説明

三容真空工業株式会社により出願された特許

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【課題】配線金属膜の酸化を防止し、さらに、酸化防止を行うことで新たに発生した電解腐食も防止する。
【解決手段】基材としてのフィルム2上に、ITO膜3が形成され、その上に金属膜4が形成される。金属膜は、NiCu合金膜からなる第2保護膜41、Alよりも抵抗値が低く配線パターンとなる金属配線膜(Al−Nd合金)42、および、NiCu合金膜からなる第1保護膜43の順に積層されて構成される。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜を保護し、さらに透明導電膜の保護だけでなく、透明導電膜を保護することで新たに発生した不具合も防止する。
【解決手段】電子部品素子1では、基板2と、この基板2上に形成されたITO膜3と、このITO膜3上に形成され前記ITO膜3の表面を保護する保護膜4とが設けられている。保護膜4は、少なくとも、SiOx膜41と、Nを含むSi化合物からなるSiN膜12とからなり、ITO膜3上にSiN膜42、SiOx膜41の順に積層形成されて構成される。 (もっと読む)


【課題】膜形成の条件が限定されない成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置1は、シート3に膜を形成するroll to roll方式の成膜装置であり、成膜室2内にシート3を搬送する搬送路27が設定され、この搬送路27の側の上方に位置した成膜室2の上部24に、40個のフランジ孔26が形成されている。フランジ孔26には、搬送路27を搬送されるシート3に膜を形成するターゲット部5が装脱可能に設けられている。 (もっと読む)


【課題】金属膜の酸化を防止し、さらに金属膜の酸化を防止するだけでなく、酸化防止を行うことで新たに発生した不具合(腐食)も防止する。
【解決手段】
電子部品素子1では、基板2上に少なくとも3層からなる金属膜群5が形成されている。この金属膜群5は、少なくとも、金属膜51と、金属膜51を保護する保護膜52と、金属膜51と保護膜52との電位差を無くす調整膜53とから構成されている。この電子部品素子1では、基板2上に、金属膜51、調整膜53、および保護膜52の順に積層されている。 (もっと読む)


【課題】SiO膜を形成した基板よりも耐摩耗性を含む外的耐性を向上させる。
【解決手段】 基板81上に透明導電膜からなる電極配線82が積層形成され、電極配線82上に保護膜83が積層形成されている。基板81上に形成される保護膜は、SiOC膜からなる。なお、少なくとも基板81への保護膜83の形成は、下記する成膜装置1であるMPD装置により行う。 (もっと読む)


【課題】透過率が90%以上であり、さらに抵抗値の変動を抑える。
【解決手段】 基板81の表面83に透明導電膜82が積層形成されている。基板81の表面83に形成された透明導電膜82は、ITOC(Indium Tin Oxide Carbon)膜からなる。このITOC膜の基板81への形成には、プラズマ発生装置を用いた成膜装置1であるMPD(Multi Plasma deposition)装置が用いられている。 (もっと読む)


【課題】遊技球の帯電による、弾球遊技機の電子制御部品の破壊や、制御基板の誤動作などを防止するため、帯電している遊技球から静電気を放電させる。
【解決手段】パチンコ機1には、その内部11の遊技球9が送られる球移動可能領域12であってその表面121に、帯電防止膜8が面形成されている。帯電防止膜8は透明導電膜であり、遊技盤4の表面に透明導電膜が面形成されている。また、球移動可能領域12は、遊技盤4と、遊技盤4の遊技領域43に遊技球9を送るためのガイドレール42が含まれる。 (もっと読む)


【課題】低電圧で大量の熱電子を放出するプラズマ発生装置および成膜装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生装置11では、カソード2に熱電子を放出する筒状体に成形された熱電子放出部42が複数設けられている。このプラズマ発生装置11は、カソード2からアノード3に向けてイオン化させた不活性ガスを放出して放電させることにより、カソード2とアノード3との間にプラズマを発生させ、熱電子放出部42では、その筒内周面43および筒外周面44から熱電子を放出する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、中間層を有する不溶性電極において、製造コストを低減しつつも、耐久性に優れるものを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、導電性金属よりなる電極基材と、該電極基材上に形成される中間層と、該中間層上に形成され電極触媒活性物質よりなる触媒層と、からなる電解用電極において、前記中間層は、全部又は一部が窒化されたニオブからなる電解用電極に関する。本発明に係る電解用電極は、電極基材の不働態化を抑制し、電極の耐久性を確保でき、かつ、低コストで製造できる。 (もっと読む)


【課題】高温プロセスを行なわず、かつ、モノマーを生成せずに成膜材料を安定な状態で対象物にポリマーの薄膜を形成する。
【解決手段】成膜装置1は、成膜材料5を200℃以下の温度で加熱して昇華させる加熱部7と、昇華させた成膜材料5をプラズマによって重合反応させる反応部8と、が設けられている。そして、反応部8で重合反応させた成膜材料5を基板3に射出して基板3の成膜面31に薄膜を形成する。 (もっと読む)


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