【課題】分子内にスルホ基を有するジハロビフェニル化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】式（１）


で表されるジアゾ化合物を銅及び／又は銅化合物に接触させて、式（２）


で表されるジハロビフェニル化合物を得る。 （もっと読む）

【課題】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンを含む半導体絶縁膜用組成物と、それを用いた薄膜の製造方法、及びそれによって有機溶媒に耐性を示す絶縁膜を提供する。
【解決手段】メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンに、ビニルモノマーおよび重合開始剤を加えて半導体絶縁膜用組成物とし、スピンコート法などで塗布した後、加熱または紫外線照射によってビニル基のラジカル重合を行ない、続いてアルコキシ基の縮合重合により複合的に硬化させてシリコーン系絶縁膜（ＰＳＱ膜）を製造する。 （もっと読む）

【課題】副反応による異性化や縮合の発生を抑制しつつ、効率良くヒロドシリル化反応を進行させることができるかご型シルセスキオキサン化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】不活性ガス雰囲気下で、
（ＤＲ^１Ｒ^２ＳｉＯＳｉＯ_１．５）_ｎ（Ｒ^３Ｒ^４ＨＳｉＯＳｉＯ_１．５）_ｐ
（ＢＲ^５Ｒ^６ＳｉＯＳｉＯ_１．５）_ｑ（ＨＯＳｉＯ_１．５）_{ｍ−ｎ−ｐ−ｑ} （１）
のかご型シルセスキオキサン化合物と反応触媒とを有する反応溶媒に、炭素−炭素二重結合を分子中に２つ以上有する不飽和炭化水素化合物を、ヒドロシリル化反応が進行し、且つ異性化及び縮合が生じない温度条件のもとで、滴下して、（１）のかご型シルセスキオキサン化合物に不飽和炭化水素化合物を付加反応させ、
（ＡＲ^１Ｒ^２ＳｉＯＳｉＯ_１．５）_ｎ（Ｒ^３Ｒ^４ＨＳｉＯＳｉＯ_１．５）_ｐ
（ＢＲ^５Ｒ^６ＳｉＯＳｉＯ_１．５）_ｑ（ＨＯＳｉＯ_１．５）_{ｍ−ｎ−ｐ−ｑ} （２）
を得る。 （もっと読む）

【課題】フェニル基にトリアルキルシリル基を有するＰＯＳＳの選択的合成と単離、及びニトロ化の提供。
【解決手段】トリアルキルシリルフェニル基を有する式（１）で表される完全縮合シルセスキオキサンを、トリアルキルシリルフェニル基を有するトリアルコキシシランから合成及び単離する。


トリアルキルシリル基をニトロ基に変換すれば、更に他の機能性官能基の導入を可能にする。 （もっと読む）

【課題】従来技術の問題を改善し、高純度の４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンを、高収率で短時間に製造する方法を提供する。
【解決手段】スルホン化剤またはフェノールスルホン酸とフェノールとを、アルキル置換芳香族炭化水素を含む溶媒中で脱水反応させて４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンを製造するに当り、反応容器が精留装置を備えることを特徴とする４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】
メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有する単独重合性のポリシルセスキオキサンの共重合体と、その製造方法、及びそれによって得られたポリシルセスキオキサン共重合体の低温重合により有機溶媒に不溶性の膜を提供する事にある。
【解決手段】
メタクリロキシ基もしくはアクリロキシ基を有するポリオルガノシルセスキオキサンを二官能性シランカップリング剤と反応させて共重合体を製造し、重合開始剤を加えてラジカル重合によって製膜するシリコーンコーティング膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ダブルデッカー閉環型Ｔ_８のトランス／シス異性体混合物を再結晶処理により、それぞれ単独に分離（単離）し、もしくは一方の異性体が過剰になる様に分離し、それを用いて重合したポリマー及びその製造方法の提供。
【解決手段】一般式（１）


（式中Ｒは夫々独立して水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基またはシクロアルキル基である。アルキル基炭素数は１から１０であり、任意の水素原子はハロゲン原子または炭素数１から１０のアルキル基で置き換えられてもよい。アリール基炭素数は６から１０であり、アリールアルキル基の炭素数は７から１０であり、シクロアルキル基における炭素数は３から１０であり、ハロゲン原子または炭素数１から１０のアルキル基で置き換えられてもよい。式中、Ｘは炭素数４の飽和分枝状アルキル基を表す。）で示される完全縮合オリゴシルセスキオキサンのトランス立体異性体またはそのシス体。 （もっと読む）

【課題】完全縮合型ＰＯＳＳの骨格の再配列により、不完全縮合ＰＯＳＳ誘導体を得る新規な製造方法、それによって得られた新規な不完全縮合ＰＯＳＳ誘導体を提供する。
【解決手段】一般式（１）


で示される完全縮合オクタフェニルオクタシルセスキオキサンと、一般式（２）


で示される完全縮合ポリヘドラルオリゴシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）を、水-アルコール溶媒中、アルカリの共存下、共加水分解反応させ、必要により、次いで保護基で保護することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
完全縮合型ＰＯＳＳの骨格の再配列により、不完全縮合ＰＯＳＳ誘導体を得る新規な製造方法の提供。
【解決手段】
一般式（１）



[式中、Ｐｈはフェニル基を表す。]
で示される完全縮合オクタフェニルオクタシルセスキオキサンを、水−アルコール溶媒中、アルカリの共存下、加水分解反応させることを特徴とする不完全縮合ＰＯＳＳ誘導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
ポリオルガノシルセスキオキサン微粒子に容易に反応性のハロゲノ基を導入することができる新たな製造方法及びそれによって得られたハロゲノ基を含有するポリオルガノシルセスキオキサン微粒子の提供。
【解決手段】
アルケニル基を有するポリオルガノシルセスキオキサン微粒子を、ハロゲン化スクシンイミド及び脂肪族アルコールと反応させることを特徴とするハロゲノ基を含有するポリオルガノシルセスキオキサン微粒子の製造方法。 （もっと読む）