【課題】スルホン化剤(例;アルキルベンゼンスルホン酸)及び有機溶剤(例;o-ジクロロベンゼン)を含有するスルホン化処理用溶液でスルホン化対象物をスルホン化して得られるスルホン化排出液の処理及びリサイクル。
【解決手段】前記排出液を、硫酸と接触させて水相を除去し有機相を回収することによって排出液中のアルキルベンゼン、アルキルベンゼンスルホン酸、タール成分等の不要物を低減する。また、回収された有機相を活性炭等の吸着剤と接触させることによって不要物をより低減できる。さらに、硫酸処理を2回以上繰り返すことによっても、不要物をより低減できる。また、スルホン化剤と回収有機相とを混合することによってスルホン化処理用溶液を調製することができる。さらに、回収有機相は、アルキルベンゼン(例;1,3,5-トリメチルベンゼン)を有機溶媒存在下でスルホン化してスルホン化剤を調製する方法において該有機溶媒として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】 優れた連続生産性を持ち、かつ均一なイオン伝導性を発現するスルホン化高分子フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】 芳香族基を含む高分子フィルムをスルホン化剤によりスルホン化する工程を有する、スルホン化高分子フィルムの製造方法であって、前記スルホン化工程は、スルホン化剤を含有する溶液が、連続的に供給され、かつ排出されている反応槽の溶液中に、芳香族基を含む高分子フィルムを連続的に浸漬させることにより行うことを特徴とするスルホン化高分子フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【課題】強靱性、耐クラック性、透明性、硬度、耐熱性、電気絶縁性、耐薬品性等が優れた硬化被膜を形成することができる硬化性シリコーン組成物とその製造方法およびコーティング剤を提供すること。
【解決手段】ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が５００〜１００，０００であり、フェニル基、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基と炭素数１〜３個のアルキル基、水素原子を有するポリオルガノシルセスキオキサンとフェニル基、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基と炭素数１〜３個のアルキル基、水素原子を有し、ｎが３〜８である環状オルガノシロキサンを含有することを特徴とする硬化性シリコーン組成物とその製造方法およびコーティング剤。 （もっと読む）

【課題】
有機溶媒との相溶性が高く、また、シラノール基が極めて少なく、分子量分布が狭い低分子ポリオルガノシルセスキオキサン及びその製造方法の提供。
【解決手段】
ゲルパーミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）が５００〜２０，０００であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）が１．０〜３．０の範囲で占められ、式〔１〕及び式〔２〕
で表される繰り返し単位、並びに式〔３〕で表される末端基を有し、上記式〔１〕中の３つの酸素原子が結合したケイ素原子が７０ｍｏｌ％以上、上記式〔２〕中の２つの酸素原子と１つの水酸基が結合したケイ素原子が３０ｍｏｌ％以下であり、上記式〔３〕中の１つの酸素原子と２つの水酸基が結合したケイ素原子が１ｍｏｌ％以下で構成されてなることを特徴とするポリオルガノシルセスキオキサン。 （もっと読む）

【課題】良好な埋め込み性（ビアフィリング性）と優れた均一電着性を同時に併せ持ち、スルホールとブラインドビアホールの両方を含む被めっき物に対しても、電気的に信頼性の高い銅めっき皮膜を形成することが可能な新規な銅めっき液を提供する。
【解決手段】銅イオン、並びに有機酸及び無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸成分を必須成分として含有する水溶液を基本めっき浴とする酸性電気銅めっき液であって、
（１）アルキレンジアミン類及びポリアルキレンポリアミン類からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリアミン、（２）二塩基性カルボン酸系化合物、並びに（３）アルデヒド類、エピハロヒドリン類、α，γ−ジハロ−β−ヒドリン類、グリシジル化合物及びイソシアネート類からなる群から選ばれる少なくとも一種の架橋性化合物、からなる三成分を反応させて得られる水溶性樹脂を含有することを特徴とする酸性電気銅めっき液。 （もっと読む）

【課題】 光透過性、耐熱性及び耐光性に優れ、且つ発光素子及びフレーム等との接着性に優れ、しかも硬度が高く、耐衝撃性及び耐擦傷性に優れた光半導体封止用樹脂組成物及び該樹脂組成物を用いて光半導体素子を封止してなる光半導体装置を提供すること
【解決手段】
（Ａ）一分子中に２個以上の脂肪族不飽和結合を有するポリオルガノシロキサン、
（Ｂ）ポリオルガノハイドロジェンシロキサン及び白金族金属系触媒、
（Ｃ）ポリオルガノシルセスキオキサン、
を含有することを特徴とする光半導体封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】プラスチックフィルムの帯電防止剤、導電性高分子のドーパント、固体酸触媒又は燃料電池の固体電解質膜の添加剤として有望なスルホン化ポリオルガノシルセスキオキサンの提供。
【解決手段】Ｒ¹−ＳｉＯ_3/2（式中、Ｒ¹は炭素原子数１〜３のアルキル基又は炭素原子数２〜３のアルケニル基である）で表される構造単位（１）、Ｐｈ−ＳｉＯ_3/2で表される構造単位（２）、及びＨＯ３Ｓ−Ｐｈ−ＳｉＯ_3/2で表される構造単位（３）を、（１）：（２）：（３）のモル比が０〜９９：０〜９９：１〜１００（但し（１）＋（２）＋（３）＝１００とする）の割合で含有し、ポリマーの末端が−ＯＲ²（Ｒ²は独立して炭素原子数１〜３のアルキル基又は水素原子である。但し、（１）の構造単位を含有しない場合、Ｒ²が炭素原子数１〜３のアルキル基である末端を少なくとも一個を有する。）であるスルホン化ポリオルガノシルセスキオキサン。 （もっと読む）

【課題】 ジアリール誘導体を低コストかつ短時間で製造する。
【解決手段】
一般式（１）
Ａｒ^１−Ａｒ^２ ・・・・・・・・・（１）
（ここで、Ａｒ^１、Ａｒ^２は、１個以上の置換基を有しても良いフェニル基、縮合環基又は複素環基を表し、Ａｒ^１とＡｒ^２とは同じでもよいし、異なっていてもよい。）
で示されるジアリール誘導体の製造方法であって、水系溶媒中で、塩基とパラジウム触媒との存在下、一般式（２）
Ａｒ^１−Ｂ（ＯＲ^３）_２ ・・・・・（２）
（ここで、Ａｒ^１は前記と同じものを表す。Ｒ^３は、水素原子、アルキル基、環状アルキル基又はアリール基を表す。）
で示されるホウ素誘導体と、一般式（３）
Ｘ−Ａｒ^２ ・・・・・・・・・（３）
（ここで、Ｘは沃素、臭素、Ｒ^４−ＳＯ_３−を表し、Ｒ^４はアルキル基、フッ化アルキル基又はアリール基を表す。Ａｒ^２は前記と同じものを表す。）
で示されるアリール誘導体とを反応させることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、極めて高純度の４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンを製造する方法を提供する。即ち、本発明は、フェノールとスルホン化剤又はフェノールスルホン酸とを脱水反応させて４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンを製造する方法において、芳香族系非極性溶媒の存在下において、生成したジヒドロキシジフェニルスルホンを懸濁させながら前記脱水反応を行い、得られた反応懸濁液に極性溶媒を混合し、ジヒドロキシジフェニルスルホンの少なくとも一部を溶解させた後、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンを晶析させることを特徴とする高純度４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンの製造方法である。 （もっと読む）