説明

富士フイルムマイクロデバイス株式会社により出願された特許

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【課題】
オン抵抗が低く、ゲートターンオフの可能な絶縁ゲート型サイリスタを提供する。
【解決手段】
絶縁ゲート型サイリスタは、第1導電型、高不純物濃度の第1電流端子半導体領域と、第1電流端子半導体領域上に形成された、第1導電型と逆導電型の第2導電型、低不純物濃度の第1ベース半導体領域と、第1ベース半導体領域上に形成された、第1導電型、低不純物濃度の第2ベース半導体領域と、第2ベース半導体領域上に形成された、第2導電型、高不純物濃度の第2電流端子半導体領域と、第2電流端子半導体領域表面から第1ベース半導体領域に向かう方向で、第2電流端子半導体領域を貫通し、第2ベース半導体領域に入り、その厚さの一部を残すように形成されたトレンチと、トレンチ内に形成された絶縁ゲート電極構造と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 小型化に適した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板の表面に形成されたウエルと、ウエルに行列状に配置され、入射光を光電変換した電荷を蓄積する電荷蓄積領域と、ウエル内に電荷蓄積領域の各列に近接して形成され、全体として列方向に延在する複数の垂直転送チャネルと、垂直転送チャネル、及び電荷蓄積領域と垂直転送チャネルとの間のウエル表面領域の上方に形成された垂直転送電極と、ウエル内で垂直転送チャネルに隣接して形成され、垂直転送チャネルから転送される電荷を行方向に転送する水平CCDと、水平CCDの端部に形成され、水平CCDからの出力信号を増幅するアンプと、半導体基板を収納するパッケージであって、収納された半導体基板に形成されたアンプの直下の位置にビア放熱体を備えるパッケージと、半導体基板に接続され、パッケージの外部に引き出されるリードとを有する固体撮像装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】 正確性の高いしみ検査を行う
【解決手段】 (a)輝度データを準備する。(b)前記輝度データの第1の方向に沿う輝度値から一群の1次微分値を求め、1次微分値から一群の2次微分値を求め、2次微分値に基づいて第1のデータを出力する。 (もっと読む)


【課題】 液中処理工程における半導体ウェハのパーティクルの付着を防止し、処理の高速化をはかることができるとともに、信頼性の向上を図る。
【解決手段】
半導体ウェハを処理液中に投入し、浸漬して処理する半導体ウェハの処理方法であって、処理液の充填された処理槽に新たな処理液を補給する供給工程と、処理液の供給後、少なくとも所定時間、前記処理液の液中に含有するダストを測定する工程と、測定された前記処理液中のダスト濃度と、あらかじめ決められた基準値とを比較する比較工程と、前記ダスト濃度が前記基準値を超えている場合は、前記処理槽への半導体ウェハの投入を禁止するように制御する制御工程と、前記半導体ウェハを前記処理槽に所定時間浸漬して処理する処理工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】長時間における熱処理工程を得るような場合にも微細化が可能で、デバイス活性領域を確保し微細化しつつ信頼性の高い素子分離を行うことのできる素子分離構造を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第1導電型の半導体領域の所定位置に形成されたトレンチに素子分離領域を形成することにより、前記半導体領域を複数の素子領域に分離してなる半導体装置であって、前記トレンチ内壁に、拡散制限層を介して第2導電型の不純物を含む充填膜が充填されていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 シリコン基板に直接半田バンプを形成し回路基板上に実装するフリップチップ実装の半導体チップの回路基板への実装不具合を低減することのできる半導体チップを提供する。
【解決手段】 半導体チップは、複数の半導体素子を形成したシリコン基板と、前記シリコン基板上方に形成され、前記半導体素子と電気的に接続された複数のパッド部と、前記パッド部上に開口を有する第1の絶縁膜と、前記パッド部と電気的に接続して前記第1の絶縁膜上に形成される第1の配線層と、前記第1の配線層の接続部上に開口を有し、前記第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層と、前記第1の配線層を介して前記パッド部と電気的に接続して、前記第2の絶縁層の開口上に形成される電気特性用半田バンプと、前記パッド部と電気的に接続せずに前記第2の絶縁層の開口上に形成される自己補正用ダミー半田バンプとを有する。 (もっと読む)


【課題】 半導体ウェハの表面状態に依存することなく、洗浄状態を検出しながら、より適切な洗浄を行う。
【解決手段】 半導体ウェハを洗浄液中に浸漬して洗浄する半導体ウェハの洗浄方法であって、前記洗浄液の液中に含有するダストを測定する工程と、測定された前記ダストの液中濃度に応じて、洗浄条件を制御する工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】 シリコン基板に直接半田バンプを形成し基板上に実装するフリップチップ実装チップの基板への実装強度を改善することのできるフリップチップ実装チップを提供する。
【解決手段】 半導体チップは、複数の半導体素子を形成したシリコン基板と、前記シリコン基板上方に形成され、前記半導体素子と電気的に接続された複数のパッド部と、前記パッド部上に開口を有する第1の絶縁膜と、前記パッド部と電気的に接続して前記第1の絶縁膜上に形成される第1の配線層と、前記第1の配線層の接続部上に開口を有し、前記第1の絶縁層上に形成された第2の絶縁層と、前記第1の配線層を介して前記パッド部と電気的に接続して、前記第2の絶縁層の開口上に形成される電気特性用半田バンプと、前記パッド部と電気的に接続せずに前記シリコン基板中心部の前記第2の絶縁層の開口上に形成される強度改善用ダミー半田バンプとを有する。 (もっと読む)


【課題】 平坦化膜に孔部を形成するに際し、遮光膜や絶縁膜のエッチングを防止し、微細化に際しても更なる集光効率の向上をはかり、光学特性にすぐれた固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 本発明の固体撮像素子は、光電変換部と、前記光電変換部で生起せしめられた電荷を転送する電荷転送電極を備えた電荷転送部とを具備し、入射した光を閉じ込め伝搬させて前記光電変換部に導く光導波路を有するものにおいて、前記光導波路は、前記固体撮像素子の表面を覆う平坦化膜の、前記光電変換部およびその周縁部上に相当する領域に形成された孔部に、所定の屈折率を有し、導光機能を有する透光性膜を形成してなり、 前記平坦化膜の下層側で、前記第1の透光性膜を囲むように、少なくとも前記光電変換部全体を覆うように形成された、第2の透光性膜を具備している。 (もっと読む)


【課題】 製品の小型化に適した固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 表面側に、受光領域を備える固体撮像素子が形成された半導体基板と、半導体基板の表面上に形成され、半導体基板の側端部に至る第1の接続端子と、半導体基板の側面及び裏面に形成された第1の絶縁構造と、半導体基板の裏面側に、第1の絶縁構造上に形成された第2の接続端子と、第1の接続端子と第2の接続端子とを電気的に接続する配線と、配線上に形成された第2の絶縁構造と、半導体基板の表面上方に形成され、赤外線遮蔽層を含み、受光領域に入射する光を導入する光導入窓とを有する固体撮像装置を提供する。 (もっと読む)


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