が基板８２上に堆積することにより、基板８２上に薄膜８３が形成される工程とを備えている。そして、レーザ光が照射される工程では、入射窓３１からターゲット８１に向かうレーザ光の行路９１において、ターゲット８１から入射窓３１に向かう向きとは異なる向きである矢印９２の向きに気体が流される。 （もっと読む）

【課題】交流損失を低減できる、超電導線材、超電導線材の製造方法、超電導導体の製造方法、超電導機器の製造方法および超電導線材の製造装置を提供する。
【解決手段】超電導線材１０ａは、テープ状の母材１１と、この母材１１上に配置された複数の超電導線１２とを備えている。母材１１は、超電導線１２の曲げ剛性よりも小さい曲げ剛性を有している。超電導線材１０ａの製造方法は、以下の工程が実施される。まず、テープ状の母材１１が準備される。そして、母材１１上に複数の超電導線１２が配置される。母材１１は、複数の超電導線１２の曲げ剛性よりも小さい曲げ剛性を有している。複数の超電導線１２が配置される前に、複数の超電導線１２より幅の広い超電導線を長手方向に沿って切断されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】低磁性、高強度、及び高配向の酸化物超電導線材用複合基板、その製造方法、及び超電導線材を提供すること。
【解決手段】無配向の金属層と、前記金属層の片面または両面に設けられた表面配向層とを有する酸化物超導電線用複合基板であって、前記無配向の金属層に含まれる添加元素と同元素を含み、該同元素の濃度が前記金属層との界面から前記表面配向層の表面に向って減少する濃度勾配を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】プロセス条件やニオブ電極の接続具合、すなわちパターンに依存しない、ジョセフソン接合を備えた電子デバイスの形成方法、およびその方法で形成された信頼度の高いジョセフソン接合を備えた電子デバイスを提供する。
【解決手段】ニオブ膜、ニオブ配線中の水素を放出させて十分低い濃度にするか、もしくはジョセフソン接合電極ニオブからの水素移動を抑制し、一定の水素濃度を保てるようにすることで設計値どおりの接合特性を実現する。 （もっと読む）

【課題】 液体窒素を用いた冷却器に関し、低コストで携帯可能な液体窒素冷却器を実現する。
【解決手段】 断熱容器１と、断熱容器１内に収容されるとともに液体窒素４を吸収および保持する構造を有する連続気泡を有する繊維集合体３を内部に挿入された複数の中空管状容器２とを少なくとも備える。 （もっと読む）

【課題】排気効率を向上させ、キャリアガスの流量を削減することができる酸化物超電導線材の熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１は、外筒２と内筒３により形成された円筒状の熱処理空間４を備えた炉芯管と、この炉芯管の外周に配置されたヒータ５と、熱処理空間４内部に炉芯軸に対して回転可能に配置されたＹＢＣＯ超電導前駆体膜を有するテープ状線材を巻回するための多数の貫通孔６ａが形成された円筒状の回転体６と、外筒２と回転体６との間に配置された多数のガス噴出孔７ａを備えたガス供給管７と、雰囲気ガスを回転体６と内筒３との間から排出するためのガス排出路８とを備え、ガス排出路８は内筒３と回転体６の間に配置された外側円筒体１１とこの内部に同心状に配置された内側円筒体１２により形成された円筒状のガス排出路１３を有するガス排出管１４により形成されており、円筒状の回転体６に巻きつけられテープ状線材の全長に亘って均一な反応を行わせることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】臨界電流値を向上できる超電導線材および超電導線材の製造方法を提供する。
【解決手段】超電導線材１０は、基板１１と、基板１１上に形成され、中間層１２ａ，１３ａと中間層１２ａ，１３ａ上に形成された超電導層１２ｂ，１３ｂとからなる積層単位１２，１３が２以上備えられた超電導線材である。それぞれの積層単位１２，１３において、超電導層１２ｂ，１３ｂと対向する中間層１２ａ，１３ａの面の表面粗さＲａは２０ｎｍ以下である。２以上の積層単位１２，１３のうち、基板１１から見て最上層に位置する積層単位１３以外の積層単位１２の少なくとも１つにおいて、超電導層１２ｂの主表面の一部が露出している。 （もっと読む）

【課題】金属基板を構成する元素の超電導層への拡散や中間層のクラックの発生を防止し、かつ超電導層の配向性を向上させる。
【解決手段】半値幅（ＦＷＨＭ：Δφ）６．５度のＮｉ基合金基板１上に、第１中間層として膜厚１５〜１００ｎｍのＣｅ−Ｇｄ−Ｏ系酸化物層２（Ｃｅ：Ｇｄ＝４０：６０〜７０：３０のモル比）及び第２中間層として膜厚１００ｎｍのＣｅ−Ｚｒ−Ｏ系酸化物層３（Ｃｅ：Ｚｒ＝５０：５０のモル比）をＭＯＤ法により形成し、さらにその上にＲＦスパッタ法により第３中間層としてＣｅＯ_２酸化物層４を膜厚１５０nmに成膜した。この３層構造の中間層の上に、ＹＢＣＯ超電導層５をＴＦＡ−ＭＯＤ法により膜厚は１μｍに成膜した。
以上のテープ状酸化物超電導体の第１乃至第３中間層のΔφは、それぞれ（６．０〜６．５）度、（６．０〜６．６）度及び（６．０〜６．６）度、ＹＢＣＯ超電導層５の液体窒素中におけるＪｃは１．８〜２．２ＭＡ／ｃｍ^２の値を示した。 （もっと読む）

【課題】基体の表面特性を改善して、優れた臨界電流特性を示す超電導線およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】金属基板を含む基体１と、この基体上に形成された超電導層を具備する超電導線であって、金属板に９０％以上の圧下率の強圧延加工工程と配向熱処理工程とが施された金属板に研磨を施し、結晶粒界に形成された突起部Ａを除去するとともに、突起部を構成する物質を溝部Ｂ内に堆積させて平坦化した後、基体表面上に超電導層を形成することによって製造される。 （もっと読む）