説明

東レKPフィルム株式会社により出願された特許

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【課題】パチンコ機などの遊技台内部の視認性を損なわず、不必要な電磁波の入射や放出を防止できる、遊技台の前面に取り付けられるのに好適な電磁波遮蔽フイルム及び当該電磁波遮蔽フィルムを取り付けた遊技台を低コストで提供する。
【解決手段】樹脂フイルム上に金属層を有し、該金属層が網目状構造であり、該金属層の厚みが3μm以下であることを特徴とする、遊技台用電磁波遮蔽フイルム。 (もっと読む)


【課題】表面粗さが小さくピンホールが少ない2層フィルム、その製造方法、およびその製造方法を用いたプリント基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】高分子フィルム10と、高分子フィルム上に形成された窒素と60重量%以上100重量%以下のニッケルとを含む第1の金属膜12と、第1の金属膜上に形成された銅を主成分とする第2の金属膜14とを備え、第2の金属膜の表面粗さRzが1μm以下であり、ピンホールは直径30μmを超えず、20〜30μmが20個/m以下、10〜20μmが80個/m以下である2層フィルム。高分子フィルム上に窒素ガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等により窒素と60〜100重量%のニッケルとを含む第1の金属膜を形成し、第1の金属膜上に0.001〜0.1Paの真空度において溶融温度を1300〜2500℃とした銅を用いた真空蒸着法により第2の金属膜を形成する2層フィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高密度プリント配線に用いられても、金属層が充分な密着強度を有する高分子層と金属層の2層フィルム、その製造方法、およびその方法を用いたプリント基板の製造方法。
【解決手段】高分子フィルム10と、高分子フィルム上にアンモニア、一酸化窒素、および二酸化窒素うちのいずれか1つのガスを含む雰囲気下で真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により形成したニッケルを60重量%以上100重量%以下含む第1の金属膜12と、第1の金属膜12上に形成された銅を主成分とする第2の金属膜14とを備える2層フィルム。高分子フィルム上にアンモニア、一酸化窒素、および二酸化窒素よりなる群のうちのいずれか1つのガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等によりニッケルを含む第1の金属膜12を形成する工程と、第1の金属膜上に銅を主成分とする第2の金属膜を形成する工程とを備える2層フィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高密度プリント配線に用いられても金属層が充分な密着強度を有する高分子−金属の2層フィルム、2層フィルムの製造方法、プリント基板の製造方法および2層フィルムの製造装置。
【解決手段】高分子フィルム10と、高分子フィルム10上に不活性ガスと窒素ガスとの混合ガス雰囲気下で真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法により形成したニッケルを60重量%以上100重量%以下含む第1の金属膜12と、第1の金属膜12上に形成された銅を主成分とする第2の金属膜14とを備える2層フィルム。不活性ガスと窒素ガスとの混合比をセットする工程と、高分子フィルム10上に前記混合比のガス雰囲気下での真空蒸着法等によりニッケルを60重量%以上100重量%以下含む第1の金属膜を形成する工程と、第1の金属膜上に銅を主成分とする第2の金属膜を形成する工程とを備える2層フィルムの製造方法。 (もっと読む)


【課題】高密度プリント配線に用いられても、金属層が充分な密着強度を有する高分子層と金属層の2層フィルム、その製造方法、およびその方法を用いたプリント基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】高分子フィルム10と、高分子フィルムの上に形成された、窒素原子を含有するニッケルを60重量%以上100重量%以下含む第1の金属膜12と、第1の金属膜の上に形成された銅を主成分とする第2の金属膜14とを備える2層フィルム。高分子フィルム上に、窒素ガスを含む雰囲気下での、真空蒸着法またはイオンプレーティング法またはスパッタリング法によりニッケルを60重量%以上100重量%以下含む第1の金属膜を形成する工程と、第1の金属膜上に、銅を主成分とする第2の金属膜を形成する工程とを備える2層フィルムの製造方法。 (もっと読む)


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