説明

株式会社日本セラテックにより出願された特許

11 - 20 / 200


【課題】複合材料における強化材の充填率を高くすることができる複合材料の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化ホウ素および炭化ケイ素のそれぞれの強化材と金属ケイ素のマトリックスとからなる複合材料の製造方法であって、炭化ホウ素の粉粒体に液体フェノールをバインダとして加え、セディメント成形する工程と、セディメント成形の結果、作製されたプリフォームに金属ケイ素を含浸させる工程とを含む。これにより、プリフォームにおける炭化ホウ素粒子の充填阻害を回避し、充填率を高く維持でき、製造した複合材料における炭化ホウ素粒子の充填率を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】圧電素子の破壊や、電極の欠損という不良を防止でき、コストを低減できる超音波発音体を提供する。
【解決手段】超音波を発生させるパラメトリックスピーカ用の超音波発音体110であって、厚み方向への電圧の印加により伸縮する板状の圧電素子111と、圧電素子111が一方の主面に接着され、圧電素子111とともにユニモルフ構造を形成する金属板112と、金属板112の他方の主面に設けられ、金属板112の振動に共振して超音波を発生させる共振子114と、を備える。金属板112に共振子114が接着されており、直接、圧電素子111に共振子114が接着されていないため、圧電素子111の破壊や、電極の欠損という不良を防止できる。また、ユニモルフ構造により圧電素子111は一枚で十分となり、コストを低減できる。 (もっと読む)


【課題】接合強度の向上を図った中空構造のSiC/Si複合材料接合体を得ることが可能なSiC/Si複合材料体の接合方法を提供する。
【解決手段】複数のSiC/Si複合材料体を互いの接合面で当接させて、不活性ガス雰囲気下で接合面に対して0.05MPa〜10.0MPaの圧力を加えた状態で、1000℃〜1414℃に加熱して保持することにより接合する。 (もっと読む)


【課題】パラメトリックスピーカ全体の音圧を高め、少ない数の超音波発音体で効率よく高い音圧で発音できる超音波発音体およびパラメトリックスピーカを提供する。
【解決手段】超音波を発生させるパラメトリックスピーカ用の超音波発音体110であって、厚み方向への電圧の印加により伸縮する板状の圧電素子111と、圧電素子111が一方の主面に接着された振動板112と、振動板112の他方の主面に設けられ、振動板112の振動に共振して超音波を発生させる円錐筒状の共振子114と、を備え、共振子114は、底部に充填された凝固体114aにより共振周波数を調整されている。これにより、超音波発音体110の共振周波数のばらつきを低減でき、パラメトリックスピーカ全体の音圧を高めることができる。そして、少ない数の超音波発音体110で効率よく高い音圧で発音できる。 (もっと読む)


【課題】電気特性の向上及び加工容易性の向上を図ることができるアルミナ質焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主原料であるAl、第1副原料としてのTi化合物及び第Sr、Ca、Mg及びBaのうち少なくとも1種を複合させた、第1副原料とは異なる2副原料が混合されることにより原料が調製される。各副原料の添加量が、p1=0.05〜1.50及びp2=0.05〜2.50により定義される「第1添加量範囲」又はp1=0.05〜0.60及びp2=0.05〜1.20により定義される「第2添加量範囲」に含まれるように調節される。 (もっと読む)


【課題】対象物が載置される多孔質体の平滑度の向上を図りながらも当該多孔質体の強度の向上を図ることができる真空吸着装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アルミナ粉末と、二酸化珪素の粒子と、1A族、2A族及び3A族の元素のそれぞれの酸化物、水酸化物、硝酸塩及び炭酸塩から選ばれる少なくとも1つ以上の添加物粉末とを含むスラリーが調整される。このスラリーが支持部2の基礎となるセラミックス成形体に形成されている凹部21に充填される。成形体が凹部21に充填されたスラリーの乾燥物とともにシリカ−アルミナ系複合酸化物の軟化点以上の温度で熱処理される。 (もっと読む)


【課題】載置面の中心部から外周部にかけて単調に温度変化するような温度分布を得ることが可能なセラミックスヒータを提供する。
【解決手段】セラミックスヒータ1は、載置面Sに被加熱物Wが載置されるセラミックス基板2と、セラミックス基板2に埋設された内側発熱抵抗体Q1と、内側発熱抵抗体Q1の外側にてセラミックス基板2に埋設された外側発熱抵抗体Q2と、発熱抵抗体Q1,Q2とに供給する電力を独立して制御可能な制御部とを備える。セラミックス基板2の上面の中心点Oから外端までの距離をRとしたとき、内側発熱抵抗体Q1は、上面視で中心点Oを中心とした0〜0.5Rの領域内に配置され、外側発熱抵抗体Q2は、上面視で中心点Oを中心とした0.8R〜Rの領域内に配置される。 (もっと読む)


【課題】膜特性の均一性に優れた透明導電膜作製用のZnO焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】ZnO焼結体は、ZnO粉末とB粉末とを混合、焼成及び粉砕してZn13粉末を得る工程と、平均粒径が0.5〜1μmのZnO粉末と平均粒径が0.2〜0.5μmのZn13粉末とを混合、成形、焼成してZnO焼結体を得る工程とを含む方法により製造される。 (もっと読む)


【課題】比較的低コストで製造でき、低い静電正接を有し、加工性に優れた酸化アルミニウム焼結体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウムの純度が99.0重量%以上の酸化アルミニウム焼結体であって、酸化チタンおよび二酸化ケイ素が合計で0.2重量%以上0.8重量%以下含有され、酸化アルミニウム粒子の長尺方向の平均粒径が20μm以上である。このように、酸化チタンが含有されることで、酸化アルミニウム粒子が粗大化し、酸化アルミニウム粒子同士の粒界が少なくなるため、誘電正接を低下させることができる。一方で、二酸化ケイ素が含有されるため、安定的に誘電正接を低下させることができる。また、粒子が粗大化することによって加工性を向上させることができる。また、極端に高い酸化アルミニウムの純度は不要であり、低コスト化できる。 (もっと読む)


【課題】アーキングの発生を回避しながら成膜速度のさらなる向上を図ることができるターゲット及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のターゲットは、ZnO及びZn2SnO4からなる。錫(Sn)及び亜鉛(Zn)の原子数比Zn/(Zn+Sn)が0.81〜0.94の範囲にある。ZnOの平均粒径が2[μm]以上の範囲にある一方、Zn2SnO4の平均粒径が14[μm]以下の範囲にある。ターゲットの体積抵抗率は1E−01[Ωcm]以下であり、気孔率は1.7%以下である。 (もっと読む)


11 - 20 / 200